Magnetronsputtering ëmfaasst haaptsächlech den Entladungsplasma-Transport, d'Zilätzen, dënnschicht Oflagerung an aner Prozesser, wou d'Magnéitfeld um Magnetronsputteringprozess en Afloss huet. Am Magnetronsputteringsystem plus orthogonalt Magnéitfeld sinn d'Elektronen der Roll vun der Lorentzkraaft ënnerworf a maachen eng spiralfërmeg Trajektoriebewegung, mussen eng stänneg Kollisioun duerchféieren fir sech lues a lues op d'Anod ze beweegen. Wéinst der Kollisioun kënnen en Deel vun den Elektronen d'Anod erreechen, nodeems d'Energie kleng ass, an d'Hëtzt vum Bombardement um Substrat ass och net grouss. Zousätzlech, wéinst den Aschränkungen vun den Elektronen duerch d'Zilmagnéitfeld, ass de magnéiteschen Effekt an der Regioun, déi sech bannent der Entladungsbunn befënnt, an dësem lokale klenge Beräich vun der Elektronekonzentratioun ganz héich, an an der magnéitescher Effekt an der Regioun ausserhalb vun der Substratuewerfläch, besonnesch ewech vum Magnéitfeld no bei der Uewerfläch, ass d'Elektronekonzentratioun wéinst der Dispersioun vill méi niddreg a relativ gläichméisseg verdeelt, a souguer méi niddreg wéi ënner Dipolsputterbedingungen (wéinst dem Drockënnerscheed vun zwou Aarbechtsgaser vun enger Gréisstenuerdnung). Déi niddreg Dicht vun Elektronen, déi d'Uewerfläch vum Substrat bombardéieren, sou datt d'Bombardement vum Substrat duerch den niddregen Temperaturanstieg verursaacht gëtt, wat den Haaptmechanismus vum Temperaturanstieg vum Magnetron-Sputtering-Substrat ass, niddreg ass. Zousätzlech, wann et nëmmen en elektrescht Feld gëtt, erreechen d'Elektronen d'Anode no enger ganz kuerzer Distanz, an d'Wahrscheinlechkeet vun enger Kollisioun mam Aarbechtsgas ass nëmmen 63,8%. An andeems d'Magnéitfeld dobäigesat gëtt, beweegen d'Elektronen sech am Prozess vun der Bewegung op d'Anode fir eng Spiralbewegung ze maachen, bindt d'Magnéitfeld an verlängert d'Trajektorie vun den Elektronen, wat d'Wahrscheinlechkeet vun enger Kollisioun vun Elektronen an Aarbechtsgase staark erhéicht, wat d'Optriede vun Ioniséierung staark fördert, Ioniséierung an dann erëm produzéierend Elektronen och un de Prozess vun der Kollisioun deelhuelen, d'Wahrscheinlechkeet vun enger Kollisioun ëm e puer Gréisstenuerdnungen erhéicht ka ginn, d'Energie vun den Elektronen effektiv ausnotzt, an doduerch zu der Bildung vun héijer Dicht. D'Plasmadicht erhéicht sech an der anormaler Glühungsentladung vum Plasma. D'Rate vum Aussputteren vun Atomer aus dem Zil gëtt och erhéicht, an d'Zilsputteren, verursaacht duerch de Bombardement vum Zil duerch positiv Ionen, ass méi effektiv, wat de Grond fir déi héich Rate vun der Magnetronsputteroflagerung ass. Zousätzlech kann d'Präsenz vum Magnéitfeld och dozou féieren, datt de Sputtersystem bei engem méi niddrege Loftdrock funktionéiert, en niddrege Loftdrock vun 1 kann Ionen an der Regioun vun der Hülleschicht produzéieren, fir d'Kollisioun ze reduzéieren, d'Bombardement vum Zil mat enger relativ grousser kinetischer Energie, an den Dag fir d'Sputterung vun den Zilatome an d'Kollisioun vum neutrale Gas ze reduzéieren, fir ze verhënneren, datt d'Zilatome op d'Mauer vum Apparat verstreet oder op d'Zilooberfläche zréckgeprallt ginn, fir d'Rate an d'Qualitéit vun der Dënnschichtoflagerung ze verbesseren.
D'Magnéitfeld vum Zil kann d'Trajectoire vun den Elektronen effektiv beschränken, wat dann d'Plasmaeegeschafte an d'Ätze vun Ionen um Zil beaflosst.
Spuer: D'Erhéijung vun der Uniformitéit vum Magnéitfeld vum Zil kann d'Uniformitéit vun der Ätzung vun der Ziluewerfläch erhéijen, wouduerch d'Auslastung vum Zilmaterial verbessert gëtt; eng raisonnabel Verdeelung vum elektromagnetesche Feld kann och d'Stabilitéit vum Sputterprozess effektiv verbesseren. Dofir ass fir e Magnetron-Sputterzil d'Gréisst an d'Verdeelung vum Magnéitfeld extrem wichteg.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 14. Dezember 2023