ماگنىت مەيدانىنىڭ ماگنىترون پۈركۈشتىكى رولى

ماگنىترون پۈركۈش ئاساسلىقى رازۋېدكا پلازما توشۇش، نىشاننى ئويۇش، نېپىز پەردە چۆكۈش قاتارلىق جەريانلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، ماگنىت مەيدانى ماگنىترون پۈركۈش جەريانىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ. ماگنىترون پۈركۈش سىستېمىسى ۋە تىك يۆنىلىشلىك ماگنىت مەيدانىدا، ئېلېكترونلار لورېنتىز كۈچىنىڭ رولىغا ئۇچرايدۇ ۋە سىپىرال يول ھەرىكىتىنى قىلىدۇ، ئاستا-ئاستا ئانودقا يۆتكىلىش ئۈچۈن ئۈزلۈكسىز سوقۇلۇشقا دۇچ كېلىشى كېرەك، سوقۇلۇش سەۋەبىدىن ئېلېكترونلارنىڭ بىر قىسمى ئانودقا يېتىپ بارغاندىن كېيىن ئېنېرگىيەسى كىچىك بولىدۇ، ئاساسىي قاتلامغا بومباردىمان قىلىش ئىسسىقلىقىمۇ چوڭ ئەمەس. بۇنىڭدىن باشقا، ئېلېكترون نىشان ماگنىت مەيدانى چەكلىمىسى سەۋەبىدىن، نىشان يۈزىدە رازۋېدكا يولى ئىچىدىكى رايوننىڭ ماگنىت تەسىرى بۇ يەرلىك كىچىك دائىرىدە ئېلېكترون قويۇقلۇقى ناھايىتى يۇقىرى بولىدۇ، ئاساسىي قاتلام يۈزىنىڭ سىرتىدىكى رايوننىڭ ماگنىت تەسىرىدە، بولۇپمۇ يۈزگە يېقىن ماگنىت مەيدانىدىن يىراق بولغان رايونلاردا، ئېلېكترون قويۇقلۇقىنىڭ تارقىلىشى خېلىلا تۆۋەن ۋە نىسبەتەن تەكشى، ھەتتا دىپول پۈركۈش شارائىتىدىنمۇ تۆۋەن بولىدۇ (ئىككى خىل ئىشلىگۈچى گاز بېسىمى پەرقى بىر دەرىجە پەرقى سەۋەبىدىن). ئاساسىي قاتلامنىڭ يۈزىگە بومباردىمان قىلىنىدىغان ئېلېكترونلارنىڭ زىچلىقى تۆۋەن، شۇڭا ماگنىتروننىڭ پۈركۈش ئاساسىي قاتلامنىڭ تېمپېراتۇرا ئۆرلىشىنىڭ ئاساسلىق مېخانىزمى بولغان تۆۋەن تېمپېراتۇرا ئۆرلىشىدىن كېلىپ چىققان ئاساسىي قاتلامنىڭ بومباردىمان قىلىنىشى تۆۋەن. بۇنىڭدىن باشقا، ئەگەر پەقەت ئېلېكتر مەيدانى بولسا، ئېلېكترونلار ناھايىتى قىسقا ئارىلىقتىن كېيىن ئانودقا يېتىپ بارىدۇ، ھەمدە ئىشلەيدىغان گاز بىلەن سوقۇلۇش ئېھتىماللىقى پەقەت %63.8 بولىدۇ. ماگنىت مەيدانىنى قوشقاندا، ئېلېكترونلار ئانودقا قاراپ يۆتكىلىپ، سىپىرال ھەرىكەت قىلىدۇ، ماگنىت مەيدانى ئېلېكترونلارنىڭ يولىنى باغلايدۇ ۋە كېڭەيتىدۇ، بۇ ئېلېكترونلار بىلەن ئىشلەيدىغان گازلارنىڭ سوقۇلۇش ئېھتىماللىقىنى زور دەرىجىدە ياخشىلايدۇ، بۇ ئىئونلىشىشنىڭ يۈز بېرىشىنى زور دەرىجىدە ئىلگىرى سۈرىدۇ، ئىئونلىشىش ئاندىن ئېلېكترونلارنى ھاسىل قىلىدۇ، سوقۇلۇش جەريانىغا قوشۇلىدۇ، سوقۇلۇش ئېھتىماللىقىنى بىر قانچە دەرىجە ئاشۇرغىلى بولىدۇ، ئېلېكترونلارنىڭ ئېنېرگىيەسىدىن ئۈنۈملۈك پايدىلىنىشقا بولىدۇ، شۇڭا يۇقىرى زىچلىقتىكى پلازما زىچلىقى ئاشىدۇ، پلازمانىڭ نورمالسىز پارقىراقلىق قويۇپ بېرىلىشى. نىشاندىن ئاتوملارنىڭ چىقىپ كېتىش سۈرئىتىمۇ ئاشىدۇ، نىشانغا مۇسبەت ئىئونلارنىڭ بومباردىمان قىلىشىدىن كېلىپ چىققان نىشاننىڭ چاچرىشى تېخىمۇ ئۈنۈملۈك بولۇپ، بۇ ماگنىتروننىڭ چاچرىشىنىڭ يۇقىرى سۈرئىتىنىڭ سەۋەبى. بۇنىڭدىن باشقا، ماگنىت مەيدانىنىڭ مەۋجۇتلۇقى چاچرىشىش سىستېمىسىنىڭ تۆۋەن ھاۋا بېسىمى، تۆۋەن ھاۋا بېسىمى 1 دە ئىشلىشىگە سەۋەب بولۇپ، غىلاپ قەۋىتى رايونىدا ئىئونلارنىڭ سوقۇلۇشنى ئازايتىشى، نىشانغا نىسبەتەن چوڭ كىنېتىك ئېنېرگىيە بىلەن بومباردىمان قىلىنىشى ۋە چاچرىغان نىشان ئاتوملىرى ۋە نېيترال گاز سوقۇلۇشىنى ئازايتىش، نىشان ئاتوملىرىنىڭ ئۈسكۈنىنىڭ تېمىغا چېچىلىپ كېتىشىنىڭ ياكى نىشان يۈزىگە قايتىپ كېلىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىش، نېپىز پەردە چۆكۈش سۈرئىتى ۋە سۈپىتىنى ياخشىلاشقا ياردەم بېرىدۇ.

نىشان ماگنىت مەيدانى ئېلېكترونلارنىڭ ھەرىكىتىنى ئۈنۈملۈك چەكلەپ، پلازما خۇسۇسىيىتى ۋە نىشاندىكى ئىئونلارنىڭ ئويۇلۇشىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ.

ئىز قوغلاش: نىشان ماگنىت مەيدانىنىڭ بىردەكلىكىنى ئاشۇرۇش نىشان يۈزىنىڭ ئويۇشنىڭ بىردەكلىكىنى ئاشۇرالايدۇ، شۇڭا نىشان ماتېرىيالىنىڭ ئىشلىتىلىشىنى ياخشىلىيالايدۇ؛ ئېلېكترو ماگنىت مەيدانىنىڭ مۇۋاپىق تەقسىملىنىشى پۈركۈش جەريانىنىڭ مۇقىملىقىنى ئۈنۈملۈك ياخشىلىيالايدۇ. شۇڭا، ماگنىترون پۈركۈش نىشانى ئۈچۈن، ماگنىت مەيدانىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ۋە تەقسىملىنىشى ئىنتايىن مۇھىم.

– بۇ ماقالە نەشر قىلغۇچى تەرىپىدىن تارقىتىلدىۋاكۇئۇم قاپلاش ماشىنىسى ئىشلەپچىقارغۇچىگۇاڭدۇڭ جېنخۇا