บทนำสู่เทคโนโลยีฟิล์มบางโซลาร์เซลล์

หลังจากการค้นพบเอฟเฟกต์โฟโตวอลตาอิคในยุโรปในปี 1863 สหรัฐอเมริกาได้สร้างเซลล์โฟโตวอลตาอิคเซลล์แรกด้วย (Se) ในปี 1883 ในยุคแรก เซลล์โฟโตวอลตาอิคส่วนใหญ่ใช้ในอวกาศ การทหาร และสาขาอื่นๆ ในช่วง 20 ปีที่ผ่านมา ต้นทุนของเซลล์โฟโตวอลตาอิคที่ลดลงอย่างรวดเร็วได้ส่งเสริมการใช้เซลล์โฟโตวอลตาอิคพลังงานแสงอาทิตย์อย่างแพร่หลายทั่วโลก ณ สิ้นปี 2019 กำลังการผลิตติดตั้งทั้งหมดของโซลาร์เซลล์ PV ทั่วโลกสูงถึง 616GW และคาดว่าจะถึง 50% ของการผลิตไฟฟ้าทั้งหมดของโลกภายในปี 2050 เนื่องจากการดูดซับแสงโดยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์โฟโตวอลตาอิคส่วนใหญ่เกิดขึ้นในช่วงความหนาไม่กี่ไมครอนถึงหลายร้อยไมครอน และอิทธิพลของพื้นผิวของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ต่อประสิทธิภาพของแบตเตอรี่มีความสำคัญมาก เทคโนโลยีฟิล์มบางสูญญากาศจึงใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์

เซลล์แสงอาทิตย์แบบอุตสาหกรรมแบ่งออกเป็นสองประเภทหลักๆ คือ เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนแบบผลึก และเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง เทคโนโลยีเซลล์ซิลิคอนแบบผลึกล่าสุด ได้แก่ เทคโนโลยีตัวปล่อยพลังงานแบบพาสซีฟและเซลล์ด้านหลัง (PERC) เทคโนโลยีเซลล์เฮเทอโรจันก์ชัน (HJT) เทคโนโลยีการแพร่กระจายแบบเต็มพื้นผิวด้านหลังของตัวปล่อยพลังงานแบบพาสซีฟ (PERT) และเทคโนโลยีเซลล์แบบสัมผัสเจาะออกไซด์ (Topcn) หน้าที่ของฟิล์มบางในเซลล์ซิลิคอนแบบผลึก ได้แก่ การทำให้เป็นพาสซีฟ ป้องกันการสะท้อน การเจือปน p/n และการนำไฟฟ้า เทคโนโลยีแบตเตอรี่แบบฟิล์มบางกระแสหลัก ได้แก่ แคดเมียมเทลลูไรด์ คอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมเซเลไนด์ แคลไซต์ และเทคโนโลยีอื่นๆ ฟิล์มนี้ใช้เป็นชั้นดูดซับแสง ชั้นนำไฟฟ้า เป็นต้น เทคโนโลยีฟิล์มบางสูญญากาศต่างๆ ถูกนำมาใช้ในการเตรียมฟิล์มบางในเซลล์แสงอาทิตย์

เจิ้นฮวาสายการผลิตสารเคลือบโซล่าเซลล์การแนะนำ:

คุณสมบัติของอุปกรณ์:

1. ใช้โครงสร้างแบบโมดูลาร์ ซึ่งสามารถเพิ่มขนาดห้องตามความต้องการในการทำงานและประสิทธิภาพ ซึ่งสะดวกและยืดหยุ่น

2. สามารถตรวจสอบกระบวนการผลิตได้อย่างเต็มที่ และสามารถติดตามพารามิเตอร์กระบวนการได้ ซึ่งสะดวกในการติดตามการผลิต

4. ชั้นวางวัสดุสามารถส่งคืนโดยอัตโนมัติ และการใช้ตัวควบคุมสามารถเชื่อมต่อกระบวนการก่อนหน้าและกระบวนการถัดไปได้ ลดต้นทุนแรงงาน เพิ่มประสิทธิภาพการทำงานในระดับสูง ประหยัดพลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงานของเครื่องจักร

เหมาะสำหรับ Ti, Cu, Al, Cr, Ni, Ag, Sn และโลหะธาตุอื่นๆ และถูกใช้กันอย่างแพร่หลายในส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ เช่น ซับสเตรตเซรามิก ตัวเก็บประจุเซรามิก วงเล็บเซรามิก LED เป็นต้น