1, Myndun málmsambanda á markfleti
Hvar myndast efnasambandið við myndun efnasambands úr málmyfirborði með hvarfgjörnunarspúttunarferli? Þar sem efnahvörf milli hvarfgjarnra gasagna og atóma á yfirborði marksins framleiða efnasambönd, sem eru venjulega útvermin, verður hvarfhitinn að geta leitt út, annars geta efnahvörfin ekki haldið áfram. Við lofttæmisaðstæður er varmaflutningur milli lofttegunda ekki mögulegur, þannig að efnahvörfin verða að eiga sér stað á föstu yfirborði. Hvarfgjörnunarspúttunar myndar efnasambönd á markyfirborðum, undirlagsyfirborðum og öðrum byggingaryfirborðum. Markmiðið er að mynda efnasambönd á undirlagsyfirborðinu, að mynda efnasambönd á öðrum byggingaryfirborðum er sóun á auðlindum, og að mynda efnasambönd á markyfirborðinu byrjar sem uppspretta efnasambönda og verður hindrun fyrir því að stöðugt framleiða fleiri efnasambönd.
2, Áhrifaþættir markeitrunar
Helsta þátturinn sem hefur áhrif á eitrun skotmarksins er hlutfall hvarfgass og spúttunargass. Of mikið hvarfgas leiðir til eitrunar á skotmarkinu. Hvarfgasspúttunarferlið fer fram á yfirborði skotmarksins þar sem spúttunarrásin virðist vera þakin af hvarfefninu eða þegar hvarfefnið er afhýtt og málmyfirborðið er aftur afhjúpað. Ef hraði myndunar efnasambandsins er meiri en hraði afhýðingar efnasambandsins eykst þekjusvæði efnasambandsins. Við ákveðið afl eykst magn hvarfgass sem tekur þátt í myndun efnasambandsins og hraði myndunar efnasambandsins eykst. Ef magn hvarfgass eykst óhóflega eykst þekjusvæði efnasambandsins. Og ef ekki er hægt að aðlaga flæði hvarfgassins tímanlega er hraði aukningar á þekjusvæði efnasambandsins ekki minnkaður og spúttunarrásin verður enn frekar þakin af efnasambandinu. Þegar spúttunarmarkmiðið er að fullu þakið af efnasambandinu er skotmarkið alveg eitrað.
3, Markmiðseitrunarfyrirbæri
(1) Jákvæð jónasöfnun: Þegar skotmarkið er eitrað myndast einangrandi filmulag á yfirborði skotmarksins. Jákvæð jónir komast að yfirborði katóðunnar vegna stíflu í einangrunarlaginu. Þær komast ekki beint inn í yfirborð katóðunnar heldur safnast fyrir á yfirborði hennar. Þetta veldur því að kalt svið myndast og bogaútblástur myndast, sem kemur í veg fyrir að katóðan spúttar.
(2) hvarf anóðu: Þegar skotmarkið er eitrað, myndast einangrandi filma á vegg lofttæmishólfsins sem jarðtengir það, þannig að rafeindir komast ekki inn í anóðuna og myndast þar með hvarf anóðu.
4, Líkamleg skýring á markeitrun
(1) Almennt er losunarstuðull aukarafeinda úr málmsamböndum hærri en úr málmum. Eftir eitrun á skotmarki er yfirborð skotmarksins allt úr málmsamböndum og eftir að hafa verið sprengd með jónum eykst fjöldi losaðra aukarafeinda, sem bætir leiðni geimsins og dregur úr plasmaviðnámi, sem leiðir til lægri spúttspennu. Þetta dregur úr spútthraða. Almennt er spúttspennan við segulspúttrun á bilinu 400V-600V og þegar eitrun á sér stað minnkar spúttspennan verulega.
(2) Upphaflegur spúttunarhraði málmskotmarks og efnasambandskotmarks er ólíkur, almennt er spúttunarstuðull málms hærri en spúttunarstuðull efnasambandsins, þannig að spúttunarhraðinn er lágur eftir skotmarkseitrun.
(3) Spúttunarhagkvæmni hvarfgjarns spúttunargass er upphaflega lægri en spúttunarhagkvæmni óvirks gass, þannig að heildarspúttunarhraðinn minnkar eftir því sem hlutfall hvarfgjarns gass eykst.
5, Lausnir við markvissri eitrun
(1) Notið miðlungs tíðni aflgjafa eða útvarpstíðni aflgjafa.
(2) Notið lokaða hringrásarstýringu á innstreymi hvarfgassins.
(3) Taka upp tvöföld markmið
(4) Stjórna breytingu á húðunarham: Áður en húðun fer fram er áhrifafræðilegrar hýsteresis fyrir markeitrun safnað þannig að innstreymisloftflæði sé stjórnað að framan við framleiðslu á markeitrun til að tryggja að ferlið sé alltaf í ham áður en útfellingarhraðinn lækkar hratt.
–Þessi grein er gefin út af Guangdong Zhenhua Technology, framleiðanda lofttæmisbúnaðar.
Birtingartími: 7. nóvember 2022