1, Furmazione di cumposti metallichi nantu à a superficia di u bersagliu
Induve si forma u cumpostu in u prucessu di furmazione di un cumpostu da una superficia metallica di destinazione per mezu di un prucessu di sputtering reattivu? Siccomu a reazione chimica trà e particelle di gas reattive è l'atomi di a superficia di destinazione produce atomi di cumpostu, chì hè generalmente esotermica, u calore di reazione deve avè un modu per esse cunduttu fora, altrimenti a reazione chimica ùn pò cuntinuà. In cundizioni di vacuum, u trasferimentu di calore trà i gas ùn hè micca pussibule, dunque a reazione chimica deve avè locu nantu à una superficia solida. U sputtering di reazione genera cumposti nantu à e superfici di destinazione, e superfici di u substratu è altre superfici strutturali. Generà cumposti nantu à a superficia di u substratu hè l'ubbiettivu, generà cumposti nantu à altre superfici strutturali hè un sprecu di risorse, è generà cumposti nantu à a superficia di destinazione principia cum'è una fonte di atomi di cumposti è diventa una barriera per furnisce continuamente più atomi di cumposti.
2, I fattori d'impattu di l'avvelenamentu di u bersagliu
U fattore principale chì affetta l'avvelenamentu di u bersagliu hè u rapportu trà u gasu di reazione è u gasu di sputtering, troppu gasu di reazione porterà à l'avvelenamentu di u bersagliu. U prucessu di sputtering reattivu hè realizatu in a superficia di u bersagliu, l'area di u canale di sputtering pare esse cuperta da u compostu di reazione o u compostu di reazione hè spugliatu è riespostu à a superficia metallica. Se a velocità di generazione di u compostu hè più grande di a velocità di sputting di u compostu, l'area di cupertura di u compostu aumenta. À una certa putenza, a quantità di gasu di reazione implicatu in a generazione di u compostu aumenta è a velocità di generazione di u compostu aumenta. Se a quantità di gasu di reazione aumenta eccessivamente, l'area di cupertura di u compostu aumenta. È se a velocità di flussu di gasu di reazione ùn pò esse aghjustata in tempu, a velocità di aumentu di l'area di cupertura di u compostu ùn hè micca soppressa, è u canale di sputtering serà ulteriormente cupertu da u compostu, quandu u bersagliu di sputtering hè cumpletamente cupertu da u compostu, u bersagliu hè cumpletamente avvelenatu.
3, Fenomenu di avvelenamentu di u bersagliu
(1) Accumulazione di ioni pusitivi: quandu u bersagliu hè avvelenatu, si forma un stratu di film isolante nantu à a superficia di u bersagliu, l'ioni pusitivi ghjunghjenu à a superficia di u bersagliu di u catodu per via di u bloccu di u stratu isolante. Ùn entranu micca direttamente in a superficia di u bersagliu di u catodu, ma si accumulanu nantu à a superficia di u bersagliu, pruducendu facilmente un campu fretu per a scarica di l'arcu - arcu, in modu chì a sputtering di u catodu ùn pò micca cuntinuà.
(2) sparizione di l'anodu: quandu l'avvelenamentu di u bersagliu, u muru di a camera di vuoto messa à terra hà ancu depositatu una pellicola isolante, righjunghjendu l'anodu è l'elettroni ùn ponu micca entre in l'anodu, a furmazione di u fenomenu di sparizione di l'anodu.
4, Spiegazione fisica di l'avvelenamentu di u bersagliu
(1) In generale, u coefficientu di emissione di elettroni secundarii di i cumposti metallichi hè più altu ch'è quellu di i metalli. Dopu l'avvelenamentu di u bersagliu, a superficia di u bersagliu hè tutta cumposti metallichi, è dopu esse statu bombardatu da ioni, u numeru di elettroni secundarii liberati aumenta, ciò chì migliora a cunduttività di u spaziu è riduce l'impedenza di u plasma, purtendu à una tensione di sputtering più bassa. Questu riduce a velocità di sputtering. In generale, a tensione di sputtering di u sputtering di magnetron hè trà 400V-600V, è quandu si verifica l'avvelenamentu di u bersagliu, a tensione di sputtering hè significativamente ridutta.
(2) U bersagliu metallicu è u bersagliu cumpostu, a velocità di sputtering iniziale hè diversa, in generale u coefficientu di sputtering di u metallu hè più altu ch'è u coefficientu di sputtering di u cumpostu, dunque a velocità di sputtering hè bassa dopu l'avvelenamentu di u bersagliu.
(3) L'efficienza di sputtering di u gasu reattivu di sputtering hè inizialmente più bassa di l'efficienza di sputtering di u gasu inerte, dunque a velocità di sputtering cumpleta diminuisce dopu chì a proporzione di gasu reattivu aumenta.
5, Soluzioni per l'avvelenamentu di u bersagliu
(1) Aduttate un alimentatore di media frequenza o un alimentatore di radiofrequenza.
(2) Aduttà u cuntrollu in circuitu chjusu di l'afflussu di gas di reazione.
(3) Aduttà obiettivi gemelli
(4) Cuntrolla u cambiamentu di modu di rivestimentu: Prima di u rivestimentu, a curva di l'effettu di isteresi di l'avvelenamentu di u bersagliu hè raccolta in modu chì u flussu d'aria in entrata sia cuntrullatu à u fronte di a pruduzzione di l'avvelenamentu di u bersagliu per assicurà chì u prucessu sia sempre in u modu prima chì a velocità di deposizione cala bruscamente.
–Questu articulu hè publicatu da Guangdong Zhenhua Technology, un fabricatore di apparecchiature di rivestimentu à vuoto.
Data di publicazione: 7 di nuvembre di u 2022