जेव्हा पडद्याच्या अणूंचे निक्षेपण सुरू होते, तेव्हा आयन बॉम्बार्डमेंटमुळे पडदा/सबस्ट्रेट इंटरफेसवर खालील परिणाम होतात.
(१) भौतिक मिश्रण. उच्च-ऊर्जा आयन इंजेक्शन, जमा झालेल्या अणूंचे स्पटरिंग, पृष्ठभागावरील अणूंचे रिकॉइल इंजेक्शन आणि कॅस्केड टक्कर घटनेमुळे, सबस्ट्रेट घटक आणि मेम्ब्रेन घटकांच्या मेम्ब्रेन/बेस इंटरफेसच्या पृष्ठभागाजवळील भागात नॉन-डिफ्यूजन मिश्रण होते. हा मिश्रणाचा परिणाम मेम्ब्रेन/बेस इंटरफेसवर "स्यूडो-डिफ्यूजन लेयर" तयार होण्यास अनुकूल असतो, म्हणजेच, मेम्ब्रेन/बेस इंटरफेस दरम्यानचा एक संक्रमण थर, जो काही मायक्रॉन ते काही मायक्रोमीटर जाडीचा असतो, ज्यामध्ये नवीन फेजेस देखील दिसू शकतात. हे मेम्ब्रेन/बेस इंटरफेसची आसंजन शक्ती सुधारण्यासाठी खूप अनुकूल आहे.
(2) वर्धित विसरण. पृष्ठभागाजवळील प्रदेशातील दोषांची उच्च घनता आणि उच्च तापमान विसरणाचा दर वाढवतात. पृष्ठभाग हा एक बिंदू दोष असल्याने, लहान आयनांमध्ये पृष्ठभागाला विचलित करण्याची प्रवृत्ती असते, आणि आयन मारा पृष्ठभागाचे विचलन आणखी वाढवण्याचा आणि निक्षेपित व आधारभूत अणूंच्या परस्पर विसरणाला चालना देण्याचा परिणाम साधतो.
(3) सुधारित न्यूक्लिएशन पद्धत. सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर संघनित झालेल्या अणूचे गुणधर्म हे त्याच्या पृष्ठभागावरील आंतरक्रियेवर आणि पृष्ठभागावरील त्याच्या स्थलांतर गुणधर्मांवर अवलंबून असतात. जर संघनित अणू आणि सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागामध्ये तीव्र आंतरक्रिया नसेल, तर तो अणू उच्च-ऊर्जा स्थितीवर न्यूक्लिएट होईपर्यंत किंवा इतर विसरित होणाऱ्या अणूंशी टक्कर होईपर्यंत पृष्ठभागावर विसरित होईल. न्यूक्लिएशनच्या या पद्धतीला अप्रतिक्रियात्मक न्यूक्लिएशन म्हणतात. जरी मूळ प्रकरण अप्रतिक्रियात्मक न्यूक्लिएशन पद्धतीचे असले तरी, सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर आयन बॉम्बार्डमेंटद्वारे अधिक दोष निर्माण केले जाऊ शकतात, ज्यामुळे न्यूक्लिएशन घनता वाढते, जे विसरण – प्रतिक्रियात्मक न्यूक्लिएशन पद्धतीच्या निर्मितीसाठी अधिक अनुकूल आहे.
(4) सैलपणे जोडलेल्या अणूंचे प्राधान्यक्रमाने निष्कासन. पृष्ठभागावरील अणूंचे स्फटन हे स्थानिक बंध स्थितीवर अवलंबून असते, आणि पृष्ठभागावर आयनचा मारा केल्यास सैलपणे जोडलेले अणू स्फटन होऊन बाहेर पडण्याची अधिक शक्यता असते. हा परिणाम विसरण-अभिक्रियाशील आंतरपृष्ठांच्या निर्मितीमध्ये अधिक ठळकपणे दिसून येतो.
(5) पृष्ठभागावरील आच्छादनात सुधारणा आणि प्लेटिंग बायपासमध्ये वाढ. आयन प्लेटिंगच्या उच्च कार्यकारी वायू दाबामुळे, बाष्पीभवन झालेले किंवा स्फुटित झालेले अणू वायूच्या अणूंशी टक्कर देतात, ज्यामुळे विकिरण वाढते आणि परिणामी कोटिंगला चांगले वेष्टन गुणधर्म मिळतात.
हा लेख यांनी प्रसिद्ध केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन उत्पादकग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट करण्याची वेळ: ०९-डिसेंबर-२०२३