Hutsean magnetron sputtering-a bereziki egokia da erreaktiboki deposizio bidezko estaldurak egiteko. Izan ere, prozesu honek edozein oxido, karburo eta nitruro materialen film meheak metatu ditzake. Horrez gain, prozesua bereziki egokia da geruza anitzeko film-egiturak metatzeko, besteak beste...
“DLC “DIAMANTE-ITXURAKO KARBONOA” hitzaren laburdura da, karbono elementuz osatutako substantzia bat, diamantearen antzekoa eta grafito atomoen egitura duena. Diamante-Itxurako Karbonoa (DLC) tribologia komunitatearen arreta erakarri duen film amorfoa da...”
Diamantezko filmen propietate elektrikoak eta aplikazioak Diamanteak banda-zabalera debekatua, eramaileen mugikortasun handia, eroankortasun termiko ona, saturazio-elektroien jito-tasa handia, konstante dielektriko txikia, matxura-tentsio handia eta elektroien zuloen mugikortasun handia, etab. Bere matxura-tentsioa bi edo...
Lotura kimiko sendoekin eratutako diamanteak propietate mekaniko eta elastiko bereziak ditu. Diamantearen gogortasuna, dentsitatea eta eroankortasun termikoa ezagutzen diren materialen artean altuenak dira. Diamanteak, gainera, edozein materialen artean elastikotasun modulurik altuena du. Diamante baten marruskadura koefizientea...
Eguzki-zelulak hirugarren belaunaldira garatu dira, eta lehenengo belaunaldia silizio monokristalinozko eguzki-zelulak dira, bigarren belaunaldia silizio amorfo eta polikristalinozko eguzki-zelulak, eta hirugarren belaunaldia kobre-altzairu-galio-seleniuroa (CIGS) da...
Mintz geruzaren propietate mekanikoak atxikimenduaren, tentsioaren, agregazio dentsitatearen eta abarren araberakoak dira. Mintz geruzaren materialaren eta prozesu faktoreen arteko erlaziotik ikus daiteke mintz geruzaren erresistentzia mekanikoa hobetu nahi badugu, horretan zentratu behar dugula...
Hazkunde epitaxiala, askotan epitaxia bezala ere ezagutzen dena, material eta gailu erdieroaleen fabrikazioan prozesu garrantzitsuenetako bat da. Hazkunde epitaxiala deritzona baldintza jakin batzuetan kristal bakarreko substratuan gertatzen da, produktu bakarreko film geruza baten hazkuntza prozesuan, t...
Oro har, CVD bi motatan bana daiteke: bata substratuan produktu bakarreko kristal bakarreko epitaxial geruza baten lurrun-metaketa da, eta hori CVD estua da; bestea substratuan film meheen metaketa da, produktu anitzeko eta film amorfoak barne. ...
Honetatik argituko ditugu: (1) film meheko gailuak, transmitantzia, islapen espektroak eta kolorearen arteko erlazioa, hau da, kolore baten espektroa; aitzitik, erlazio hau "ez da bakarra", kolore anitzeko espektro gisa agertzen da. Beraz, filma...
Film optiko meheen transmisio- eta islapen-espektroak eta koloreak aldi berean existitzen diren film meheko gailuen bi ezaugarri dira. 1. Transmisio- eta islapen-espektroa film optiko meheko gailuen islapenaren eta transmitantziaren arteko erlazioa da uhin-luzerarekin. Hau da...
AF Film Mehearen Lurruntze Optiko PVD hutsean estaltzeko makina gailu mugikorretan film meheko estaldurak aplikatzeko diseinatuta dago, lurrun-deposizio fisikoa (PVD) erabiliz. Prozesuak estaldura-ganbera baten barruan hutsune-ingurune bat sortzea dakar, non material solidoak lurrundu eta gero metatzen diren...
Aluminiozko zilarrezko hutsean estaltzeko ispiluak egiteko makinak irauli egin du ispiluen fabrikazio-industrian bere teknologia aurreratuari eta zehaztasun-ingeniaritzari esker. Punta-puntako makina hau aluminiozko zilarrezko geruza fin bat beiraren gainazalean aplikatzeko diseinatuta dago, kalitate handiko...
Hutsean egindako metalizatzaile optikoa gainazalen estalduraren industria irauli duen punta-puntako teknologia da. Makina aurreratu honek hutsean egindako metalizazio optiko izeneko prozesu bat erabiltzen du metal geruza fin bat hainbat substratutan aplikatzeko, gainazal oso islatzaile eta iraunkorra sortuz...
Elementu kimiko gehienak lurrundu daitezke talde kimikoekin konbinatuz, adibidez, Si-k H-rekin erreakzionatzen du SiH4 sortzeko, eta Al-k CH3-rekin konbinatzen da Al(CH3) sortzeko. CVD prozesu termikoan, goiko gasek energia termiko kopuru jakin bat xurgatzen dute substratu berotutik igarotzean eta...