Terdapat dua mod utama pemendapan berbantukan pancaran ion, satu ialah hibrid dinamik; satu lagi adalah hibrid statik. Yang pertama merujuk kepada filem dalam proses pertumbuhan sentiasa disertai oleh tenaga tertentu dan arus rasuk pengeboman ion dan filem; yang kedua adalah pra-mendepositkan pada permukaan substrat lapisan kurang daripada beberapa nanometer ketebalan lapisan filem, dan kemudian pengeboman ion dinamik, dan boleh diulang berkali-kali dan pertumbuhan lapisan filem.
Tenaga pancaran ion yang dipilih untuk pemendapan berbantukan pancaran ion bagi filem nipis adalah dalam julat 30 eV hingga 100 keV. Julat tenaga yang dipilih bergantung pada jenis aplikasi yang mana filem itu sedang disintesis. Sebagai contoh, penyediaan perlindungan kakisan, haus anti-mekanikal, salutan hiasan dan filem nipis lain harus dipilih tenaga pengeboman yang lebih tinggi. Eksperimen menunjukkan bahawa, seperti pilihan tenaga 20 hingga 40keV pengeboman rasuk ion, bahan substrat dan filem itu sendiri tidak akan menjejaskan prestasi dan penggunaan kerosakan. Dalam penyediaan filem nipis untuk peranti optik dan elektronik, pemendapan dibantu rasuk ion tenaga yang lebih rendah harus dipilih, yang bukan sahaja mengurangkan penjerapan cahaya dan mengelakkan pembentukan kecacatan yang diaktifkan secara elektrik, tetapi juga memudahkan pembentukan struktur keadaan mantap membran. Kajian telah menunjukkan bahawa filem dengan sifat yang sangat baik boleh diperolehi dengan memilih tenaga ion yang lebih rendah daripada 500 eV.
–Artikel ini dikeluarkan olehpengeluar mesin salutan vakumGuangdong Zhenhua
Masa siaran: Mac-11-2024