Membrana atomlarining cho'kishi boshlanganda, ion bombardimoni membrana/substrat interfeysiga quyidagi ta'sir ko'rsatadi.
(1) Fizik aralashtirish. Yuqori energiyali ion in'ektsiyasi, cho'ktirilgan atomlarning chayqalishi va sirt atomlarining orqaga qaytishi hamda kaskad to'qnashuvi hodisasi tufayli substrat elementlari va membrana elementlarining membrana/asos interfeysining yaqin sirt maydoni diffuziyasiz aralashtirish jarayoniga olib keladi, bu aralashtirish effekti membrana/asos interfeysi "soxta diffuziya qatlami", ya'ni membrana/asos interfeysi orasidagi o'tish qatlamining shakllanishiga yordam beradi, qalinligi bir necha mikrongacha. Qalinligi bir necha mikrometrgacha bo'lgan, hatto yangi fazalar paydo bo'lishi mumkin. Bu membrana/asos interfeysining yopishish kuchini oshirish uchun juda foydali.
(2) Kuchaytirilgan diffuziya. Sirtga yaqin mintaqadagi yuqori nuqson konsentratsiyasi va yuqori harorat diffuziya tezligini oshiradi. Sirt nuqta nuqsoni bo'lgani uchun, kichik ionlar sirtni og'dirishga moyil bo'ladi va ion bombardimoni sirt og'ishini yanada kuchaytiradi va cho'ktirilgan va substrat atomlarining o'zaro diffuziyasini kuchaytiradi.
(3) Yaxshilangan yadrolanish rejimi. Substrat yuzasida kondensatsiyalangan atomning xususiyatlari uning sirt o'zaro ta'siri va sirtdagi migratsiya xususiyatlari bilan belgilanadi. Agar kondensatsiyalangan atom va substrat yuzasi o'rtasida kuchli o'zaro ta'sir bo'lmasa, atom yuqori energiyali holatda yadrolanmaguncha yoki boshqa diffuziyalanuvchi atomlar bilan to'qnashguncha sirtda tarqaladi. Yadrolanishning bu rejimi reaktiv bo'lmagan yadrolanish deb ataladi. Asl nusxasi reaktiv bo'lmagan yadrolanish rejimiga tegishli bo'lsa ham, substrat yuzasini ion bombardimon qilish orqali ko'proq nuqsonlar paydo bo'lishi mumkin, bu esa yadrolanish zichligini oshiradi, bu esa diffuziya - reaktiv yadrolanish rejimining shakllanishiga ko'proq yordam beradi.
(4) Bo'shashgan atomlarni afzal ko'rish orqali olib tashlash. Sirt atomlarining chayqalishi mahalliy bog'lanish holati bilan belgilanadi va sirtni ion bombardimon qilish bo'shashgan bog'langan atomlarni chayqash ehtimoli ko'proq. Bu ta'sir diffuziya-reaktiv interfeyslarni hosil qilishda ko'proq namoyon bo'ladi.
(5) Sirt qoplamasini yaxshilash va qoplama bypassni yaxshilash. Ion qoplamasining yuqori ishchi gaz bosimi tufayli bug'langan yoki purkalgan atomlar sochilishni kuchaytirish uchun gaz atomlari bilan to'qnashuvga uchraydi, natijada qoplamaning yaxshi o'rash xususiyatlariga ega bo'ladi.
–Ushbu maqola nashr etilganvakuumli qoplama mashinasi ishlab chiqaruvchisiGuangdong Chjenxua
Nashr vaqti: 2023-yil 9-dekabr