Vakuuma magnetrona izsmidzināšana ir īpaši piemērota reaktīvo pārklājumu veidošanai. Faktiski ar šo procesu var nogulsnēt jebkura oksīda, karbīda un nitrīda materiāla plānas kārtiņas. Turklāt šis process ir īpaši piemērots arī daudzslāņu kārtiņu struktūru, tostarp optisko...
“DLC ir saīsinājums no vārda “DIAMOND-LIKE CARBON” (Dimantam līdzīgs ogleklis), viela, kas sastāv no oglekļa elementiem, pēc savas būtības līdzīga dimantam un kurai ir grafīta atomu struktūra. Dimantam līdzīgais ogleklis (DLC) ir amorfa plēve, kas ir piesaistījusi triboloģijas kopienas uzmanību...
Dimanta plēvju elektriskās īpašības un pielietojums. Dimantam ir arī aizliegtā joslas platums, augsta nesēju mobilitāte, laba siltumvadītspēja, augsts piesātinājuma elektronu dreifa ātrums, maza dielektriskā konstante, augsts sabrukšanas spriegums un elektronu caurumu mobilitāte utt. Tā sabrukšanas spriegums ir divi vai...
Dimantam, kas veidots ar spēcīgu ķīmisko saiti, piemīt īpašas mehāniskās un elastīgās īpašības. Dimanta cietība, blīvums un siltumvadītspēja ir visaugstākā starp zināmajiem materiāliem. Dimantam ir arī augstākais elastības modulis no visiem materiāliem. Dimanta berzes koeficients...
Gallija arsenīda (GaAs) III ~ V savienojuma akumulatora konversijas efektivitāte līdz pat 28%, GaAs savienojuma materiālam ir ļoti ideāla optiskā joslas atstarpe, kā arī augsta absorbcijas efektivitāte, spēcīga izturība pret apstarošanu, karstumnejutīgs, piemērots augstas efektivitātes viena savienojuma bateriju ražošanai...
Saules baterijas ir izstrādātas līdz trešajai paaudzei, kur pirmā paaudze ir monokristāliskā silīcija saules baterijas, otrā paaudze ir amorfā silīcija un polikristāliskā silīcija saules baterijas, bet trešā paaudze ir vara-tērauda-gallija-selenīds (CIGS) kā pārstāvis...
Membrānas slāņa mehāniskās īpašības ietekmē adhēzija, spriegums, agregācijas blīvums utt. No membrānas slāņa materiāla un procesa faktoru savstarpējās attiecības var redzēt, ka, ja vēlamies uzlabot membrānas slāņa mehānisko izturību, mums jākoncentrējas uz...
Epitaksiālā augšana, ko bieži dēvē arī par epitaksiju, ir viens no svarīgākajiem procesiem pusvadītāju materiālu un ierīču ražošanā. Tā sauktā epitaksiālā augšana notiek noteiktos apstākļos monokristāla substrātā uz monoprodukta plēves slāņa augšanas procesa, t...
Vispārīgi runājot, CVD var aptuveni iedalīt divos veidos: viens ir viena produkta epitaksiālā slāņa tvaiku nogulsnēšana uz substrāta, kas šauri ir CVD; otrs ir plānu kārtiņu, tostarp daudzproduktu un amorfo plēvju, nogulsnēšana uz substrāta. Saskaņā ar ...
No tā mēs precizēsim: (1) plānplēves ierīču caurlaidības, atstarošanas spektru un atbilstošās krāsas attiecības, tas ir, krāsas spektru; gluži pretēji, šīs attiecības "nav unikālas", kas izpaužas kā krāsu daudzspektrs. Tāpēc plēves...
Optisko plāno plēvju caurlaidības un atstarošanas spektri un krāsas ir divas plāno plēvju ierīču īpašības, kas pastāv vienlaikus. 1. Caurlaidības un atstarošanas spektrs ir optisko plāno plēvju ierīču atstarošanas un caurlaidības attiecība atkarībā no viļņa garuma. Tas ir c...
AF plānās plēves iztvaikošanas optiskā PVD vakuuma pārklāšanas iekārta ir paredzēta plānu plēves pārklājumu uzklāšanai uz mobilajām ierīcēm, izmantojot fizikālās tvaiku pārklāšanas (PVD) procesu. Process ietver vakuuma vides izveidošanu pārklāšanas kamerā, kur cietās vielas tiek iztvaicētas un pēc tam nogulsnētas...
Alumīnija sudraba vakuuma pārklājuma spoguļu ražošanas mašīna ir revolucionizējusi spoguļu ražošanas nozari, pateicoties tās progresīvajām tehnoloģijām un precīzajai inženierijai. Šī modernā mašīna ir paredzēta, lai uz stikla virsmas uzklātu plānu alumīnija sudraba slāni, radot augstas kvalitātes...
Optiskā vakuuma metalizatora tehnoloģija ir radījusi revolūciju virsmu pārklājumu nozarē. Šī modernā iekārta izmanto procesu, ko sauc par optisko vakuuma metalizāciju, lai uzklātu plānu metāla kārtu uz dažādiem substrātiem, radot ļoti atstarojošu un izturīgu virsmu...
Lielāko daļu ķīmisko elementu var iztvaicēt, apvienojot tos ar ķīmiskām grupām, piemēram, Si reaģē ar H, veidojot SiH4, un Al savienojas ar CH3, veidojot Al(CH3). Termiskajā CVD procesā iepriekš minētās gāzes, izejot cauri uzkarsētajam substrātam, absorbē noteiktu daudzumu siltumenerģijas un veido...