ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਵਿੱਚ ਟਾਰਗੇਟ ਜ਼ਹਿਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਕਾਰਕ ਕੀ ਹਨ?

1, ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਧਾਤ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦਾ ਗਠਨ
ਇੱਕ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਪਟਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਇੱਕ ਧਾਤ ਦੇ ਨਿਸ਼ਾਨੇ ਵਾਲੀ ਸਤ੍ਹਾ ਤੋਂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਮਿਸ਼ਰਣ ਕਿੱਥੇ ਬਣਦਾ ਹੈ? ਕਿਉਂਕਿ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਗੈਸ ਕਣਾਂ ਅਤੇ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਵਿਚਕਾਰ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਪਰਮਾਣੂ ਪੈਦਾ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਐਕਸੋਥਰਮਿਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਗਰਮੀ ਦਾ ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਨ ਦਾ ਇੱਕ ਤਰੀਕਾ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਨਹੀਂ ਤਾਂ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਜਾਰੀ ਨਹੀਂ ਰਹਿ ਸਕਦੀ। ਵੈਕਿਊਮ ਹਾਲਤਾਂ ਵਿੱਚ, ਗੈਸਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਗਰਮੀ ਦਾ ਤਬਾਦਲਾ ਸੰਭਵ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਇੱਕ ਠੋਸ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ। ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਪਟਰਿੰਗ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤਹਾਂ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹਾਂ ਅਤੇ ਹੋਰ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਤਹਾਂ 'ਤੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨਾ ਟੀਚਾ ਹੈ, ਹੋਰ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਤਹਾਂ 'ਤੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨਾ ਸਰੋਤਾਂ ਦੀ ਬਰਬਾਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨਾ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੇ ਸਰੋਤ ਵਜੋਂ ਸ਼ੁਰੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਲਗਾਤਾਰ ਹੋਰ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਪਰਮਾਣੂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਰੁਕਾਵਟ ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

2, ਟਾਰਗੇਟ ਜ਼ਹਿਰ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਕਾਰਕ
ਟਾਰਗੇਟ ਪੋਇਜ਼ਨਿੰਗ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਨ ਵਾਲਾ ਮੁੱਖ ਕਾਰਕ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਗੈਸ ਅਤੇ ਸਪਟਰਿੰਗ ਗੈਸ ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ ਹੈ, ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਗੈਸ ਟਾਰਗੇਟ ਪੋਇਜ਼ਨਿੰਗ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਵੇਗੀ। ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਪਟਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਟਾਰਗੇਟ ਸਤਹ ਸਪਟਰਿੰਗ ਚੈਨਲ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਜੋ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੁਆਰਾ ਢੱਕੀ ਹੋਈ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੀ ਹੈ ਜਾਂ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਮਿਸ਼ਰਣ ਨੂੰ ਲਾਹ ਕੇ ਧਾਤ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਨੂੰ ਦੁਬਾਰਾ ਪ੍ਰਗਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੀ ਦਰ ਮਿਸ਼ਰਣ ਸਟ੍ਰਿਪਿੰਗ ਦੀ ਦਰ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ, ਤਾਂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਕਵਰੇਜ ਖੇਤਰ ਵਧਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਸ਼ਕਤੀ 'ਤੇ, ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਗੈਸ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੀ ਦਰ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਗੈਸ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਕਵਰੇਜ ਖੇਤਰ ਵਧਦਾ ਹੈ। ਅਤੇ ਜੇਕਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਗੈਸ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦਰ ਨੂੰ ਸਮੇਂ ਸਿਰ ਐਡਜਸਟ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਕਵਰੇਜ ਖੇਤਰ ਵਾਧੇ ਦੀ ਦਰ ਨੂੰ ਦਬਾਇਆ ਨਹੀਂ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਪਟਰਿੰਗ ਚੈਨਲ ਨੂੰ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੁਆਰਾ ਹੋਰ ਕਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ, ਜਦੋਂ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟੀਚਾ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੁਆਰਾ ਢੱਕਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਜ਼ਹਿਰੀਲਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

3, ਟਾਰਗੇਟ ਜ਼ਹਿਰ ਦੀ ਘਟਨਾ
(1) ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਆਇਨ ਇਕੱਠਾ ਹੋਣਾ: ਜਦੋਂ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਜ਼ਹਿਰ, ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਫਿਲਮ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਬਣ ਜਾਵੇਗੀ, ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਪਰਤ ਦੀ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਕਾਰਨ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਆਇਨ ਕੈਥੋਡ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪਹੁੰਚਦੇ ਹਨ। ਕੈਥੋਡ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ ਵਿੱਚ ਸਿੱਧੇ ਦਾਖਲ ਨਾ ਹੋਵੋ, ਪਰ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇਕੱਠੇ ਹੋਵੋ, ਠੰਡੇ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਆਰਕ ਡਿਸਚਾਰਜ - ਆਰਸਿੰਗ ਪੈਦਾ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਹੋਵੇ, ਤਾਂ ਜੋ ਕੈਥੋਡ ਸਪਟਰਿੰਗ ਜਾਰੀ ਨਾ ਰਹਿ ਸਕੇ।
(2) ਐਨੋਡ ਗਾਇਬ ਹੋਣਾ: ਜਦੋਂ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਜ਼ਹਿਰ, ਜ਼ਮੀਨੀ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਂਬਰ ਦੀਵਾਰ ਵਿੱਚ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਫਿਲਮ ਵੀ ਜਮ੍ਹਾ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਐਨੋਡ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਐਨੋਡ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਨਹੀਂ ਹੋ ਸਕਦੇ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਐਨੋਡ ਗਾਇਬ ਹੋਣ ਦੀ ਘਟਨਾ ਦਾ ਗਠਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

4, ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਜ਼ਹਿਰ ਦੀ ਭੌਤਿਕ ਵਿਆਖਿਆ
(1) ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਧਾਤ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦਾ ਸੈਕੰਡਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਨਿਕਾਸ ਗੁਣਾਂਕ ਧਾਤਾਂ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਜ਼ਹਿਰ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਸਾਰੇ ਧਾਤ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਣ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਆਇਨਾਂ ਦੁਆਰਾ ਬੰਬਾਰੀ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਜਾਰੀ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸੈਕੰਡਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਸਪੇਸ ਦੀ ਚਾਲਕਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਰੁਕਾਵਟ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਘੱਟ ਸਪਟਰਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦਾ ਸਪਟਰਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ 400V-600V ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਜਦੋਂ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਜ਼ਹਿਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਸਪਟਰਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਕਾਫ਼ੀ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
(2) ਧਾਤ ਦਾ ਟੀਚਾ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਟੀਚਾ ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦਰ ਵੱਖਰੀ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਧਾਤ ਦਾ ਸਪਟਰਿੰਗ ਗੁਣਾਂਕ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੇ ਸਪਟਰਿੰਗ ਗੁਣਾਂਕ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਜ਼ਹਿਰ ਦੇ ਬਾਅਦ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦਰ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ.
(3) ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਪਟਰਿੰਗ ਗੈਸ ਦੀ ਸਪਟਰਿੰਗ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਅਯੋਗ ਗੈਸ ਦੀ ਸਪਟਰਿੰਗ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਗੈਸ ਦੇ ਅਨੁਪਾਤ ਵਧਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਵਿਆਪਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦਰ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

5, ਟਾਰਗੇਟ ਜ਼ਹਿਰ ਲਈ ਹੱਲ
(1) ਦਰਮਿਆਨੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵਾਲੀ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਜਾਂ ਰੇਡੀਓ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵਾਲੀ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਅਪਣਾਓ।
(2) ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਗੈਸ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਬੰਦ-ਲੂਪ ਨਿਯੰਤਰਣ ਨੂੰ ਅਪਣਾਓ।
(3) ਜੁੜਵੇਂ ਨਿਸ਼ਾਨੇ ਅਪਣਾਓ
(4) ਕੋਟਿੰਗ ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰੋ: ਕੋਟਿੰਗ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਟਾਰਗੇਟ ਪੋਇਜ਼ਨਿੰਗ ਦੇ ਹਿਸਟਰੇਸਿਸ ਪ੍ਰਭਾਵ ਵਕਰ ਨੂੰ ਇਕੱਠਾ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਇਨਲੇਟ ਹਵਾ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨੂੰ ਟਾਰਗੇਟ ਪੋਇਜ਼ਨਿੰਗ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਸਾਹਮਣੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ ਤਾਂ ਜੋ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ ਕਿ ਜਮ੍ਹਾ ਦਰ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਗਿਰਾਵਟ ਆਉਣ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹਮੇਸ਼ਾਂ ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਰਹੇ।

–ਇਹ ਲੇਖ ਗੁਆਂਗਡੋਂਗ ਜ਼ੇਨਹੂਆ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵੈਕਿਊਮ ਕੋਟਿੰਗ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦਾ ਨਿਰਮਾਤਾ ਹੈ।