Es gibt zwei Hauptverfahren der ionenstrahlgestützten Abscheidung: das dynamische und das statische Hybridverfahren. Beim dynamischen Hybridverfahren wird der Film während des Wachstumsprozesses stets mit einer bestimmten Ionenenergie und einem bestimmten Ionenstrom beschossen. Beim statischen Hybridverfahren wird zunächst eine Schicht von weniger als einigen Nanometern Dicke auf die Substratoberfläche aufgebracht. Anschließend erfolgt das dynamische Ionenbeschussverfahren, das beliebig oft wiederholt werden kann, um das Filmwachstum zu fördern.
Die für die ionenstrahlgestützte Abscheidung von Dünnschichten gewählten Ionenstrahlenergien liegen im Bereich von 30 eV bis 100 keV. Der gewählte Energiebereich hängt von der Art der Anwendung ab, für die die Schicht synthetisiert wird. Beispielsweise sollte für die Herstellung von Korrosionsschutz-, Verschleißschutz- und dekorativen Beschichtungen sowie anderen Dünnschichten eine höhere Beschussenergie gewählt werden. Experimente zeigen, dass bei einer Ionenstrahlenergie von beispielsweise 20 bis 40 keV das Substratmaterial und die Schicht selbst die Leistung und die Verwendung nicht beeinträchtigen. Für die Herstellung von Dünnschichten für optische und elektronische Bauelemente sollte eine ionenstrahlgestützte Abscheidung mit niedrigerer Energie gewählt werden. Dies reduziert nicht nur die Lichtabsorption und vermeidet die Bildung elektrisch aktivierter Defekte, sondern fördert auch die Ausbildung einer stabilen Membranstruktur. Studien haben gezeigt, dass Schichten mit hervorragenden Eigenschaften durch die Wahl von Ionenenergien unter 500 eV erzielt werden können.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 11. März 2024