ನಿರ್ವಾತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಶೇಖರಣಾ ಲೇಪನಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಯಾವುದೇ ಆಕ್ಸೈಡ್, ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಮತ್ತು ನೈಟ್ರೈಡ್ ವಸ್ತುಗಳ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಆಪ್ಟಿ... ಸೇರಿದಂತೆ ಬಹುಪದರದ ಫಿಲ್ಮ್ ರಚನೆಗಳ ಶೇಖರಣೆಗೆ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
"DLC ಎಂಬುದು "ಡೈಮಂಡ್-ಲೈಕ್ ಕಾರ್ಬನ್" ಎಂಬ ಪದದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ರೂಪವಾಗಿದೆ, ಇದು ಇಂಗಾಲದ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಕೂಡಿದ್ದು, ವಜ್ರದಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ವಜ್ರದಂತಹ ಕಾರ್ಬನ್ (DLC) ಒಂದು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಚಿತ್ರವಾಗಿದ್ದು ಅದು ಬುಡಕಟ್ಟು ಸಮುದಾಯದ ಗಮನವನ್ನು ಸೆಳೆದಿದೆ...
ವಜ್ರ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ವಿದ್ಯುತ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳು ವಜ್ರವು ನಿಷೇಧಿತ ಬ್ಯಾಂಡ್ವಿಡ್ತ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಹಕ ಚಲನಶೀಲತೆ, ಉತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡ್ರಿಫ್ಟ್ ದರ, ಸಣ್ಣ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಗಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ರಂಧ್ರ ಚಲನಶೀಲತೆ ಇತ್ಯಾದಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇದರ ಸ್ಥಗಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎರಡು ಅಥವಾ...
ಬಲವಾದ ರಾಸಾಯನಿಕ ಬಂಧದಿಂದ ರೂಪುಗೊಂಡ ವಜ್ರವು ವಿಶೇಷ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ತಿಳಿದಿರುವ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ವಜ್ರದ ಗಡಸುತನ, ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಅತ್ಯಧಿಕವಾಗಿದೆ. ಯಾವುದೇ ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕತ್ವದ ಅತ್ಯುನ್ನತ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ ಅನ್ನು ವಜ್ರವು ಹೊಂದಿದೆ. ವಜ್ರದ ಘರ್ಷಣೆಯ ಗುಣಾಂಕ ...
ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ (GaAs) Ⅲ ~ V ಸಂಯುಕ್ತ ಬ್ಯಾಟರಿ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯು 28% ವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ, GaAs ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತುವು ಅತ್ಯಂತ ಆದರ್ಶ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಜೊತೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ದಕ್ಷತೆ, ವಿಕಿರಣಕ್ಕೆ ಬಲವಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಶಾಖ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಲ್ಲದ, ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಏಕ-ಜಂಕ್ಷನ್ b ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ...
ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಮೂರನೇ ಪೀಳಿಗೆಗೆ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇವುಗಳಲ್ಲಿ ಮೊದಲ ಪೀಳಿಗೆಯು ಏಕಸ್ಫಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು, ಎರಡನೇ ಪೀಳಿಗೆಯು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು, ಮತ್ತು ಮೂರನೇ ಪೀಳಿಗೆಯು ತಾಮ್ರ-ಉಕ್ಕು-ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್-ಸೆಲೆನೈಡ್ (CIGS) ಪ್ರತಿನಿಧಿಯಾಗಿ...
ಪೊರೆಯ ಪದರದ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ, ಒತ್ತಡ, ಒಟ್ಟುಗೂಡಿಸುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆ ಇತ್ಯಾದಿಗಳಿಂದ ಪ್ರಭಾವಿತವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಪೊರೆಯ ಪದರದ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಅಂಶಗಳ ನಡುವಿನ ಸಂಬಂಧದಿಂದ, ನಾವು ಪೊರೆಯ ಪದರದ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಬಯಸಿದರೆ, ನಾವು ಗಮನಹರಿಸಬೇಕು ಎಂದು ನೋಡಬಹುದು...
ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು, ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವುದು ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಏಕ ಉತ್ಪನ್ನ ಫಿಲ್ಮ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಪದರದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲೆ ಇರುತ್ತದೆ, ಟಿ...
ವಿಶಾಲವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, CVD ಯನ್ನು ಸ್ಥೂಲವಾಗಿ ಎರಡು ವಿಧಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು: ಒಂದು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲಿನ ಒಂದೇ ಉತ್ಪನ್ನದಲ್ಲಿ ಏಕ-ಸ್ಫಟಿಕ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರದ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ, ಇದು ಕಿರಿದಾದ CVD ಆಗಿದೆ; ಇನ್ನೊಂದು ಬಹು-ಉತ್ಪನ್ನ ಮತ್ತು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ಶೇಖರಣೆ. t... ಪ್ರಕಾರ.
ಇದರಿಂದ ನಾವು ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸಲಿದ್ದೇವೆ: (1) ತೆಳುವಾದ-ಫಿಲ್ಮ್ ಸಾಧನಗಳು, ಪ್ರಸರಣ, ಪ್ರತಿಫಲನ ವರ್ಣಪಟಲ ಮತ್ತು ಬಣ್ಣದ ವರ್ಣಪಟಲದ ನಡುವಿನ ಅನುಗುಣವಾದ ಸಂಬಂಧದ ಬಣ್ಣ; ಇದಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ, ಈ ಸಂಬಂಧವು "ವಿಶಿಷ್ಟವಲ್ಲ", ಇದು ಬಣ್ಣದ ಬಹು-ವರ್ಣಪಟಲವಾಗಿ ವ್ಯಕ್ತವಾಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಚಿತ್ರ...
ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಫಲನ ವರ್ಣಪಟಲ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ಬಣ್ಣಗಳು ಒಂದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಸಾಧನಗಳ ಎರಡು ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಾಗಿವೆ. 1. ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಫಲನ ವರ್ಣಪಟಲವು ತರಂಗಾಂತರದೊಂದಿಗೆ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಸಾಧನಗಳ ಪ್ರತಿಫಲನ ಮತ್ತು ಪ್ರಸರಣದ ನಡುವಿನ ಸಂಬಂಧವಾಗಿದೆ. ಇದು ಸಿ...
AF ಥಿನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ PVD ನಿರ್ವಾತ ಲೇಪನ ಯಂತ್ರವು ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (PVD) ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಮೊಬೈಲ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಲೇಪನ ಕೊಠಡಿಯೊಳಗೆ ನಿರ್ವಾತ ವಾತಾವರಣವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಘನ ವಸ್ತುಗಳು ಆವಿಯಾಗಿ ನಂತರ ಠೇವಣಿ ಇಡಲಾಗುತ್ತದೆ...
ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಸಿಲ್ವರ್ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಲೇಪನ ಕನ್ನಡಿ ತಯಾರಿಸುವ ಯಂತ್ರವು ತನ್ನ ಮುಂದುವರಿದ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ನಿಖರ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ನೊಂದಿಗೆ ಕನ್ನಡಿ ಉತ್ಪಾದನಾ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಕ್ರಾಂತಿಯನ್ನುಂಟು ಮಾಡಿದೆ. ಈ ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಯಂತ್ರವು ಗಾಜಿನ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಬೆಳ್ಳಿಯ ತೆಳುವಾದ ಲೇಪನವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ...
ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಮೆಟಲೈಜರ್ ಒಂದು ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದ್ದು ಅದು ಮೇಲ್ಮೈ ಲೇಪನ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಕ್ರಾಂತಿಯನ್ನುಂಟು ಮಾಡಿದೆ. ಈ ಸುಧಾರಿತ ಯಂತ್ರವು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ ಎಂಬ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ವಿವಿಧ ತಲಾಧಾರಗಳಿಗೆ ಲೋಹದ ತೆಳುವಾದ ಪದರವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರತಿಫಲಿಸುವ ಮತ್ತು ಬಾಳಿಕೆ ಬರುವ ಸರ್... ಅನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ.
ಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಅಂಶಗಳನ್ನು ರಾಸಾಯನಿಕ ಗುಂಪುಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಮೂಲಕ ಆವಿಯಾಗಿಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ Si H ನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸಿ SiH4 ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು Al CH3 ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಿ Al(CH3) ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಉಷ್ಣ CVD ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಮೇಲಿನ ಅನಿಲಗಳು ಬಿಸಿಯಾದ ತಲಾಧಾರದ ಮೂಲಕ ಹಾದುಹೋಗುವಾಗ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪ್ರಮಾಣದ ಉಷ್ಣ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಮರು... ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ.