Wëllkomm bei Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
eenzelt_banner

Plasmaverstäerkt chemesch Dampfdepositioun Kapitel 1

Artikelquell: Zhenhua Vakuum
Liesen: 10
Verëffentlecht: 24-04-18

Chemesch Dampfdepositioun (CVD). Wéi den Numm et scho seet, ass et eng Technik, déi gasfërmeg Virleeferreaktanten benotzt fir fest Filmer duerch atomar an intermolekular chemesch Reaktiounen ze generéieren. Am Géigesaz zu PVD gëtt de CVD-Prozess meeschtens an enger Ëmfeld mat méi héijem Drock (ënneschte Vakuum) duerchgefouert, woubei den héijen Drock haaptsächlech benotzt gëtt fir d'Depositiounsquote vum Film ze erhéijen. Chemesch Dampfdepositioun kann an allgemeng CVD (och bekannt als thermesch CVD) a plasmaverstäerkt chemesch Dampfdepositioun (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. PECVD) kategoriséiert ginn, jee nodeem ob Plasma um Depositiounsprozess bedeelegt ass. Dës Sektioun konzentréiert sech op d'PECVD-Technologie, inklusiv de PECVD-Prozess an déi üblech PECVD-Ausrüstung a Funktionsprinzip.

Plasmaverstäerkt chemesch Dampfoflagerung ass eng Dënnschicht-chemesch Dampfoflagerungstechnik, déi Glühplasma benotzt fir en Afloss op den Oflagerungsprozess auszeüben, während de chemesche Dampfoflagerungsprozess ënner Nidderdrock stattfënnt. An dësem Sënn baséiert déi konventionell CVD-Technologie op méi héije Substrattemperaturen fir déi chemesch Reaktioun tëscht Gasphas-Substanzen an d'Oflagerung vun Dënnschichten ze realiséieren, a kann dofir als thermesch CVD-Technologie bezeechent ginn.

Am PECVD-Apparat ass den Aarbechtsgasdrock ongeféier 5~500 Pa, an d'Dicht vun Elektronen an Ionen kann 109~1012/cm3 erreechen, während déi duerchschnëttlech Energie vun den Elektronen 1~10 eV erreeche kann. Wat d'PECVD-Method vun anere CVD-Methoden ënnerscheet, ass datt de Plasma eng grouss Zuel vun héichenergeteschen Elektronen enthält, déi d'Aktivéierungsenergie liwwere kënnen, déi fir de chemeschen Dampfoflagerungsprozess gebraucht gëtt. D'Kollisioun vun Elektronen a Gasphasemoleküle kann d'Zersetzung, d'Chemosynthese, d'Ureegung an d'Ioniséierungsprozesser vu Gasmoleküle förderen, wouduerch héichreaktiv chemesch Gruppen entstinn, wouduerch den Temperaturberäich vun der CVD-Dënnschichtoflagerung däitlech reduzéiert gëtt, wouduerch et méiglech ass, de CVD-Prozess, deen ursprénglech bei héijen Temperaturen duerchgefouert soll ginn, bei niddregen Temperaturen ëmzesetzen. De Virdeel vun der Dënnschichtoflagerung bei niddreger Temperatur ass, datt se onnéideg Diffusioun a chemesch Reaktiounen tëscht dem Film an dem Substrat, strukturell Ännerungen an d'Verschlechterung vum Film oder dem Substratmaterial, a grouss thermesch Spannungen am Film an dem Substrat vermeide kann.

– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua


Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. Abrëll 2024