โหมดการสะสมด้วยความช่วยเหลือของลำแสงไอออนและการเลือกพลังงาน

การสะสมด้วยลำแสงไอออนมี 2 โหมดหลัก โหมดหนึ่งคือไฮบริดแบบไดนามิก และอีกโหมดหนึ่งคือไฮบริดแบบคงที่ โหมดแรกหมายถึงฟิล์มในกระบวนการเติบโตที่มักมาพร้อมกับพลังงานและกระแสลำแสงของไอออนและฟิล์มเสมอ โหมดหลังจะสะสมไว้ล่วงหน้าบนพื้นผิวของสารตั้งต้นด้วยชั้นฟิล์มที่มีความหนาน้อยกว่าไม่กี่นาโนเมตร จากนั้นจึงใช้ไอออนแบบไดนามิกในการสะสม และสามารถทำซ้ำได้หลายครั้งและการเติบโตของชั้นฟิล์ม

พลังงานลำแสงไอออนที่เลือกสำหรับการเคลือบฟิล์มบางด้วยลำแสงไอออนจะอยู่ในช่วง 30 eV ถึง 100 keV ช่วงพลังงานที่เลือกขึ้นอยู่กับประเภทของการใช้งานที่ฟิล์มจะถูกสังเคราะห์ ตัวอย่างเช่น การเตรียมการป้องกันการกัดกร่อน การสึกหรอจากกลไก การเคลือบตกแต่ง และฟิล์มบางอื่นๆ ควรเลือกพลังงานการโจมตีที่สูงกว่า การทดลองแสดงให้เห็นว่า เช่น การเลือกพลังงานการโจมตีด้วยลำแสงไอออน 20 ถึง 40 keV วัสดุพื้นผิวและฟิล์มเองจะไม่ส่งผลต่อประสิทธิภาพและการใช้ความเสียหาย ในการเตรียมฟิล์มบางสำหรับอุปกรณ์ออปติกและอิเล็กทรอนิกส์ ควรเลือกการเคลือบด้วยลำแสงไอออนที่มีพลังงานต่ำกว่า ซึ่งไม่เพียงแต่ช่วยลดการดูดซับแสงและหลีกเลี่ยงการเกิดข้อบกพร่องที่เกิดจากไฟฟ้าเท่านั้น แต่ยังช่วยอำนวยความสะดวกในการสร้างโครงสร้างสถานะคงที่ของเมมเบรนอีกด้วย การศึกษาวิจัยแสดงให้เห็นว่าสามารถได้ฟิล์มที่มีคุณสมบัติดีเยี่ยมโดยการเลือกพลังงานไอออนที่ต่ำกว่า 500 eV

–บทความนี้เผยแพร่โดยผู้ผลิตเครื่องเคลือบสูญญากาศกว่างตงเจิ้นหัว