Ionenstrahl-assistéiert Oflagerungstechnologie ass d'Ionenstrahl-Injektiouns- a Gasoflagerungsbeschichtungstechnologie, déi mat der Ionenoberflächenkompositveraarbechtungstechnologie kombinéiert gëtt. Beim Prozess vun der Uewerflächenmodifikatioun vun ioneninjezéierte Materialien, egal ob Hallefleedermaterialien oder Ingenieursmaterialien, ass et dacks gewënscht, datt d'Dicke vun der modifizéierter Schicht vill méi grouss ass wéi déi vun der Ionenimplantatioun, awer och d'Virdeeler vum Ioneninjektiounsprozess wëllen erhalen, sou wéi d'modifizéiert Schicht tëscht der schaarfer Grenzfläche an dem Substrat, déi bei Raumtemperatur vum Werkstéck veraarbecht ka ginn, asw. Dofir ginn, andeems d'Ionenimplantatioun mat der Beschichtungstechnologie kombinéiert gëtt, Ionen mat enger bestëmmter Energie kontinuéierlech an d'Grenzfläche tëscht dem Film an dem Substrat injizéiert wärend der Beschichtung, an d'Grenzflächenatome ginn mat Hëllef vu Kaskadekollisiounen gemëscht, wouduerch eng Atommëschungsiwwergangszon no bei der initialer Grenzfläche entsteet fir d'Bindungskraaft tëscht dem Film an dem Substrat ze verbesseren. Dann, an der Atommëschungszon, wiisst de Film mat der erfuerderlecher Dicke an Eegeschafte weider mat der Participatioun vum Ionenstrahl.
Dëst nennt sech Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung (IBED), déi d'Charakteristike vum Ionenimplantatiounsprozess erhält, während se gläichzäiteg de Substrat mat engem dënnen Filmmaterial beschichtet ka ginn, dat komplett anescht ass wéi de Substrat.
Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung huet déi folgend Virdeeler.
(1) Well d'Oflagerung duerch Ionenstrahlen Plasma ouni Gasentladung generéiert, kann d'Beschichtung bei engem Drock vu <10⁻² Pa duerchgefouert ginn, wouduerch d'Gaskontaminatioun reduzéiert gëtt.
(2) Déi grondleeënd Prozessparameter (Ionenenergie, Ionendichte) sinn elektresch. Am Allgemengen ass et net néideg, de Gasfloss an aner net-elektresch Parameteren ze kontrolléieren, Dir kënnt d'Wuesstum vun der Filmschicht einfach kontrolléieren, d'Zesummesetzung an d'Struktur vum Film upassen, fir d'Widderhuelbarkeet vum Prozess einfach ze garantéieren.
(3) D'Uewerfläch vum Werkstéck kann mat enger Folie beschichtet ginn, déi komplett anescht ass wéi de Substrat, an d'Déckt ass net duerch d'Energie vun de Bombardementionen bei niddreger Temperatur (<200℃) limitéiert. Et ass gëeegent fir d'Uewerflächenbehandlung vun dotierten funktionelle Folien, kalbearbechte Präzisiounsformen a bei niddreger Temperatur gehärtetem Strukturstol.
(4) Et ass e Prozess am Net-Gläichgewiicht, deen bei Raumtemperatur kontrolléiert gëtt. Nei funktionell Filmer wéi Héichtemperaturphasen, substabil Phasen, amorph Legierungen, etc. kënnen bei Raumtemperatur kritt ginn.
D'Nodeeler vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung sinn.
(1) Well den Ionenstrahl direkt Stralungseigenschaften huet, ass et schwéier mat der komplexer Uewerflächenform vum Werkstéck ëmzegoen.
(2) Et ass schwéier mat groussen a groussflächege Werkstécker ëmzegoen, well d'Gréisst vum Ionenstrahlstroum limitéiert ass.
(3) D'Oflagerungsquote mat Hëllef vun Ionenstrahlen ass normalerweis ongeféier 1 nm/s, wat fir d'Virbereedung vun dënnen Schichten gëeegent ass, an net fir d'Beschichtung vu grousse Quantitéite vu Produkter gëeegent ass.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. November 2023