Vakuumsko magnetronsko raspršivanje je posebno pogodno za reaktivne premaze. U stvari, ovaj proces može nanositi tanke filmove bilo kojeg oksidnog, karbidnog i nitridnog materijala. Osim toga, proces je posebno pogodan i za nanošenje višeslojnih filmskih struktura, uključujući opt...
„DLC je skraćenica od riječi „DIAMOND-LIKE CARBON“, supstance sastavljene od ugljičnih elemenata, slične prirode dijamantu, koja ima strukturu atoma grafita. Dijamant-like Carbon (DLC) je amorfni film koji je privukao pažnju tribološke zajednice...“
Električna svojstva i primjena dijamantskih filmova Dijamant također ima zabranjenu širinu pojasa, visoku pokretljivost nosioca, dobru toplinsku provodljivost, visoku brzinu zasićenja elektrona, malu dielektričnu konstantu, visoki probojni napon i pokretljivost elektronskih šupljina itd. Njegov probojni napon je dva ili...
Dijamant formiran jakom hemijskom vezom ima posebna mehanička i elastična svojstva. Tvrdoća, gustoća i toplinska provodljivost dijamanta su najveće među poznatim materijalima. Dijamant također ima najveći modul elastičnosti od bilo kojeg materijala. Koeficijent trenja dijamanta ...
Efikasnost konverzije složene baterije od galij arsenida (GaAs) III ~ V do 28%, složeni materijal GaAs ima idealan optički band gap, kao i visoku efikasnost apsorpcije, jaku otpornost na zračenje, neosjetljivost na toplinu, pogodan za proizvodnju visokoefikasnih jednospojnih baterija...
Solarne ćelije su razvijene do treće generacije, pri čemu prva generacija su monokristalne silicijumske solarne ćelije, druga generacija su amorfne silicijumske i polikristalne silicijumske solarne ćelije, a treća generacija je bakar-čelik-galijum-selenid (CIGS) kao predstavnik...
Na mehanička svojstva membranskog sloja utiču adhezija, napon, gustina agregacije itd. Iz odnosa između materijala membranskog sloja i faktora procesa, može se vidjeti da ako želimo poboljšati mehaničku čvrstoću membranskog sloja, trebali bismo se fokusirati na...
Epitaksijalni rast, često nazivan i epitaksija, jedan je od najvažnijih procesa u proizvodnji poluprovodničkih materijala i uređaja. Takozvani epitaksijalni rast se pod određenim uslovima odvija u monokristalnoj podlozi na rastu sloja filma jednog proizvoda, procesom...
Uopšteno govoreći, CVD se može grubo podijeliti na dvije vrste: jedna je taloženje jednog proizvoda na podlozi iz parne faze monokristalnog epitaksijalnog sloja, što je usko CVD; druga je taloženje tankih filmova na podlozi, uključujući višeproizvodne i amorfne filmove. Prema...
Iz ovoga ćemo razjasniti: (1) tankoslojni uređaji, propusnost, reflektirajući spektar i boja odgovarajućeg odnosa između, odnosno spektra boje; naprotiv, ovaj odnos "nije jedinstven", manifestira se kao višestruki spektar boja. Stoga, film...
Spektar transmisije i refleksije te boje tankih optičkih filmova su dvije karakteristike tankih filmskih uređaja koje postoje istovremeno. 1. Spektar transmisije i refleksije je odnos između refleksije i transmitancije tankih optičkih filmovskih uređaja s talasnom dužinom. To je c...
AF mašina za optičko PVD vakuumsko nanošenje tankih filmova isparavanjem dizajnirana je za nanošenje tankih filmova na mobilne uređaje korištenjem procesa fizičkog nanošenja iz parne faze (PVD). Proces uključuje stvaranje vakuumskog okruženja unutar komore za nanošenje gdje se čvrsti materijali isparavaju, a zatim talože...
Mašina za izradu ogledala sa vakuumskim premazom od aluminija i srebra revolucionirala je industriju proizvodnje ogledala svojom naprednom tehnologijom i preciznim inženjeringom. Ova najsavremenija mašina dizajnirana je za nanošenje tankog sloja aluminija i srebra na površinu stakla, stvarajući visokokvalitetne...
Optički vakuumski metalizator je najsavremenija tehnologija koja je revolucionirala industriju površinskih premaza. Ova napredna mašina koristi proces koji se naziva optička vakuumska metalizacija za nanošenje tankog sloja metala na različite podloge, stvarajući visoko reflektirajuću i izdržljivu površinu...
Većina hemijskih elemenata može se ispariti kombinovanjem sa hemijskim grupama, npr. Si reaguje sa H formirajući SiH4, a Al se kombinuje sa CH3 formirajući Al(CH3). U termičkom CVD procesu, gore navedeni gasovi apsorbuju određenu količinu toplotne energije dok prolaze kroz zagrijanu podlogu i formiraju re...