जेव्हा पडदा अणूंचे संचयन सुरू होते, तेव्हा आयन बॉम्बर्डमेंटचा पडदा/सब्सट्रेट इंटरफेसवर खालील परिणाम होतात.
(१) भौतिक मिश्रण. उच्च-ऊर्जा आयन इंजेक्शनमुळे, जमा झालेल्या अणूंचे थुंकणे आणि पृष्ठभागावरील अणूंचे रिकॉइल इंजेक्शन आणि कॅस्केड टक्कर घटनेमुळे, सब्सट्रेट घटकांच्या पडदा/बेस इंटरफेसच्या जवळ-पृष्ठभागाचे क्षेत्रफळ आणि नॉन-डिफ्यूजन मिक्सिंगच्या पडदा घटकांचे निर्माण होईल, हे मिश्रण परिणाम पडदा/बेस इंटरफेस "स्यूडो-डिफ्यूजन लेयर" तयार करण्यास अनुकूल असेल, म्हणजेच पडदा/बेस इंटरफेसमधील संक्रमण थर, काही मायक्रॉन जाडीपर्यंत. काही मायक्रोमीटर जाडी, ज्यामध्ये नवीन टप्पे देखील दिसू शकतात. पडदा/बेस इंटरफेसची आसंजन शक्ती सुधारण्यासाठी हे खूप अनुकूल आहे.
(२) वाढलेला प्रसार. जवळच्या पृष्ठभागाच्या प्रदेशात उच्च दोष सांद्रता आणि उच्च तापमानामुळे प्रसार दर वाढतो. पृष्ठभाग हा एक बिंदू दोष असल्याने, लहान आयन पृष्ठभाग विचलित करण्याची प्रवृत्ती बाळगतात आणि आयन बॉम्बर्डमेंटमुळे पृष्ठभाग विचलन आणखी वाढते आणि जमा झालेल्या आणि सब्सट्रेट अणूंचे परस्पर प्रसार वाढते.
(३) सुधारित न्यूक्लियेशन मोड. सब्सट्रेट पृष्ठभागावर घनरूप झालेल्या अणूचे गुणधर्म त्याच्या पृष्ठभागाच्या परस्परसंवाद आणि पृष्ठभागावरील त्याच्या स्थलांतर गुणधर्मांद्वारे निश्चित केले जातात. जर घनरूप अणू आणि सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर मजबूत परस्परसंवाद नसेल, तर अणू पृष्ठभागावर पसरेल जोपर्यंत तो उच्च-ऊर्जा स्थितीत केंद्रक बनत नाही किंवा इतर प्रसारित अणूंशी टक्कर देत नाही. केंद्रकीकरणाच्या या पद्धतीला नॉन-रिअॅक्टिव्ह न्यूक्लियेशन म्हणतात. जरी मूळ नॉन-रिअॅक्टिव्ह न्यूक्लियेशन मोडच्या बाबतीत असेल, तरी सब्सट्रेट पृष्ठभागावर आयन बॉम्बस्फोट केल्याने अधिक दोष निर्माण होऊ शकतात, ज्यामुळे केंद्रकीकरण घनता वाढते, जी प्रसार - प्रतिक्रियाशील न्यूक्लियेशन मोडच्या निर्मितीसाठी अधिक अनुकूल असते.
(४) सैलपणे बांधलेल्या अणूंचे प्राधान्याने काढून टाकणे. पृष्ठभागावरील अणूंचे थुंकणे स्थानिक बंधन स्थितीनुसार निश्चित केले जाते आणि पृष्ठभागावर आयन बॉम्बस्फोट केल्याने सैलपणे बांधलेले अणू बाहेर पडण्याची शक्यता जास्त असते. प्रसार-प्रतिक्रियाशील इंटरफेसच्या निर्मितीमध्ये हा परिणाम अधिक स्पष्टपणे दिसून येतो.
(५) पृष्ठभागावरील आवरणात सुधारणा आणि प्लेटिंग बायपासमध्ये वाढ. आयन प्लेटिंगच्या उच्च कार्यरत वायू दाबामुळे, बाष्पीभवन झालेले किंवा थुंकलेले अणू विखुरणे वाढविण्यासाठी वायू अणूंशी टक्कर देतात, परिणामी चांगले कोटिंग रॅप-अराउंड गुणधर्म निर्माण होतात.
- हा लेख प्रकाशित केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन निर्माताग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट वेळ: डिसेंबर-०९-२०२३