Ion beam የታገዘ የማስቀመጫ ቴክኖሎጂ

Ion beam የታገዘ የማስቀመጫ ቴክኖሎጂ የ ion beam injection and vapor deposition coating ቴክኖሎጂ ከ ion surface composite processing ቴክኖሎጂ ጋር ተጣምሮ ነው። ላይ ላዩን ማሻሻያ ሂደት ውስጥ አዮን መርፌ ቁሳቁሶች, ሴሚኮንዳክተር ዕቃዎች ወይም የምህንድስና ቁሳቁሶች, ብዙውን ጊዜ የሚፈለግ ነው የተቀየረበት ንብርብር ውፍረት ion implantation ይልቅ እጅግ የሚበልጥ ነው, ነገር ግን ደግሞ እንደ የተቀየረበት ንብርብር እና ስለታም በይነገጽ መካከል substrate, በክፍሉ የሙቀት workpiece ላይ ሊሰራ ይችላል, እና እንደ እንዲሁ ላይ አዮን መርፌ ሂደት ያለውን ጥቅም ለመጠበቅ ይፈልጋሉ. ስለዚህ, ion implantation ልባስ ቴክኖሎጂ ጋር በማጣመር, አንድ የተወሰነ ኃይል ጋር አየኖች ያለማቋረጥ ሽፋን ጊዜ ፊልም እና substrate መካከል ያለውን በይነገጽ ውስጥ በመርፌ ነው, እና interfacial አተሞች ወደ ካስኬድ ግጭት እርዳታ ጋር ተደባልቆ ነው, የመጀመሪያው በይነገጽ አጠገብ አቶም መቀላቀልን ሽግግር ዞን ከመመሥረት, ፊልም እና substrate መካከል ያለውን ትስስር ኃይል ለማሻሻል. ከዚያም በአቶም ማደባለቅ ዞን ላይ የሚፈለገው ውፍረት እና ባህሪያት ያለው ፊልም በ ion beam ተሳትፎ ማደጉን ይቀጥላል.

ይህ Ion Beam Assisted Deposition (IBED) ተብሎ የሚጠራ ሲሆን ይህም የ ion ተከላ ሂደት ባህሪያትን የሚይዝ ሲሆን ይህም ንጣፉን ከስር መሰረቱ ሙሉ በሙሉ በተለየ ቀጭን ፊልም እንዲሸፍን ያስችለዋል.

Ion beam የታገዘ ማስቀመጫ የሚከተሉት ጥቅሞች አሉት።

(1) የ ion beam አጋዥ ማስቀመጫ ፕላዝማን ያለ ጋዝ ፈሳሽ ስለሚያመነጭ, ሽፋን በ <10-2 ፒኤኤ ግፊት, የጋዝ ብክለትን ይቀንሳል.

(2) መሰረታዊ የሂደቱ መለኪያዎች (ion energy, ion density) ኤሌክትሪክ ናቸው. በአጠቃላይ የጋዝ ፍሰትን እና ሌሎች የኤሌክትሪክ ያልሆኑ መለኪያዎችን መቆጣጠር አያስፈልግም, የፊልም ንብርብር እድገትን በቀላሉ መቆጣጠር, የፊልም ቅንብርን እና መዋቅርን ማስተካከል, የሂደቱን ተደጋጋሚነት ለማረጋገጥ ቀላል ነው.

(3) የ workpiece ላይ ላዩን substrate ፈጽሞ የተለየ ፊልም ጋር ሊሸፈን ይችላል እና ውፍረት ዝቅተኛ የሙቀት (<200 ℃) ላይ ቦምብ አየኖች ኃይል የተገደበ አይደለም. ይህ doped ተግባራዊ ፊልሞች ላይ ላዩን ህክምና ተስማሚ ነው, ቀዝቃዛ ማሽን ትክክለኛነትን ሻጋታ እና ዝቅተኛ የሙቀት አማቂ መዋቅራዊ ብረት.

(4) በክፍል ሙቀት ቁጥጥር የሚደረግበት ሚዛናዊ ያልሆነ ሂደት ነው። እንደ ከፍተኛ ሙቀት ደረጃዎች, የማይነቃነቁ ደረጃዎች, የአሞርፊክ ውህዶች, ወዘተ የመሳሰሉ አዳዲስ ተግባራዊ ፊልሞች በክፍል ሙቀት ውስጥ ሊገኙ ይችላሉ.

የ ion beam የታገዘ ማስቀመጫ ጉዳቶቹ ናቸው።

(1) የ ion ጨረር ቀጥተኛ የጨረር ባህሪያት ስላለው, ውስብስብ የሆነውን የስራውን ገጽታ ለመቋቋም አስቸጋሪ ነው

(2) የ ion ጨረሮች ዥረት መጠን በመገደቡ ምክንያት መጠነ-ሰፊ እና ሰፊ የሥራ ክፍሎችን ለመቋቋም አስቸጋሪ ነው.

(3) የ ion beam የታገዘ የማስቀመጫ መጠን ብዙውን ጊዜ ወደ 1nm / ሰ ነው, ይህም ቀጭን ፊልም ንብርብሮችን ለማዘጋጀት ተስማሚ ነው, እና ከፍተኛ መጠን ያላቸውን ምርቶች ለመትከል ተስማሚ አይደለም.

- ይህ ጽሑፍ የተለቀቀው በየቫኩም ሽፋን ማሽን አምራችጓንግዶንግ ዠንዋ