Có hai chế độ chính của lắng đọng hỗ trợ chùm ion, một là lai động; chế độ còn lại là lai tĩnh. Chế độ trước đây ám chỉ màng trong quá trình phát triển luôn đi kèm với một năng lượng và dòng chùm nhất định của sự bắn phá ion và màng; chế độ sau được lắng đọng trước trên bề mặt của chất nền một lớp có độ dày nhỏ hơn vài nanomet của lớp màng, sau đó là sự bắn phá ion động, và có thể được lặp lại nhiều lần và sự phát triển của lớp màng.
Năng lượng chùm ion được chọn để lắng đọng hỗ trợ chùm ion của màng mỏng nằm trong khoảng từ 30 eV đến 100 keV. Phạm vi năng lượng được chọn phụ thuộc vào loại ứng dụng mà màng đang được tổng hợp. Ví dụ, việc chuẩn bị bảo vệ chống ăn mòn, chống mài mòn cơ học, lớp phủ trang trí và các màng mỏng khác nên được chọn năng lượng bắn phá cao hơn. Các thí nghiệm cho thấy rằng, chẳng hạn như việc lựa chọn năng lượng bắn phá chùm ion từ 20 đến 40keV, vật liệu nền và bản thân màng sẽ không ảnh hưởng đến hiệu suất và việc sử dụng hư hỏng. Trong quá trình chuẩn bị màng mỏng cho các thiết bị quang học và điện tử, nên chọn lắng đọng hỗ trợ chùm ion năng lượng thấp hơn, điều này không chỉ làm giảm sự hấp phụ ánh sáng và tránh hình thành các khuyết tật được kích hoạt bằng điện mà còn tạo điều kiện cho việc hình thành cấu trúc trạng thái ổn định của màng. Các nghiên cứu đã chỉ ra rằng có thể thu được các màng có đặc tính tuyệt vời bằng cách chọn năng lượng ion thấp hơn 500 eV.
– Bài viết này được phát hành bởinhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng: 11-03-2024