Existen dos modos principales de deposición asistida por haz de iones: el híbrido dinámico y el híbrido estático. El primero se refiere a que el proceso de crecimiento de la película siempre está acompañado por una cierta energía y corriente de haz de bombardeo iónico. El segundo consiste en depositar previamente sobre la superficie del sustrato una capa de película de menos de unos pocos nanómetros de espesor, y posteriormente se aplica un bombardeo iónico dinámico, que puede repetirse muchas veces durante el crecimiento de la película.
Las energías del haz de iones elegidas para la deposición asistida por haz de iones de películas delgadas están en el rango de 30 eV a 100 keV. El rango de energía elegido depende del tipo de aplicación para la cual se está sintetizando la película. Por ejemplo, la preparación de protección contra la corrosión, antidesgaste mecánico, recubrimientos decorativos y otras películas delgadas deben seleccionarse con una energía de bombardeo más alta. Los experimentos muestran que, como la elección de una energía de 20 a 40 keV del bombardeo del haz de iones, el material del sustrato y la película en sí no afectarán el rendimiento y el uso del daño. En la preparación de películas delgadas para dispositivos ópticos y electrónicos, se debe seleccionar la deposición asistida por haz de iones de menor energía, que no solo reduce la adsorción de luz y evita la formación de defectos activados eléctricamente, sino que también facilita la formación de la estructura de estado estacionario de la membrana. Los estudios han demostrado que se pueden obtener películas con excelentes propiedades eligiendo energías iónicas inferiores a 500 eV.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Hora de publicación: 11 de marzo de 2024