Υπάρχουν δύο κύριοι τρόποι εναπόθεσης με υποβοήθηση δέσμης ιόντων, ο ένας είναι το δυναμικό υβρίδιο και ο άλλος είναι το στατικό υβρίδιο. Ο πρώτος αναφέρεται στην μεμβράνη κατά τη διαδικασία ανάπτυξης που συνοδεύεται πάντα από μια ορισμένη ενέργεια και ρεύμα δέσμης βομβαρδισμού ιόντων και μεμβράνης. Ο δεύτερος προ-εναποτίθεται στην επιφάνεια του υποστρώματος ένα στρώμα με πάχος μικρότερο από μερικά νανόμετρα του στρώματος μεμβράνης, και στη συνέχεια δυναμικός βομβαρδισμός ιόντων, και μπορεί να επαναληφθεί πολλές φορές και η ανάπτυξη του στρώματος μεμβράνης.
Οι ενέργειες δέσμης ιόντων που επιλέγονται για την εναπόθεση λεπτών μεμβρανών με υποβοήθηση δέσμης ιόντων κυμαίνονται από 30 eV έως 100 keV. Το επιλεγμένο εύρος ενέργειας εξαρτάται από τον τύπο εφαρμογής για την οποία συντίθεται η μεμβράνη. Για παράδειγμα, η παρασκευή προστασίας από τη διάβρωση, η αντιμηχανική φθορά, οι διακοσμητικές επιστρώσεις και άλλες λεπτές μεμβράνες θα πρέπει να επιλέγονται με υψηλότερη ενέργεια βομβαρδισμού. Τα πειράματα δείχνουν ότι, όπως η επιλογή ενέργειας 20 έως 40keV του βομβαρδισμού με δέσμη ιόντων, το υλικό του υποστρώματος και η ίδια η μεμβράνη δεν θα επηρεάσουν την απόδοση και τη χρήση της ζημιάς. Κατά την παρασκευή λεπτών μεμβρανών για οπτικές και ηλεκτρονικές συσκευές, θα πρέπει να επιλέγεται εναπόθεση με υποβοήθηση δέσμης ιόντων χαμηλότερης ενέργειας, η οποία όχι μόνο μειώνει την προσρόφηση φωτός και αποφεύγει τον σχηματισμό ηλεκτρικά ενεργοποιούμενων ελαττωμάτων, αλλά διευκολύνει επίσης τον σχηματισμό της δομής σταθερής κατάστασης της μεμβράνης. Μελέτες έχουν δείξει ότι μεμβράνες με εξαιρετικές ιδιότητες μπορούν να ληφθούν επιλέγοντας ενέργειες ιόντων χαμηλότερες από 500 eV.
– Αυτό το άρθρο δημοσιεύεται απόκατασκευαστής μηχανών επικάλυψης κενούGuangdong Zhenhua
Ώρα δημοσίευσης: 11 Μαρτίου 2024