Магнетрон сиптерү, нигездә, разряд плазмасын ташу, максатны эшкәртү, юка пленка урнаштыру һәм башка процессларны үз эченә ала, магнетрон сиптерү процессына магнит кыры йогынты ясаячак. Магнетрон сиптерү системасында һәм ортогональ магнит кырында электроннар Лоренц көче роленә буйсына һәм спираль траектория хәрәкәтен башкара, анодка әкренләп күчү өчен даими бәрелешкә дучар булырга тиеш, бәрелү аркасында электроннарның бер өлеше анодка барып җиткәч, энергия аз була, субстратка бомбага тоту җылылыгы да зур түгел. Моннан тыш, электронның максат магнит кыры чикләүләре аркасында, разряд полосасы эчендәге өлкәнең магнит эффекты бу локаль кечкенә диапазоны бик югары, һәм субстрат өслегеннән тыш өлкәнең магнит эффектында, бигрәк тә өслеккә якын магнит кырыннан еракта, электрон концентрациясе дисперсия аркасында күпкә түбәнрәк һәм чагыштырмача тигез таралышка, хәтта диполь сиптерү шартларыннан да түбәнрәк (ике эш газы басымы аермасы аркасында). Электроннарның тыгызлыгы түбән, шуңа күрә субстратның түбән температура күтәрелүе нәтиҗәсендә барлыкка килгән субстратның бомбага тотылуы түбән, бу магнетрон сиптерүенең төп механизмы булып тора. Моннан тыш, әгәр электр кыры гына булса, электроннар бик кыска ара үткәннән соң анодка барып җитәләр, һәм эшче газ белән бәрелешү ихтималы нибары 63,8% тәшкил итә. Магнит кырын өстәсәк, электроннар анодка күчү процессында спираль хәрәкәт ясыйлар, магнит кыры электроннарның траекториясен бәйләп, сузалар, электроннар һәм эшче газларның бәрелешү ихтималын сизелерлек яхшырта, бу ионлашу барлыкка килүенә зур йогынты ясый, ионлашу һәм аннары электроннар барлыкка килү процессына кушылу, бәрелешү ихтималын берничә тапкыр арттырырга мөмкин, электроннар энергиясен нәтиҗәле кулланырга һәм шулай итеп югары тыгызлык формалашуына китерә. Плазма тыгызлыгы плазманың аномаль балкыш разряды белән арта. Максаттан атомнарның сиптерү тизлеге дә арта, һәм максатны уңай ионнар белән бомбага тоту нәтиҗәсендә максатның сиптерүе нәтиҗәлерәк, бу магнетрон сиптерүенең югары тизлегенең сәбәбе. Моннан тыш, магнит кыры булу сиптерү системасын түбән һава басымында, түбән һава басымында 1 дә эшләтергә мөмкин, бу бәрелүне киметү өчен тышлык катламы өлкәсендә ионнар барлыкка китерергә, максатны чагыштырмача зур кинетик энергия белән бомбага тотуга һәм сиптерелгән максат атомнарын һәм нейтраль газ бәрелешен киметергә, максат атомнарының җайланма стенасына сибелүен яки максат өслегенә кире кайтуын булдырмаска, юка пленка утырту тизлеген һәм сыйфатын яхшыртырга мөмкинлек бирә.
Максат магнит кыры электроннарның траекториясен нәтиҗәле рәвештә чикли ала, бу үз чиратында плазма үзлекләренә һәм максаттагы ионнарның йомшаруына тәэсир итә.
Эзләү: максатлы магнит кырының бердәмлеген арттыру максатлы өслекнең гофрлау бердәмлеген арттырырга мөмкин, шуның белән максатлы материалны куллануны яхшырта ала; электромагнит кырның акыллы бүленеше шулай ук сиптерү процессының тотрыклылыгын нәтиҗәле рәвештә яхшырта ала. Шуңа күрә, магнетрон сиптерү максатлы өчен магнит кырының зурлыгы һәм бүленеше бик мөһим.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 14 декабре