Magnetron sputtering တွင် အဓိကအားဖြင့် discharge plasma transport၊ target etching၊ thin film deposition နှင့် အခြားသော process များပါဝင်သည်၊ magnetron sputtering process ပေါ်ရှိ သံလိုက်စက်ကွင်းသည် သက်ရောက်မှုရှိမည်ဖြစ်သည်။ magnetron sputtering system နှင့် orthogonal magnetic field တွင် အီလက်ထရွန်များသည် Lorentz force ၏ အခန်းကဏ္ဍကို သက်ရောက်ပြီး ခရုပတ်လမ်းကြောင်း လှုပ်ရှားမှုကို လုပ်ဆောင်ကာ anode သို့ ဖြည်းဖြည်းချင်း ရွေ့လျားသွားစေရန် အဆက်မပြတ် တိုက်မိရမည်ဖြစ်ပြီး၊ တိုက်မိခြင်းကြောင့် စွမ်းအင် သေးငယ်ပြီးနောက် anode သို့ အီလက်ထရွန်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကို သက်ရောက်စေကာ ကြီးမားသော ဗုံးကြဲခြင်း အရှိန်မှာလည်း မဟုတ်ပါ။ ထို့အပြင်၊ ပစ်မှတ်သံလိုက်စက်ကွင်းမှ အီလက်ထရွန်အား ကန့်သတ်ချက်များကြောင့်၊ discharge runway အတွင်းရှိ ဒေသ၏ သံလိုက်အကျိုးသက်ရောက်မှု၏ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်တွင် ဤစက်တွင်းသေးငယ်သော အီလက်ထရွန်အာရုံစူးစိုက်မှုသည် အလွန်မြင့်မားပြီး မျက်နှာပြင်အပြင်ဘက်ရှိ သံလိုက်အကျိုးသက်ရောက်မှု အထူးသဖြင့် မျက်နှာပြင်အနီးရှိ သံလိုက်စက်ကွင်းနှင့် ဝေးကွာသောနေရာ၌ အီလက်ထရွန်အာရုံစူးစိုက်မှုမှာ ဖြန့်ကျက်မှုအခြေအနေနှစ်ခုထက် များစွာနိမ့်ကျပြီး ကွဲလွဲမှုကိုပင် သုံးစွဲနိုင်သောကြောင့်၊ ပြင်းအားတစ်ခု၏ ဓာတ်ငွေ့ဖိအား ကွာခြားချက်)။ အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ကို ဗုံးကြဲနေသော အီလက်ထရွန်သိပ်သည်းဆ နည်းပါးသောကြောင့်၊ magnetron sputtering substrate temperature မြင့်တက်လာခြင်း၏ အဓိက ယန္တရားဖြစ်သည့် အပူချိန်နိမ့်နိမ့်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အလွှာများ၏ ဗုံးကြဲခြင်းမှာ နိမ့်ပါးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းတစ်ခုသာရှိလျှင်၊ အီလက်ထရွန်များသည် အလွန်တိုတောင်းသောအကွာအဝေးပြီးနောက် anode သို့ရောက်ရှိပြီး အလုပ်လုပ်သောဓာတ်ငွေ့နှင့် တိုက်မိနိုင်ခြေမှာ 63.8% သာရှိသည်။ သံလိုက်စက်ကွင်း၊ အီလက်ထရွန်များကို ခရုပတ်ရွေ့လျားမှုပြုလုပ်ရန် anode သို့ရွေ့လျားခြင်းဖြစ်စဉ်တွင် အီလက်ထရွန်များကို ချည်နှောင်ကာ သံလိုက်စက်ကွင်းအား အီလက်ထရွန်များ၏ လမ်းကြောင်းကို ချဲ့ထွင်ကာ အီလက်ထရွန်နှင့် လုပ်ငန်းခွင်ဓာတ်ငွေ့တိုက်မိမှုဖြစ်နိုင်ခြေကို များစွာတိုးတက်စေကာ ionization ပေါ်ပေါက်မှုကို များစွာမြှင့်တင်ပေးသည်၊ ionization ပြီးနောက် အီလက်ထရွန်များ ထပ်မံထွက်လာပြီး တိုက်မိမှုဖြစ်စဉ်တွင် ပါဝင်နိုင်သည် အီလက်ထရွန်၏ စွမ်းအင်ကို ထိရောက်စွာအသုံးပြုခြင်း နှင့် အလွန်သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော ဖွဲ့စည်းမှုတွင် ပလာစမာသိပ်သည်းဆသည် ပလာစမာ၏ မမှန်သော တောက်ပမှုအထွက်တွင် တိုးလာပါသည်။ ပစ်မှတ်မှ အက်တမ်များ ထုတ်လွှတ်မှုနှုန်းလည်း တိုးလာပြီး၊ အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများဖြင့် ပစ်မှတ်ကို ဗုံးကြဲခြင်းကြောင့် ဖြစ်ရသည့် ပစ်မှတ် sputtering သည် ပိုမိုထိရောက်သည်၊ ယင်းသည် magnetron sputtering deposition မြင့်မားရခြင်း၏ အကြောင်းရင်းဖြစ်သည်။ ထို့အပြင် သံလိုက်စက်ကွင်းပါဝင်မှုသည် လေဖိအားနည်းရပ်ဝန်းတွင် sputtering system ကို လည်ပတ်စေပြီး၊ လေဖိအားနည်းသော 1 သည် တိုက်မိမှုကို လျှော့ချရန် အလွှာအလွှာရှိ အိုင်းယွန်းများကို ဖန်တီးနိုင်ပြီး ပစ်မှတ်အား အတော်လေးကြီးမားသော အရွေ့စွမ်းအင်ဖြင့် ပစ်မှတ်အား ဗုံးကြဲကာ၊ ပစ်မှတ်အား အက်တမ်များနှင့် ကြားနေဓာတ်ငွေ့များ တိုက်မိခြင်းကို လျှော့ချနိုင်စေသည်။ ပါးလွှာသော ဖလင်အစစ်ခံမှုနှုန်းနှင့် အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်။
ပစ်မှတ်သံလိုက်စက်ကွင်းသည် အီလက်ထရွန်များ၏ လမ်းကြောင်းကို ထိရောက်စွာ ဟန့်တားနိုင်ပြီး ၎င်းသည် ပလာစမာဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပစ်မှတ်ပေါ်ရှိ အိုင်းယွန်းများ ခြစ်ထုတ်ခြင်းကို ထိခိုက်စေသည်။
ခြေရာခံခြင်း- ပစ်မှတ်သံလိုက်စက်ကွင်း၏ တူညီမှုကို တိုးမြှင့်ခြင်းသည် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင် etching ၏ တူညီမှုကို တိုးမြင့်စေပြီး ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို အသုံးချမှုကို တိုးတက်စေသည်၊ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော လျှပ်စစ်သံလိုက်စက်ကွင်း ဖြန့်ဖြူးမှုသည် sputtering လုပ်ငန်းစဉ်၏ တည်ငြိမ်မှုကို ထိထိရောက်ရောက် မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် magnetron sputtering ပစ်မှတ်အတွက်၊ သံလိုက်စက်ကွင်း၏ အရွယ်အစားနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။
- ဤဆောင်းပါးကိုထုတ်ဝေသည်။ဖုန်စုပ်စက်အလွှာထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua
စာတိုက်အချိန်- ဒီဇင်ဘာ-၁၄-၂၀၂၃