आयन बीम-सहाय्यित निक्षेपणाचे दोन मुख्य प्रकार आहेत, एक डायनॅमिक हायब्रीड आणि दुसरा स्टॅटिक हायब्रीड. पहिल्या प्रकारात, फिल्मच्या वाढीच्या प्रक्रियेत, फिल्मवर नेहमी एका विशिष्ट ऊर्जा आणि बीम प्रवाहाच्या साहाय्याने आयन बॉम्बार्डमेंट केली जाते; तर दुसऱ्या प्रकारात, सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर काही नॅनोमीटरपेक्षा कमी जाडीचा फिल्मचा थर आधीच निक्षेपित केला जातो आणि त्यानंतर डायनॅमिक आयन बॉम्बार्डमेंट करून फिल्मच्या थराची वाढ केली जाते, ज्याची अनेक वेळा पुनरावृत्ती केली जाऊ शकते.
पातळ थरांच्या आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणासाठी निवडलेली आयन बीम ऊर्जा ३० eV ते १०० keV च्या श्रेणीत असते. निवडलेली ऊर्जा श्रेणी ही थराच्या संश्लेषणाच्या प्रकारावर अवलंबून असते. उदाहरणार्थ, क्षरण संरक्षण, यांत्रिक झीज-प्रतिबंधक, सजावटीचे लेप आणि इतर पातळ थरांच्या निर्मितीसाठी उच्च बॉम्बार्डमेंट ऊर्जा निवडली पाहिजे. प्रयोगांवरून असे दिसून येते की, आयन बीम बॉम्बार्डमेंटसाठी २० ते ४० keV ऊर्जेची निवड केल्यास, सब्सट्रेट मटेरियल आणि स्वतः थराच्या कार्यक्षमतेवर आणि वापरावर कोणताही परिणाम होत नाही. ऑप्टिकल आणि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी पातळ थर तयार करताना, कमी ऊर्जेचे आयन बीम सहाय्यित निक्षेपण निवडले पाहिजे, ज्यामुळे केवळ प्रकाशाचे शोषण कमी होत नाही आणि विद्युत सक्रिय दोषांची निर्मिती टाळली जात नाही, तर पडद्याच्या स्थिर स्थिती संरचनेच्या निर्मितीस देखील मदत होते. अभ्यासातून असे दिसून आले आहे की ५०० eV पेक्षा कमी आयन ऊर्जा निवडून उत्कृष्ट गुणधर्म असलेले थर मिळवता येतात.
हा लेख यांनी प्रसिद्ध केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन उत्पादकग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट करण्याची वेळ: ११ मार्च २०२४