Esistono due modalità principali di deposizione assistita da fascio ionico: una ibrida dinamica e l'altra ibrida statica. Nella prima, il film viene depositato durante il processo di crescita mediante bombardamento ionico con una determinata energia e corrente del fascio; nella seconda, viene pre-depositato sulla superficie del substrato uno strato di film di spessore inferiore a pochi nanometri, seguito da un bombardamento ionico dinamico, che può essere ripetuto più volte per la crescita dello strato di film.
Le energie del fascio ionico scelte per la deposizione di film sottili mediante fascio ionico assistito (IBD) sono comprese tra 30 eV e 100 keV. L'intervallo di energia scelto dipende dal tipo di applicazione per cui il film viene sintetizzato. Ad esempio, per la preparazione di film sottili con proprietà di protezione dalla corrosione, antiusura meccanica, rivestimenti decorativi e altri, è necessario selezionare un'energia di bombardamento più elevata. Gli esperimenti dimostrano che, scegliendo un'energia di bombardamento del fascio ionico compresa tra 20 e 40 keV, il materiale del substrato e il film stesso non subiscono danni che ne compromettano le prestazioni e l'utilizzo. Nella preparazione di film sottili per dispositivi ottici ed elettronici, è opportuno selezionare un'energia di IBD inferiore, che non solo riduce l'assorbimento della luce ed evita la formazione di difetti attivati elettricamente, ma facilita anche la formazione di una struttura stabile della membrana. Gli studi hanno dimostrato che è possibile ottenere film con proprietà eccellenti scegliendo energie ioniche inferiori a 500 eV.
–Questo articolo è pubblicato daproduttore di macchine per rivestimento sottovuotoGuangdongZhenhua
Data di pubblicazione: 11 marzo 2024

