A tecnulugia di deposizione assistita da fasciu ionicu hè a tecnulugia di rivestimentu per deposizione di fasciu ionicu è deposizione di vapore cumminata cù a tecnulugia di trasfurmazione cumposta di superficia ionica. In u prucessu di mudificazione di a superficia di i materiali iniettati cù ioni, sianu materiali semiconduttori o materiali d'ingegneria, hè spessu desideratu chì u spessore di u stratu mudificatu sia assai più grande di quellu di l'impiantu ionicu, ma si vole ancu mantene i vantaghji di u prucessu di iniezione di ioni, cum'è u stratu mudificatu è u substratu trà l'interfaccia affilata, pò esse trasfurmatu à temperatura ambiente di u pezzu di travagliu, è cusì. Dunque, cumbinendu l'impiantu ionicu cù a tecnulugia di rivestimentu, l'ioni cù una certa energia sò iniettati continuamente in l'interfaccia trà u filmu è u substratu mentre si rivestimenta, è l'atomi interfacciali sò mischiati cù l'aiutu di collisioni in cascata, furmendu una zona di transizione di mischju di l'atomi vicinu à l'interfaccia iniziale per migliurà a forza di legame trà u filmu è u substratu. Dopu, nantu à a zona di mischju di l'atomi, u filmu cù u spessore è e proprietà richieste cuntinueghja à cresce cù a participazione di u fasciu ionicu.
Questu hè chjamatu Deposizione Assistita da Fascio Ionico (IBED), chì conserva e caratteristiche di u prucessu di impiantazione ionica mentre permette à u substratu di esse rivestitu cù un materiale di film sottile chì hè cumpletamente differente da u substratu.
A deposizione assistita da fasciu ionicu hà i seguenti vantaghji.
(1) Siccomu a deposizione assistita da fasciu ionicu genera plasma senza scarica di gas, u rivestimentu pò esse realizatu à una pressione di <10-2 Pa, riducendu a contaminazione di gas.
(2) I parametri di basa di u prucessu (energia ionica, densità ionica) sò elettrici. In generale, ùn hè micca necessariu cuntrullà u flussu di gasu è altri parametri non elettrici, pudete facilmente cuntrullà a crescita di u stratu di film, aghjustà a cumpusizione è a struttura di u film, faciule per assicurà a ripetibilità di u prucessu.
(3) A superficia di a pezza pò esse rivestita cù una pellicola chì hè cumpletamente diversa da u sustratu è u spessore ùn hè micca limitatu da l'energia di l'ioni di bombardamentu à bassa temperatura (<200 ℃). Hè adattatu per u trattamentu superficiale di pellicole funziunali drogate, stampi di precisione lavorati à fretu è acciaio strutturale temperatu à bassa temperatura.
(4) Hè un prucessu fora di equilibriu cuntrullatu à temperatura ambiente. Novi filmi funziunali cum'è fasi à alta temperatura, fasi sustabili, leghe amorfe, ecc. ponu esse ottenuti à temperatura ambiente.
I svantaghji di a deposizione assistita da fasciu ionicu sò.
(1) Siccomu u fasciu di ioni hà caratteristiche di radiazione diretta, hè difficiule di trattà cù a forma cumplessa di a superficia di a pezza.
(2) Hè difficiule di trattà pezzi di travagliu di grande scala è di grande superficia per via di a limitazione di a dimensione di u flussu di fasciu ionicu.
(3) A velocità di deposizione assistita da fasciu ionicu hè generalmente intornu à 1 nm/s, chì hè adatta per a preparazione di strati di film sottili, è ùn hè micca adatta per a placcatura di grandi quantità di prudutti.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 16 di nuvembre di u 2023