Pemendapan Wap Kimia (CVD). Seperti namanya, ia adalah teknik yang menggunakan bahan tindak balas prekursor gas untuk menghasilkan filem pepejal melalui tindak balas kimia atom dan antara molekul. Tidak seperti PVD, proses CVD kebanyakannya dijalankan dalam persekitaran tekanan yang lebih tinggi (vakum yang lebih rendah), dengan tekanan yang lebih tinggi digunakan terutamanya untuk meningkatkan kadar pemendapan filem. Pemendapan wap kimia boleh dikategorikan kepada CVD am (juga dikenali sebagai CVD terma) dan pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. PECVD) mengikut sama ada plasma terlibat dalam proses pemendapan. Bahagian ini memberi tumpuan kepada teknologi PECVD termasuk proses PECVD dan peralatan dan prinsip kerja PECVD yang biasa digunakan.
Pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma ialah teknik pemendapan wap kimia filem nipis yang menggunakan plasma nyahcas cahaya untuk memberi pengaruh ke atas proses pemendapan semasa proses pemendapan wap kimia bertekanan rendah sedang berlaku. Dalam pengertian ini, teknologi CVD konvensional bergantung pada suhu substrat yang lebih tinggi untuk merealisasikan tindak balas kimia antara bahan fasa gas dan pemendapan filem nipis, dan dengan itu boleh dipanggil teknologi CVD terma.
Dalam peranti PECVD, tekanan gas kerja adalah kira-kira 5~500 Pa, dan ketumpatan elektron dan ion boleh mencapai 109~1012/cm3, manakala tenaga purata elektron boleh mencapai 1~10 eV. Apa yang membezakan kaedah PECVD daripada kaedah CVD lain ialah plasma mengandungi sejumlah besar elektron bertenaga tinggi, yang boleh memberikan tenaga pengaktifan yang diperlukan untuk proses pemendapan wap kimia. Perlanggaran elektron dan molekul fasa gas boleh menggalakkan proses penguraian, kemosintesis, pengujaan dan pengionan molekul gas, menghasilkan kumpulan kimia yang sangat reaktif, sekali gus mengurangkan julat suhu pemendapan filem nipis CVD, menjadikannya mungkin untuk merealisasikan proses CVD, yang pada asalnya diperlukan untuk dijalankan pada suhu tinggi, pada suhu rendah. Kelebihan pemendapan filem nipis suhu rendah ialah ia boleh mengelakkan resapan dan tindak balas kimia yang tidak perlu antara filem dan substrat, perubahan struktur dan kemerosotan filem atau bahan substrat, dan tegasan haba yang besar dalam filem dan substrat.
–Artikel ini dikeluarkan olehpengeluar mesin salutan vakumGuangdong Zhenhua
Masa siaran: Apr-18-2024