Chapitre 1 du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma

Dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Comme son nom l'indique, il s'agit d'une technique qui utilise des précurseurs gazeux pour générer des films solides par réactions chimiques atomiques et intermoléculaires. Contrairement au PVD, le procédé CVD est généralement réalisé sous haute pression (vide primaire), cette pression étant principalement utilisée pour accélérer le dépôt. Le dépôt chimique en phase vapeur peut être classé en CVD général (également appelé CVD thermique) et en dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), selon l'intervention du plasma. Cette section se concentre sur la technologie PECVD, notamment le procédé PECVD, les équipements PECVD couramment utilisés et leur principe de fonctionnement.

Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma est une technique de dépôt chimique en phase vapeur de couches minces qui utilise un plasma à décharge luminescente pour influencer le processus de dépôt pendant le dépôt à basse pression. En ce sens, la technologie CVD conventionnelle repose sur des températures de substrat plus élevées pour réaliser la réaction chimique entre les substances en phase gazeuse et le dépôt de couches minces ; elle peut donc être qualifiée de technologie CVD thermique.

Dans le dispositif PECVD, la pression du gaz de travail est d'environ 5 à 500 Pa, et la densité d'électrons et d'ions peut atteindre 109 à 1012/cm³, tandis que l'énergie moyenne des électrons peut atteindre 1 à 10 eV. La méthode PECVD se distingue des autres méthodes CVD par la présence d'un grand nombre d'électrons de haute énergie dans le plasma, capables de fournir l'énergie d'activation nécessaire au dépôt chimique en phase vapeur. La collision des électrons avec les molécules en phase gazeuse favorise les processus de décomposition, de chimiosynthèse, d'excitation et d'ionisation des molécules gazeuses, générant ainsi des groupes chimiques hautement réactifs. Cela réduit considérablement la plage de température du dépôt CVD de couches minces, permettant ainsi de réaliser le procédé CVD, initialement requis à haute température, à basse température. L'avantage du dépôt de couches minces à basse température est d'éviter toute diffusion et réaction chimique inutiles entre le film et le substrat, les modifications structurelles et la détérioration du film ou du matériau du substrat, ainsi que les fortes contraintes thermiques au niveau du film et du substrat.

–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua