Theknoloji ea ho kenya ion beam e thusang ho kenya kemiso ke theknoloji ea ho kenya ion beam le ho koahela mouoane e kopantsoeng le theknoloji ea ho sebetsana le ion surface composite. Ts'ebetsong ea ho fetola bokaholimo ba thepa e kenngoeng ke ion, ebang ke thepa ea semiconductor kapa thepa ea boenjiniere, Hangata ho lakatseha hore botenya ba lera le fetotsoeng bo be boholo haholo ho feta ba ho kenya ion, empa hape ho batla ho boloka melemo ea ts'ebetso ea ho kenya ion, joalo ka lera le fetotsoeng le substrate pakeng tsa sebopeho se bohale, li ka sebetsoa ka mocheso oa kamore, jj. Ka hona, ka ho kopanya ho kenya ion le theknoloji ea ho koahela, li-ion tse nang le matla a itseng li kenngoa khafetsa ka har'a sebopeho pakeng tsa filimi le substrate ha li ntse li koahela, 'me liathomo tsa interfacial li kopantsoe ka thuso ea likhohlano tsa cascade, li etsa sebaka sa phetoho ea ho kopanya athomo haufi le sebopeho sa pele ho ntlafatsa matla a ho kopanya pakeng tsa filimi le substrate. Ebe, sebakeng sa ho kopanya athomo, filimi e nang le botenya le thepa e hlokahalang e tsoela pele ho hola ka ho nka karolo ha lera la ion.
Sena se bitsoa Ion Beam Assisted Deposition (IBED), e bolokang litšobotsi tsa ts'ebetso ea ho kenya li-ion ha e ntse e lumella substrate ho koaheloa ka thepa e tšesaane ea filimi e fapaneng ka ho feletseng le substrate.
Ho kenngoa ha ion beam ka thuso ea ho kenya ho na le melemo e latelang.
(1) Kaha ho kenngoa ha ion beam ho thusa ho hlahisa plasma ntle le ho ntša khase, ho koahela ho ka etsoa ka khatello ea <10-2 Pa, ho fokotsa tšilafalo ea khase.
(2) Diparamente tsa motheo tsa tshebetso (matla a ion, bongata ba ion) ke tsa motlakase. Ka kakaretso ha ho hlokahale hore ho laolwe phallo ya kgase le diparamente tse ding tse seng tsa motlakase, o ka laola kgolo ya lera la filimi habonolo, wa lokisa sebopeho le sebopeho sa filimi, ho bonolo ho netefatsa hore tshebetso e a phetwa.
(3) Bokaholimo ba sesebediswa sa mosebetsi bo ka manehwa ka filimi e fapaneng ka ho feletseng le substrate mme botenya ha bo lekanyetswe ke matla a di-ion tsa bombardment mochesong o tlase (<200℃). E loketse kalafo ya bokaholimo ba difilimi tse sebetsang tse nang le doped, dibopeho tse batang tsa mochini o nepahetseng le tshepe ya sebopeho e halefisitsweng mocheso o tlase.
(4) Ke ts'ebetso e sa lekanang e laoloang mochesong oa kamore. Lifilimi tse ncha tse sebetsang joalo ka mekhahlelo ea mocheso o phahameng, mekhahlelo e tsitsitseng, li-alloy tse sa fetoheng, jj. li ka fumanoa mochesong oa kamore.
Mathata a ho kenngoa ha ion beam assistant deposition ke.
(1) Kaha mahlasedi a ion a na le litšobotsi tsa mahlaseli a tobileng, ho thata ho sebetsana le sebopeho se rarahaneng sa bokaholimo ba sesebelisoa sa mosebetsi.
(2) Ho thata ho sebetsana le mesebetsi e meholo le e meholo ka lebaka la moedi wa boholo ba molapo wa mahlasedi a ion.
(3) Sekhahla sa ho beoa ha mahlasedi a ion se thuswang hangata se ka ba 1nm/s, e leng se loketseng ho lokiswa ha dikarolo tse tshesane tsa filimi, mme ha se a lokela ho bewa dihlahiswa tse ngata.
–Sengoloa sena se lokollotsoe kemoetsi oa mochini oa ho roala ka vacuum cleanerGuangdong Zhenhua
Nako ea poso: Pulungoana-16-2023