Deposición Química en Vapor (CVD). Como su nombre indica, es una técnica que utiliza reactivos precursores gaseosos para generar películas sólidas mediante reacciones químicas atómicas e intermoleculares. A diferencia de la PVD, el proceso de CVD se lleva a cabo principalmente en un entorno de mayor presión (menor vacío), utilizándose esta mayor presión principalmente para aumentar la velocidad de deposición de la película. La deposición química en vapor se puede clasificar en CVD general (también conocida como CVD térmica) y deposición química en vapor mejorada con plasma (PECVD), según si el plasma interviene en el proceso de deposición. Esta sección se centra en la tecnología PECVD, incluyendo el proceso PECVD, los equipos de PECVD más utilizados y su principio de funcionamiento.
La deposición química en fase de vapor asistida por plasma es una técnica de deposición química en fase de vapor de película delgada que utiliza plasma de descarga luminiscente para influir en el proceso de deposición durante el proceso de deposición química en fase de vapor a baja presión. En este sentido, la tecnología CVD convencional se basa en temperaturas de sustrato más altas para lograr la reacción química entre sustancias en fase gaseosa y la deposición de películas delgadas, por lo que puede denominarse tecnología CVD térmica.
En el dispositivo PECVD, la presión del gas de trabajo es de aproximadamente 5 a 500 Pa, y la densidad de electrones e iones puede alcanzar 109 a 1012/cm³, mientras que la energía promedio de los electrones puede alcanzar 1 a 10 eV. Lo que distingue al método PECVD de otros métodos CVD es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación necesaria para el proceso de deposición química en fase de vapor. La colisión de electrones y moléculas en fase gaseosa puede promover los procesos de descomposición, quimiosíntesis, excitación e ionización de las moléculas de gas, generando grupos químicos altamente reactivos. Esto reduce significativamente el rango de temperatura de la deposición de película delgada por CVD, lo que permite realizar el proceso CVD, que originalmente se requería realizar a altas temperaturas, a bajas temperaturas. La ventaja de la deposición de película delgada a baja temperatura es que puede evitar la difusión y la reacción química innecesarias entre la película y el sustrato, los cambios estructurales y el deterioro de la película o del material del sustrato, y las altas tensiones térmicas en la película y el sustrato.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Hora de publicación: 18 de abril de 2024