Njia ya uwekaji iliyosaidiwa ya boriti ya Ion na uteuzi wake wa nishati

Kuna njia kuu mbili za utuaji unaosaidiwa na boriti ya ioni, moja ni mseto wa nguvu; nyingine ni tuli mseto. zamani inahusu filamu katika mchakato wa ukuaji ni daima akiongozana na nishati fulani na boriti sasa ya bombardment ion na filamu; mwisho ni kabla ya zilizoingia juu ya uso wa substrate safu ya chini ya nanometers chache unene wa safu ya filamu, na kisha nguvu ion bombardment, na inaweza kurudiwa mara nyingi na ukuaji wa safu ya filamu.

Nishati ya boriti ya ioni iliyochaguliwa kwa usaidizi wa boriti ya ioni ya filamu nyembamba ziko katika anuwai ya 30 eV hadi 100 keV. Safu ya nishati iliyochaguliwa inategemea aina ya programu ambayo filamu inasanisishwa. Kwa mfano, maandalizi ya ulinzi wa kutu, kuvaa kupambana na mitambo, mipako ya mapambo na filamu nyingine nyembamba zinapaswa kuchaguliwa juu ya nishati ya bombardment. Majaribio yanaonyesha kuwa, kama vile uchaguzi wa nishati ya 20 hadi 40keV ya bombardment ya boriti ya ioni, nyenzo ya substrate na filamu yenyewe haitaathiri utendakazi na matumizi ya uharibifu. Katika utayarishaji wa filamu nyembamba kwa vifaa vya macho na elektroniki, utuaji wa kusaidiwa wa boriti ya ion ya nishati inapaswa kuchaguliwa, ambayo sio tu inapunguza utangazaji wa mwanga na kuzuia uundaji wa kasoro zilizoamilishwa na umeme, lakini pia kuwezesha uundaji wa muundo wa hali thabiti ya membrane. Uchunguzi umeonyesha kuwa filamu zilizo na mali bora zinaweza kupatikana kwa kuchagua nishati ya ion chini ya 500 eV.

- Nakala hii imetolewa namtengenezaji wa mashine ya mipako ya utupuGuangdong Zhenhua