બાષ્પીભવન કોટિંગ દરમિયાન, ફિલ્મ સ્તરનું ન્યુક્લિયેશન અને વૃદ્ધિ વિવિધ આયન કોટિંગ ટેકનોલોજીનો આધાર છે.
૧. ન્યુક્લિયેશન
Inવેક્યુમ બાષ્પીભવન કોટિંગ ટેકનોલોજીફિલ્મ સ્તરના કણો બાષ્પીભવન સ્ત્રોતમાંથી અણુઓના સ્વરૂપમાં બાષ્પીભવન થયા પછી, તેઓ ઉચ્ચ શૂન્યાવકાશમાં સીધા વર્કપીસ પર ઉડે છે અને વર્કપીસની સપાટી પર ન્યુક્લિયેશન અને વૃદ્ધિ દ્વારા ફિલ્મ સ્તર બનાવે છે. શૂન્યાવકાશ બાષ્પીભવન દરમિયાન, બાષ્પીભવન સ્ત્રોતમાંથી બહાર નીકળતા ફિલ્મ સ્તરના અણુઓની ઊર્જા લગભગ 0.2eV હોય છે. જ્યારે ફિલ્મ સ્તરના કણો વચ્ચેનું સંકલન ફિલ્મ સ્તરના અણુઓ અને વર્કપીસ વચ્ચેના બંધન બળ કરતા વધારે હોય છે, ત્યારે એક ટાપુ ન્યુક્લિયસ બનાવે છે. એક ફિલ્મ સ્તરનો અણુ વર્કપીસની સપાટી પર અનિયમિત ગતિ, પ્રસરણ, સ્થળાંતર અથવા અન્ય અણુઓ સાથે અથડામણ કરીને અણુ ક્લસ્ટર બનાવવા માટે સમય સુધી રહે છે. અણુ ક્લસ્ટરમાં અણુઓની સંખ્યા ચોક્કસ નિર્ણાયક મૂલ્ય સુધી પહોંચે છે, એક સ્થિર ન્યુક્લિયસ રચાય છે, જેને સજાતીય આકારનું ન્યુક્લિયસ કહેવાય છે.
સુંવાળી, અને તેમાં ઘણી ખામીઓ અને પગલાંઓ હોય છે, જેના કારણે વર્કપીસના વિવિધ ભાગોના શોષણ બળમાં કિરણોત્સર્ગી અણુઓ વચ્ચે તફાવત થાય છે. ખામીની સપાટીની શોષણ ઊર્જા સામાન્ય સપાટી કરતા વધારે હોય છે, તેથી તે સક્રિય કેન્દ્ર બને છે, જે પ્રેફરન્શિયલ ન્યુક્લિયેશન માટે અનુકૂળ હોય છે, જેને વિજાતીય ન્યુક્લિયેશન કહેવાય છે. જ્યારે સંયોજક બળ બંધન બળ જેટલું હોય છે, અથવા પટલ અણુઓ વચ્ચેનું બંધન બળ અને વર્કપીસ પટલ અણુઓ વચ્ચેના સંયોજક બળ કરતા વધારે હોય છે, ત્યારે લેમેલર માળખું રચાય છે. આયન પ્લેટિંગ ટેકનોલોજીમાં, મોટાભાગના કિસ્સાઓમાં ટાપુ કોર રચાય છે.
2. વૃદ્ધિ
એકવાર ફિલ્મનો મુખ્ય ભાગ બની જાય, પછી તે ઘટના પરમાણુઓને ફસાવીને વધતો રહે છે. ટાપુઓ વધે છે અને એકબીજા સાથે જોડાઈને મોટા ગોળાર્ધ બનાવે છે, ધીમે ધીમે એક ગોળાર્ધ ટાપુ સ્તર બનાવે છે જે વર્કપીસની સપાટી પર ફેલાય છે.
જ્યારે ફિલ્મ સ્તરની અણુ ઊર્જા ઊંચી હોય છે, ત્યારે તે સપાટી પર પૂરતા પ્રમાણમાં ફેલાય છે અને જ્યારે આવનારા અણુ ક્લસ્ટર નાના હોય ત્યારે એક સરળ સતત ફિલ્મ બની શકે છે. જો સપાટી પર અણુઓનો ફેલાવો નબળો હોય અને જમા થયેલા ક્લસ્ટરોનું કદ મોટું હોય, તો તે મોટા દ્વીપકલ્પીય કેન્દ્ર તરીકે અસ્તિત્વ ધરાવે છે. ટાપુના મુખ્ય ભાગની ટોચ પર અંતર્મુખ ભાગ પર મજબૂત છાંયો અસર હોય છે, એટલે કે "છાયા અસર". સપાટીનું પ્રક્ષેપણ અનુગામી જમા થયેલા અણુઓને પકડવા અને પસંદગીયુક્ત વૃદ્ધિ માટે વધુ અનુકૂળ છે, જેના પરિણામે સપાટી પર અંતર્મુખતાની ડિગ્રી વધે છે અને પૂરતા કદના શંકુ અથવા સ્તંભાકાર સ્ફટિકો બને છે. શંકુ સ્ફટિકો વચ્ચે પેનિટ્રેટિંગ ખાલી જગ્યાઓ બને છે અને સપાટીની ખરબચડી કિંમત વધે છે. ઉચ્ચ શૂન્યાવકાશ પર બારીક પેશી મેળવી શકાય છે, શૂન્યાવકાશ ડિગ્રીમાં ઘટાડો થવાથી, પટલનું સૂક્ષ્મ માળખું વધુ જાડું અને જાડું બને છે.
પોસ્ટ સમય: મે-24-2023