Ukadaulo wothandizidwa ndi chitsulo cha ioni ndi ukadaulo wopangira utoto wa ion beam ndi nthunzi wophatikizidwa ndi ukadaulo wopangira utoto wa ion pamwamba. Mukusintha pamwamba pa zinthu zolowetsedwa ndi ion, kaya ndi zinthu za semiconductor kapena zida zaukadaulo, nthawi zambiri zimafunidwa kuti makulidwe a wosanjikiza wosinthidwa akhale akulu kwambiri kuposa a ion implantation, komanso kuti asunge ubwino wa njira yopangira utoto wa ion, monga wosanjikiza wosinthidwa ndi substrate pakati pa mawonekedwe akuthwa, zitha kukonzedwa pa workpiece ya chipinda, ndi zina zotero. Chifukwa chake, pophatikiza ion implantation ndi ukadaulo wopangira utoto, ma ion okhala ndi mphamvu inayake amalowetsedwa nthawi zonse mu mawonekedwe pakati pa filimu ndi substrate pamene akuphimba, ndipo maatomu olumikizana amasakanizidwa ndi thandizo la kugundana kwa cascade, kupanga malo osinthira osakaniza atomu pafupi ndi mawonekedwe oyamba kuti akonze mphamvu yolumikizirana pakati pa filimu ndi substrate. Kenako, pa malo osakanikirana a atomu, filimu yokhala ndi makulidwe ndi katundu wofunikira imapitilira kukula ndi kutenga nawo mbali kwa ion beam.
Izi zimatchedwa Ion Beam Assisted Deposition (IBED), yomwe imasunga mawonekedwe a njira yopangira ma ion pomwe imalola kuti substrate ipike ndi filimu yopyapyala yosiyana kwambiri ndi substrate.
Kuyika kwa ion beam helping kuli ndi ubwino wotsatirawu.
(1) Popeza kuti ion beam assisted deposition imapanga plasma popanda kutulutsa mpweya, kupaka kumatha kuchitika pamlingo wa <10-2 Pa, kuchepetsa kuipitsidwa kwa mpweya.
(2) Ma parameter oyambira a process (mphamvu ya ion, kuchuluka kwa ion) ndi amagetsi. Nthawi zambiri simuyenera kuwongolera kayendedwe ka mpweya ndi ma parameter ena osakhala amagetsi, mutha kuwongolera mosavuta kukula kwa filimuyo, kusintha kapangidwe kake ndi kapangidwe kake, komanso kuwonetsetsa kuti njirayi ibwerezabwereza.
(3) Pamwamba pa workpiece pakhoza kuphimbidwa ndi filimu yosiyana kwambiri ndi substrate ndipo makulidwe ake sali ochepa chifukwa cha mphamvu ya ma ayoni a bombardment pa kutentha kochepa (<200℃). Ndi yoyenera kuchiza pamwamba pa mafilimu ogwiritsidwa ntchito, ma molds ozizira opangidwa ndi makina komanso chitsulo chokhazikika chomwe chimatenthedwa ndi kutentha kochepa.
(4) Ndi njira yosalinganiza yomwe imayendetsedwa kutentha kwa chipinda. Mafilimu atsopano ogwira ntchito monga magawo otentha kwambiri, magawo okhazikika, ma alloys a amorphous, ndi zina zotero angapezeke kutentha kwa chipinda.
Zoyipa za kuyika kwa ion beam assisted deposition ndi izi:
(1) Popeza kuti mtanda wa ion uli ndi mawonekedwe a kuwala mwachindunji, n'kovuta kuthana ndi mawonekedwe ovuta a pamwamba pa workpiece
(2) N'zovuta kugwira ntchito ndi zida zazikulu komanso zazikulu chifukwa cha kuchepa kwa kukula kwa mtsinje wa ion beam.
(3) Chiŵerengero cha ion beam assistant deposition rate nthawi zambiri chimakhala pafupifupi 1nm/s, chomwe chili choyenera kukonzekera zigawo zoonda za filimu, ndipo sichili choyenera kupangira zinthu zambiri.
– Nkhaniyi yatulutsidwa ndiwopanga makina ophikira vacuumGuangdong Zhenhua
Nthawi yotumizira: Novembala-16-2023