Ukadaulo wa ion wathandizira kuyika

Ukadaulo wothandizira kuyika kwa ion ndi ukadaulo wa jekeseni wa ion ndi ukadaulo wopaka mpweya wophatikizana ndi ukadaulo wopangira ma ion pamwamba. Mu ndondomeko ya kusinthidwa pamwamba zipangizo jekeseni ion, kaya zipangizo semiconductor kapena zipangizo zaumisiri, nthawi zambiri amafuna kuti makulidwe a wosanjikiza kusinthidwa kukhala wamkulu kuposa ion implantation, komanso amafuna kusunga ubwino wa jekeseni ion ndondomeko, monga kusinthidwa wosanjikiza ndi gawo lapansi pakati pa mawonekedwe lakuthwa, akhoza kukonzedwa pa firiji workpiece, ndi zina zotero. Choncho, kaphatikizidwe ion implantation ndi luso ❖ kuyanika, ayoni ndi mphamvu inayake mosalekeza jekeseni mu mawonekedwe pakati filimu ndi gawo lapansi pamene ❖ kuyanika, ndi interfacial maatomu osakanikirana ndi thandizo la kugunda kwa cascade, kupanga atomu kusanganikirana kusintha zone pafupi ndi mawonekedwe oyambirira kuti apititse patsogolo mgwirizano pakati pa filimuyo ndi gawo lapansi. Kenako, pa malo osakanikirana a atomu, filimuyo yokhala ndi makulidwe ofunikira ndi katundu ikupitiliza kukula ndikutenga nawo gawo kwa mtengo wa ion.

Izi zimatchedwa Ion Beam Assisted Deposition (IBED), yomwe imasungabe mawonekedwe a ion implantation process pomwe imalola gawo lapansi kuti likhale ndi filimu yopyapyala yosiyana kwambiri ndi gawo lapansi.

Kuyika kothandizira kwa ion kuli ndi zabwino zotsatirazi.

(1) Popeza kuti ion mtengo wothandizira kuyika kumapanga plasma popanda kutulutsa mpweya, kupaka kungathe kuchitidwa ndi mphamvu ya <10-2 Pa, kuchepetsa kuipitsidwa kwa mpweya.

(2) Zoyambira zoyambira (mphamvu ya ion, kachulukidwe ka ion) ndi magetsi. Nthawi zambiri safuna kulamulira otaya mpweya ndi magawo ena sanali magetsi, inu mosavuta kulamulira kukula kwa wosanjikiza filimu, kusintha zikuchokera ndi dongosolo la filimu, zosavuta kuonetsetsa repeatability ndondomeko.

(3) Pamwamba pa workpiece akhoza yokutidwa ndi filimu yosiyana kotheratu ndi gawo lapansi ndipo makulidwe si malire ndi mphamvu ya ayoni bombardment pa kutentha otsika (<200 ℃). Ndioyenera kuchiritsa pamwamba pamakanema opangidwa ndi doped, zisankho zozizira bwino zamakina ndi chitsulo chochepa cha kutentha.

(4) Ndi njira yosagwirizana ndi kutentha komwe kumayendetsedwa ndi kutentha. Mafilimu atsopano ogwira ntchito monga magawo otentha kwambiri, magawo osasunthika, ma amorphous alloys, etc. angapezeke kutentha.

Zoyipa za ion mtengo wothandizira kuyika ndi.

(1) Chifukwa mtengo wa ion uli ndi mawonekedwe achindunji, ndizovuta kuthana ndi mawonekedwe amtundu wa workpiece

(2) Ndizovuta kuthana ndi zida zazikulu komanso zazikuluzikulu chifukwa cha kuchepa kwa kukula kwa mtsinje wa ion.

(3) Mlingo wothandizidwa ndi ion mtengo wa ion nthawi zambiri umakhala wozungulira 1nm / s, womwe ndi woyenera kukonzekera zigawo zoonda zamakanema, ndipo sizoyenera kuyika zinthu zambiri.

-Nkhaniyi yatulutsidwa ndiwopanga makina opangira vacuumGuangdong Zhenhua