Ion beam assisted deposition technology o le tui o le ion beam ma le ausa faʻapipiʻiina tekinolosi faʻapipiʻi faʻatasi ma le ion surface composite process technology. I le faagasologa o le suiga o le ion injected meafaitino, pe semiconductor mea po o mea inisinia, E masani ona manaʻomia e sili atu le mafiafia o le laulau faʻaleleia nai lo le ion implantation, ae manaʻo foi e taofi le lelei o le tui tui, e pei o le suiga suiga ma le substrate i le va o le maʻai, e mafai ona gaosia i le vevela o le potu, ma isi mea faapena. O le mea lea, e ala i le tuʻufaʻatasia o le faʻapipiʻiina o le ion ma le tekonolosi faʻapipiʻiina, o ion ma se malosi faʻapitoa e faʻaauau pea ona tui i totonu o le atinaʻe i le va o le ata ma le substrate aʻo faʻapipiʻiina, ma faʻafefiloi faʻalavelave faʻatasi ma le fesoasoani o faʻalavelave faʻafuaseʻi, fausia ai se sone faʻafefiloi faʻafefiloi i tafatafa o le atinaʻe muamua e faʻaleleia ai le malosi o le fusi i le va o le ata ma le substrate. Ona, i luga o le sone fefiloi atom, o le ata tifaga ma le mafiafia manaʻomia ma meatotino faʻaauau ona tupu faʻatasi ma le auai o le ion beam.
O le mea lea e taʻua o le Ion Beam Assisted Deposition (IBED), o loʻo taofiofia uiga o le faʻaogaina o le ion implantation aʻo faʻatagaina le mea e faʻapipiʻiina i se mea ata tifaga manifinifi e matua ese lava mai le mea faʻapipiʻi.
Ion beam assisted deposition ei ai tulaga lelei nei.
(1) Talu ai ona o le faʻapipiʻiina o le ion beam e maua ai le plasma e aunoa ma le lafoaia o kesi, e mafai ona faʻapipiʻiina i le mamafa o le <10-2 Pa, faʻaitiitia ai le faʻaleagaina o le kesi.
(2) O fa'asologa autu o le faagasologa (malosi ion, ion density) e eletise. E masani lava e le manaʻomia le pulea o le tafe o le kesi ma isi mea e le o le eletise, e mafai ona faigofie ona e pulea le tuputupu aʻe o le ata tifaga, fetuunai le tuufaatasiga ma le fausaga o le ata, faigofie ona mautinoa le toe faʻaleleia o le faagasologa.
(3) O le pito i luga o le mea faigaluega e mafai ona ufiufi i se ata tifaga e matua ese lava mai le meaʻai ma le mafiafia e le faʻatapulaʻaina e le malosi o le pomu ion i le maualalo o le vevela (<200 ℃). E talafeagai mo togafitiga luga o doped ata tifaga galue, malulu masini sa'o molds ma maualalo vevela ita fausaga uamea.
(4) O se faiga e le paleni e pulea i le vevela o le potu. E mafai ona maua ata tifaga fou e pei o vaega maualuga-vevela, substable phases, amorphous alloys, ma isi mea faapena i le vevela o le potu.
O le le lelei o le ion beam assisted deposition o.
(1) Talu ai ona o le ion beam o loʻo i ai uiga faʻavevela tuusaʻo, e faigata ona feagai ma foliga faigata o le mea faigaluega
(2) E faigata ona feagai ma mea faigaluega tetele ma tele-vaega ona o le faʻatapulaʻaina o le tele o le faʻafefe o le ion beam stream.
(3) O le fua fa'atatau o le fa'aputuina o le ion beam e masani lava ile 1nm/s, lea e talafeagai mo le tapenaina o fa'alava ata manifinifi, ma e le talafeagai mo le fa'apipi'iina o le tele o oloa.
–O lenei tusiga ua tatalaina emasini fa'apipi'i gaogao gaosimeaGuangdong Zhenhua
Taimi meli: Nov-16-2023