Булану жабыны кезінде пленка қабатының ядролануы және өсуі әртүрлі ионды жабу технологиясының негізі болып табылады.
1.Ядролану
Inвакуумды булану жабыны технологиясы,Пленка қабатының бөлшектері булану көзінен атомдар түрінде буланған соң, олар жоғары вакуумда тікелей дайындамаға ұшып, дайындаманың бетінде ядролану және өсу арқылы пленка қабатын құрайды. Вакуумды булану кезінде булану көзінен шығатын қабық қабаты атомдарының энергиясы шамамен 0,2эВ құрайды. Пленка қабатының бөлшектері арасындағы когезия пленка қабатының атомдары мен дайындама арасындағы байланыстыру күшінен үлкен болса, арал ядросын құрайды. Бір қабықшалы атом дайындаманың бетінде ұзақ уақыт бойы тұрақты емес қозғалыс, диффузия, миграция немесе атомдық кластерлерді құру үшін басқа атомдармен соқтығысады. Атом кластеріндегі атомдар саны белгілі бір сыни мәнге жетеді, біртекті пішінді ядро деп аталатын тұрақты ядро түзіледі.
тегіс, және көптеген ақаулар мен қадамдарды қамтиды, бұл дайындаманың әртүрлі бөліктерінің радиоактивті атомдарға адсорбциялық күшінің айырмашылығын тудырады. Ақаудың бетінің адсорбциялық энергиясы қалыпты бетке қарағанда үлкен, сондықтан ол гетерогенді нуклеация деп аталатын артықшылықты нуклеацияға қолайлы белсенді орталыққа айналады. Біріктіру күші байланыстыру күшіне тең болғанда немесе мембрана атомдары мен дайындама арасындағы байланыстырушы күш мембрана атомдары арасындағы когезия күшінен үлкен болса, пластинкалық құрылым түзіледі. Ионмен қаптау технологиясында көп жағдайда арал өзегі қалыптасады.
2. Өсу
Пленканың өзегі пайда болғаннан кейін, ол түскен атомдарды ұстау арқылы өсуін жалғастырады. Аралдар өсіп, бір-бірімен қосылып, үлкен жарты шарларды құрайды, бірте-бірте дайындаманың бетіне таралатын жарты шар тәрізді арал қабатын құрайды.
Қабық қабатының атомдық энергиясы жоғары болған кезде, ол бетке жеткілікті түрде тарай алады және одан кейінгі келетін атомдық кластерлер аз болған кезде тегіс үздіксіз қабықша түзілуі мүмкін. Егер беттегі атомдардың диффузиясы әлсіз және тұндырылған шоғырлардың мөлшері үлкен болса, олар үлкен түбек ядролары ретінде болады. "Көлеңке эффектісі". Беттің проекциясы кейінгі тұндырылған атомдарды және артықшылықты өсуді түсіруге қолайлырақ болады, нәтижесінде жеткілікті мөлшердегі конустық немесе бағаналы кристалдарды қалыптастыру үшін беттегі ойыс дәрежесі артады. Конустық кристалдар арасында енетін қуыстар пайда болады және бетінің кедір-бұдырлығының мәні артады. Жұқа ұлпаны жоғары вакуумда алуға болады, вакуумдық дәрежесінің төмендеуімен мембрананың микроқұрылымы қалың және қалың болады.
Хабарлама уақыты: 24 мамыр 2023 ж