Qattiq qoplamalarni yotqizishning an'anaviy usullari

1. Termal CVD texnologiyasi

Qattiq qoplamalar asosan metall keramik qoplamalar (TiN va boshqalar) bo'lib, ular qoplamadagi metallning reaksiyasi va reaktiv gazifikatsiya natijasida hosil bo'ladi. Dastlab, termal CVD texnologiyasi 1000 ℃ yuqori haroratda issiqlik energiyasi bilan kombinatsiya reaksiyasining faollashuv energiyasini ta'minlash uchun ishlatilgan. Bu harorat faqat sementlangan karbid asboblariga TiN va boshqa qattiq qoplamalarni qo'llash uchun mos keladi. Hozircha u hali ham sementlangan karbid asbob boshlariga TiN – Al2O3 kompozit qoplamalarini qo'llashning muhim texnologiyasi hisoblanadi.

1. Bo'sh katod ion qoplamasi va issiq simli yoy ion qoplamasi

1980-yillarda qoplangan kesish asboblarini yotqizish uchun ichi bo'sh katod ion qoplamasi va issiq simli yoy ion qoplamasi ishlatilgan. Bu ikkala ion qoplama texnologiyasi ham yoy zaryadsizlanishi ion qoplama texnologiyalari bo'lib, metall ionlanish darajasi 20% ~ 40% gacha.

1. Katod yoyli ion qoplamasi

Katod yoyli ionli qoplamaning paydo bo'lishi qoliplarga qattiq qoplamalarni qo'yish texnologiyasining rivojlanishiga olib keldi. Katod yoyli ionli qoplamaning ionlanish darajasi 60% ~ 90% ni tashkil qiladi, bu esa ko'p miqdordagi metall ionlari va reaksiya gazi ionlarining ish qismi yuzasiga yetib borishiga va yuqori faollikni saqlab qolishiga imkon beradi, natijada reaksiya cho'kishi va TiN kabi qattiq qoplamalar hosil bo'ladi. Hozirgi vaqtda katod yoyli ionli qoplama texnologiyasi asosan qoliplarga qattiq qoplamalarni qo'yish uchun ishlatiladi.

Katod yoy manbai - bu qattiq eritilgan hovuzsiz qattiq holatdagi bug'lanish manbai bo'lib, yoy manbai pozitsiyasini o'zboshimchalik bilan joylashtirish mumkin, bu qoplama xonasining joydan foydalanish tezligini yaxshilaydi va pechning yuklash qobiliyatini oshiradi. Katod yoy manbalarining shakllari kichik dumaloq katod yoy manbalari, ustunli yoy manbalari va to'rtburchaklar yassi katta yoy manbalarini o'z ichiga oladi. Kichik yoy manbalari, ustunli yoy manbalari va katta yoy manbalarining turli komponentlari ko'p qatlamli plyonkalar va nano ko'p qatlamli plyonkalarni yotqizish uchun alohida joylashtirilishi mumkin. Shu bilan birga, katod yoy ion qoplamasining yuqori metall ionlanish tezligi tufayli metall ionlari ko'proq reaksiya gazlarini yutishi mumkin, bu esa keng jarayon diapazoni va ajoyib qattiq qoplamalarni olish uchun oddiy operatsiyani ta'minlaydi. Biroq, katod yoy ion qoplamasi orqali olingan qoplama qatlamining mikro tuzilishida qo'pol tomchilar mavjud. So'nggi yillarda plyonka qatlamining tuzilishini takomillashtirish uchun ko'plab yangi texnologiyalar paydo bo'ldi, bu esa yoy ion qoplama plyonkasining sifatini yaxshiladi.