O le Matafaioi a le Fanua Maneta i le Magnetron Sputtering

O le Magnetron sputtering e aofia ai le tele o felauaiga o le plasma discharge, target etching, thin film deposition ma isi faiga, o le magnetic field i luga o le faiga o le magnetron sputtering o le a i ai se aafiaga. I le faiga o le magnetron sputtering faatasi ai ma le orthogonal magnetic field, o electrons e noatia i le matafaioi a le Lorentz force ma faia le spiral trajectory movement, e tatau ona faia se fetoaiga faifai pea ina ia faasolosolo malie ona agai atu i le anode, ona o le fetoaiga e mafua ai ona oʻo atu se vaega o electrons i le anode pe a uma ona laʻititi le malosi, o le vevela o le pomu i luga o le substrate e le tele foi. E le gata i lea, ona o le electron e ala i tapulaʻa o le magnetic field target, i luga o le target o le aafiaga magnetic o le itulagi o loʻo i totonu o le discharge runway o lenei vaega laʻititi o le electron concentration e matua maualuga lava, ma i le aafiaga magnetic o le itulagi i fafo atu o le substrate surface, aemaise lava mamao ese mai le magnetic field lata ane i luga, o le electron concentration ona o le dispersion o le tufatufaina maualalo ma tutusa, ma e oʻo lava i le maualalo ifo nai lo le dipole sputtering conditions (ona o le eseesega o le mamafa o le kesi galue e lua o se faasologa o le tele). O le maualalo o le mafiafia o eletise e osofaʻia le fogāeleele o le substrate, o lea e mafua ai ona oso le vevela o le substrate ona o le maualalo o le siʻitia o le vevela, o le auala autū lea e faʻaitiitia ai le siʻitia o le vevela o le substrate e ala i le magnetron sputtering. E le gata i lea, afai e naʻo se fanua eletise, e oʻo atu eletise i le anode pe a uma se mamao puʻupuʻu, ma e naʻo le 63.8% le avanoa e fetoʻai ai ma le kesi galue. Ma faʻaopoopo i ai le fanua maneta, o eletise i le faagasologa o le agai atu i le anode e faia ai le gaioiga faʻataʻamilomilo, o le fanua maneta e fusifusia ma faʻalauteleina le ala o eletise, e faʻaleleia atili ai le avanoa e fetoʻai ai eletise ma kesi galue, lea e faʻateleina ai le tupu o le ionization, ionization ma toe gaosia ai eletise e auai foʻi i le faagasologa o le fetoʻai, e mafai ona faʻateleina le avanoa e fetoʻai ai i ni nai poloaiga o le tele, e faʻaaoga lelei ai le malosi o eletise, ma o lea i le fausiaina o le maualuga o le mafiafia O le mafiafia o le plasma e faʻateleina ai le faʻasaʻolotoina o le plasma. E faʻateleina foʻi le saoasaoa o le sasaina o atomu mai le sini, ma o le sasaina o target e mafua mai i le paʻuʻū o le sini e ions lelei e sili atu ona aoga, o le mafuaʻaga lea o le maualuga o le saoasaoa o le faʻaputuina o le magnetron sputtering. E le gata i lea, o le iai o le fanua maneta e mafai foʻi ona faʻagaoioia ai le faiga o le sasaina i le mamafa o le ea maualalo, o le mamafa o le ea maualalo e 1 e mafai ona faia ai ions i le vaega o le vaega o le ufiufi e faʻaitiitia ai le fetoʻai, sasaina o le sini i se malosiaga kinetic tele, ma le aso e mafai ai ona faʻaitiitia le sasaina o atomu sini ma le fetoʻai o le kesi neutral, e puipuia ai atomu sini mai le faʻasalalauina i le puipui o le masini poʻo le toe foʻi i luga o le sini, e faʻaleleia atili ai le saoasaoa ma le lelei o le faʻaputuina o ata manifinifi.

E mafai e le fanua maneta o le sini ona faʻatapulaʻaina lelei le ala o eletise, lea e aʻafia ai meatotino o le plasma ma le faʻapipiʻiina o ions i luga o le sini.

Fa'ailoga: fa'ateleina le tutusa o le fanua maneta o le sini e mafai ona fa'ateleina ai le tutusa o le valiina o le fogafale sini, ma fa'aleleia atili ai le fa'aaogaina o mea o le sini; o le tufatufaina talafeagai o le fanua eletise e mafai fo'i ona fa'aleleia atili ai le mautu o le fa'agasologa o le sputtering. O le mea lea, mo le magnetron sputtering target, o le tele ma le tufatufaina o le fanua maneta e matua taua tele.

–O lenei tusiga ua fa'asalalauina egaosi oloa masini ufiufi vacuumGuangdong Zhenhua