Tignoolajiyada meel dhigista ee la kaalmaynayey ion beam waa duritaanka ion beam iyo tignoolajiyada daahan uumiga dhigaalka oo ay weheliso tignoolajiyada farsamaynta ee dusha sare ee ion. In geeddi-socodka wax ka beddelka dusha alaabta ion duri, ha ahaato qalabka semiconductor ama qalabka injineernimada, Waxaa inta badan la doonayo in dhumucda lakabka wax laga beddelay uu aad uga weyn yahay in implantation ion ah, laakiin sidoo kale waxay doonayaan in ay sii haystaan faa'iidooyinka geeddi-socodka irbado ion, sida lakabka la beddelay iyo substrate u dhexeeya interface fiiqan, waxaa lagu farsamayn karaa at workpiece heerkulka qolka, iyo wixii la mid ah. Sidaa darteed, marka la isku daro implantation ion la tignoolajiyada daahan, ions leh tamar gaar ah ayaa si joogto ah lagu duraa dhex interface u dhexeeya filimka iyo substrate halka daahan, iyo atamka interfacial waxaa lagu qasaa iyadoo la kaashanayo shilalka cascade, samaynta atom qaso aagga kala guurka u dhow interface bilowga ah si loo hagaajiyo xoogga isku xidhka u dhexeeya filimka iyo substrate ah. Kadibna, aagga isku-dhafka atomka, filimka leh dhumucda loo baahan yahay iyo guryaha ayaa sii wadaya inay koraan iyada oo ka qaybqaadashada iftiinka ion.
Tan waxaa loo yaqaan 'Ion Beam Assisted Deposition' (IBED), kaas oo xajinaya sifooyinka habka tallaalka ion iyadoo u oggolaanaysa substrate-ka in lagu dahaadho walxo filim khafiif ah oo gebi ahaanba ka duwan substrate-ka.
Dhigista ion beam-ka caawisay waxay leedahay faa'iidooyinka soo socda.
(1) Maaddaama kaydinta ion-ka ee la kaalmeeyay ay soo saarto balaasmaha iyada oo aan lahayn gaas soo dayn, dahaarka waxaa lagu samayn karaa cadaadis <10-2 Pa, yaraynta wasakhowga gaaska.
(2) Halbeegyada nidaamka asaasiga ah (tamarta ion, cufnaanta ion) waa koronto. Guud ahaan uma baahna in la xakameeyo socodka gaaska iyo xuduudaha kale ee aan korontada ahayn, waxaad si fudud u xakameyn kartaa kobaca lakabka filimka, hagaajinta qaabka iyo qaab-dhismeedka filimka, si sahlan loo hubiyo in lagu celiyo habka.
(3) Dusha sare ee shaqada waxaa lagu dabooli karaa filim gebi ahaanba ka duwan substrate-ka iyo dhumucdiisuna kuma xaddidna tamarta ions duqeynta heerkulka hooseeya (<200 ℃). Waxay ku habboon tahay daawaynta dusha sare ee filimada shaqaynaysa ee doped, caaryada saxda ah ee mashiinka qabow iyo heerkulka hooseeya ee qaab dhismeedka birta.
(4) Waa hannaan aan dheellitirnayn oo lagu xakameynayo heerkulka qolka. Filimada cusub ee shaqaynaya sida wejiyada kulaylka sareeyo, wejiyada aan xasiloonayn, amorphous alloys, iwm. ayaa lagu heli karaa heerkulka qolka.
Khasaaraha ion beam-ku-dhigista la caawiyay waa.
(1) Sababtoo ah iftiinka ion wuxuu leeyahay sifooyin shucaac toos ah, way adagtahay in lala tacaalo qaabka dusha sare ee shaqada
(2) Way adag tahay in wax laga qabto shaqooyinka baaxadda weyn iyo kuwa baaxadda leh sababtoo ah xaddidnaanta xajmiga qulqulka ion-ka.
(3) Heerka kaydinta ion beam-ka caawiyay inta badan waa qiyaastii 1nm / s, taas oo ku habboon diyaarinta lakabyada filimada khafiifka ah, oo aan ku habboonayn dhejinta tiro badan oo alaab ah.
–Maqaalkan waxa soo saaraysoo saaraha mashiinka daahan vacuumGuangdong Zhenhua
Waqtiga boostada: Nov-16-2023