Ci sò dui modi principali di deposizione assistita da fasciu di ioni, unu hè ibridu dinamicu; l'altru hè ibridu staticu. U primu si riferisce à u film in u prucessu di crescita hè sempre accumpagnatu da una certa energia è currente di fasciu di bombardamentu ionicu è film; u secondu hè pre-depositatu nantu à a superficia di u substratu un stratu di menu di uni pochi nanometri di spessore di u stratu di film, è dopu bombardamentu ionicu dinamicu, è pò esse ripetutu parechje volte è a crescita di u stratu di film.
L'energie di u fasciu di ioni scelte per a deposizione assistita da fasciu di ioni di film sottili sò in a gamma da 30 eV à 100 keV. A gamma di energia scelta dipende da u tipu d'applicazione per a quale u film hè sintetizatu. Per esempiu, a preparazione di prutezzione da a currusione, usura antimeccanica, rivestimenti decorativi è altri film sottili devenu esse scelti cù una energia di bombardamentu più alta. L'esperimenti mostranu chì, cum'è a scelta di l'energia da 20 à 40 keV di u bombardamentu di u fasciu di ioni, u materiale di u substratu è u film stessu ùn influenzeranu micca e prestazioni è l'usu di u dannu. In a preparazione di film sottili per dispositivi ottici è elettronichi, deve esse scelta una deposizione assistita da fasciu di ioni à energia più bassa, chì ùn solu riduce l'adsorbimentu di luce è evita a furmazione di difetti attivati elettricamente, ma facilita ancu a furmazione di a struttura à statu stazionariu di a membrana. Studi anu dimustratu chì i filmi cù proprietà eccellenti ponu esse ottenuti scegliendu energie ioniche inferiori à 500 eV.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 11 di marzu di u 2024