ການແນະນຳເຕັກໂນໂລຊີຟິມບາງໆສຳລັບແສງອາທິດ

ຫຼັງຈາກການຄົ້ນພົບຜົນກະທົບຂອງແສງອາທິດໃນເອີຣົບໃນປີ 1863, ສະຫະລັດອາເມລິກາໄດ້ຜະລິດເຊວແສງອາທິດລຸ້ນທຳອິດທີ່ມີ (Se) ໃນປີ 1883. ໃນຊ່ວງຕົ້ນໆ, ເຊວແສງອາທິດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ໃນການບິນອະວະກາດ, ການທະຫານ ແລະ ຂົງເຂດອື່ນໆ. ໃນ 20 ປີທີ່ຜ່ານມາ, ການຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງເຊວແສງອາທິດໄດ້ສົ່ງເສີມການນໍາໃຊ້ແສງອາທິດຢ່າງກວ້າງຂວາງທົ່ວໂລກ. ໃນທ້າຍປີ 2019, ກໍາລັງການຜະລິດໄຟຟ້າທັງໝົດຂອງແສງອາທິດບັນລຸ 616GW ທົ່ວໂລກ, ແລະຄາດວ່າຈະບັນລຸ 50% ຂອງການຜະລິດໄຟຟ້າທັງໝົດຂອງໂລກພາຍໃນປີ 2050. ເນື່ອງຈາກການດູດຊຶມແສງໂດຍວັດສະດຸເຄິ່ງຕົວນໍາແສງອາທິດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນເກີດຂຶ້ນໃນລະດັບຄວາມໜາຂອງສອງສາມໄມຄຣອນຫາຫຼາຍຮ້ອຍໄມຄຣອນ, ແລະອິດທິພົນຂອງພື້ນຜິວຂອງວັດສະດຸເຄິ່ງຕົວນໍາຕໍ່ປະສິດທິພາບຂອງແບັດເຕີຣີແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍ, ເຕັກໂນໂລຊີຟິມບາງສູນຍາກາດຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດເຊວແສງອາທິດ.

ຈຸລັງແສງອາທິດແບບອຸດສາຫະກຳສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແບ່ງອອກເປັນສອງປະເພດຄື: ໜຶ່ງແມ່ນຈຸລັງແສງອາທິດຊິລິກອນທີ່ເປັນຜລຶກ, ແລະອີກອັນໜຶ່ງແມ່ນຈຸລັງແສງອາທິດແບບຟິມບາງ. ເຕັກໂນໂລຊີຈຸລັງຊິລິກອນທີ່ເປັນຜລຶກລ້າສຸດປະກອບມີເຕັກໂນໂລຊີການປ່ອຍແສງແບບ passivation ແລະ backside cell (PERC), ເຕັກໂນໂລຊີຈຸລັງ heterojunction (HJT), ເຕັກໂນໂລຊີການແຜ່ກະຈາຍເຕັມທີ່ຂອງ passivation back surface emitter (PERT), ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີຈຸລັງ oxide-piercing contact (Topcn). ໜ້າທີ່ຂອງຟິມບາງໃນຈຸລັງຊິລິກອນທີ່ເປັນຜລຶກສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການ passivation, anti-reflection, p/n doping, ແລະ conductivity. ເຕັກໂນໂລຊີແບັດເຕີຣີແບບຟິມບາງທີ່ນິຍົມໃຊ້ປະກອບມີ cadmium telluride, copper indium gallium selenide, calcite ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີອື່ນໆ. ຟິມສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ເປັນຊັ້ນດູດຊຶມແສງ, ຊັ້ນ conductive, ແລະອື່ນໆ. ເຕັກໂນໂລຊີຟິມບາງສູນຍາກາດຕ່າງໆແມ່ນໃຊ້ໃນການກະກຽມຟິມບາງໃນຈຸລັງແສງອາທິດ.

ເຈີ້ນຮວາສາຍການຜະລິດເຄືອບ photovoltaic ແສງອາທິດບົດນໍາ:

ຄຸນສົມບັດຂອງອຸປະກອນ:

1. ຮັບຮອງເອົາໂຄງສ້າງແບບໂມດູນ, ເຊິ່ງສາມາດເພີ່ມຫ້ອງໄດ້ຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງວຽກງານ ແລະ ປະສິດທິພາບ, ເຊິ່ງສະດວກ ແລະ ຍືດຫຍຸ່ນ;

2. ຂະບວນການຜະລິດສາມາດຕິດຕາມກວດກາໄດ້ຢ່າງຄົບຖ້ວນ, ແລະຕົວກໍານົດການຂະບວນການສາມາດຕິດຕາມໄດ້, ເຊິ່ງສະດວກໃນການຕິດຕາມການຜະລິດ;

4. ຊັ້ນວາງວັດສະດຸສາມາດສົ່ງຄືນໂດຍອັດຕະໂນມັດ, ແລະການນໍາໃຊ້ຕົວຈັດການສາມາດເຊື່ອມຕໍ່ຂະບວນການກ່ອນໜ້ານີ້ ແລະ ຂະບວນການຫຼັງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແຮງງານ, ລະດັບອັດຕະໂນມັດສູງ, ປະສິດທິພາບສູງ ແລະ ປະຫຍັດພະລັງງານ.

ມັນເໝາະສົມກັບ Ti, Cu, Al, Cr, Ni, Ag, Sn ແລະໂລຫະທາດອື່ນໆ, ແລະໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກເຄິ່ງຕົວນໍາ, ເຊັ່ນ: ວັດສະດຸເຊລາມິກ, ຕົວເກັບປະຈຸເຊລາມິກ, ຂາຕັ້ງເຊລາມິກ LED, ແລະອື່ນໆ.