ۋاكۇئۇم ماگنىترون پۈركۈش ئۇسۇلى ئالاھىدە رېئاكتىپ چۆكمە قاپلىمىلىرىغا ماس كېلىدۇ. ئەمەلىيەتتە، بۇ جەريان ھەر قانداق ئوكسىد، كاربىد ۋە نىترىد ماتېرىياللىرىنىڭ نېپىز پەردىلىرىنى چۆكتۈرەلەيدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، بۇ جەريان يەنە كۆپ قەۋەتلىك پەردە قۇرۇلمىلىرىنى، جۈملىدىن ئوپتىكىلىق لايىھەلەر، رەڭلىك پەردىلەر، ئۇپراشقا چىداملىق قاپلىمىلار، نانو لامىناتلار، ئۈستۈنكى تور قاپلىمىلىرى، ئىزولياتسىيە پەردىلىرى قاتارلىقلارنى چۆكتۈرۈشكىمۇ ماس كېلىدۇ. 1970-يىللاردىن باشلاپ، ھەر خىل ئوپتىكىلىق پەردە قەۋىتى ماتېرىياللىرى ئۈچۈن يۇقىرى سۈپەتلىك ئوپتىكىلىق پەردە چۆكتۈرۈش ئۈلگىلىرى ئىجاد قىلىنغان. بۇ ماتېرىياللار سۈزۈك ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار، يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەر، پولىمېرلار، ئوكسىدلار، كاربىدلار ۋە نىترىدلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، فتور بولسا پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلىمىلىرى قاتارلىق جەريانلاردا ئىشلىتىلىدۇ.
ماگنىترون پۈركۈش جەريانىنىڭ ئاساسلىق ئەۋزەللىكى، بۇ ماتېرىياللارنىڭ قەۋەتلىرىنى قاپلاش ئۈچۈن ئاكتىپ ياكى ئاكتىپ ئەمەس قاپلاش جەريانلىرىنى ئىشلىتىش ۋە قەۋەتنىڭ تەركىبى، پەردە قېلىنلىقى، پەردە قېلىنلىقىنىڭ بىردەكلىكى ۋە قەۋەتنىڭ مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەتلىرىنى ياخشى كونترول قىلىشتۇر. بۇ جەريان تۆۋەندىكىدەك ئالاھىدىلىكلەرگە ئىگە.
1، يۇقىرى چۆكمە سۈرئىتى. يۇقىرى سۈرئەتلىك ماگنىترون ئېلېكترودلىرى ئىشلىتىلگەنلىكتىن، يۇقىرى ئىئون ئېقىمىغا ئېرىشكىلى بولىدۇ، بۇ قاپلاش جەريانىنىڭ چۆكمە سۈرئىتى ۋە پۈركۈش سۈرئىتىنى ئۈنۈملۈك ياخشىلايدۇ. باشقا پۈركۈش قاپلاش جەريانلىرىغا سېلىشتۇرغاندا، ماگنىترون پۈركۈش يۇقىرى سىغىمى ۋە يۇقىرى مەھسۇلاتقا ئىگە بولۇپ، ھەر خىل سانائەت ئىشلەپچىقىرىشىدا كەڭ قوللىنىلىدۇ.
2، يۇقىرى توك ئۈنۈمى. ماگنىترونلۇق پۈركۈش نىشانى ئادەتتە 200V-1000V ئارىلىقىدىكى توك بېسىمىنى تاللايدۇ، ئادەتتە 600V بولىدۇ، چۈنكى 600V توك بېسىمى ئەڭ يۇقىرى توك ئۈنۈمى دائىرىسى ئىچىدە.
3. تۆۋەن چاچراش ئېنېرگىيەسى. ماگنىترون نىشان توك بېسىمى تۆۋەن ئىشلىتىلىدۇ، ماگنىت مەيدانى پلازمىنى كاتودقا يېقىنلاشتۇرۇپ، يۇقىرى ئېنېرگىيەلىك زەرەتلەنگەن زەررىچىلەرنىڭ ئاساسىي قاتلامغا چۈشۈشىنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.
4، تۆۋەن ئاساسىي قاتلام تېمپېراتۇرىسى. ئانودنى قويۇپ بېرىش جەريانىدا ھاسىل بولغان ئېلېكترونلارنى يېتەكلەشكە ئىشلىتىشكە بولىدۇ، ئاساسىي قاتلامنى تولۇقلاش ئۈچۈن تىرەك لازىم ئەمەس، بۇ ئاساسىي قاتلامنىڭ ئېلېكترون بومباردىمانىنى ئۈنۈملۈك ئازايتالايدۇ. شۇڭا ئاساسىي قاتلام تېمپېراتۇرىسى تۆۋەن بولىدۇ، بۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق قاپلاشقا ئانچە چىداملىق بولمىغان بەزى پلاستىك ئاساسىي قاتلاملار ئۈچۈن ناھايىتى ماس كېلىدۇ.
5، ماگنىترون پۈركۈش نىشان يۈزىنىڭ ئويۇلۇشى تەكشى ئەمەس. ماگنىترون پۈركۈش نىشان يۈزىنىڭ ئويۇلۇشىنىڭ تەكشى بولماسلىقى نىشاننىڭ ماگنىت مەيدانىنىڭ تەكشى بولماسلىقىدىن كېلىپ چىقىدۇ. نىشاننىڭ ئورنىنىڭ ئويۇش سۈرئىتى چوڭراق بولغاچقا، نىشاننىڭ ئۈنۈملۈك ئىشلىتىش نىسبىتى تۆۋەن بولىدۇ (پەقەت %20-30 ئىشلىتىش نىسبىتى). شۇڭا، نىشاننىڭ ئىشلىتىلىشىنى ياخشىلاش ئۈچۈن، ماگنىت مەيدانىنىڭ تارقىلىشىنى بەلگىلىك ئۇسۇللار بىلەن ئۆزگەرتىش كېرەك، ياكى كاتودتا ھەرىكەتلىنىۋاتقان ماگنىتلارنى ئىشلىتىش نىشاننىڭ ئىشلىتىلىشىنى ياخشىلىيالايدۇ.
6، بىرىكمە نىشان. بىرىكمە نىشان قاپلاش قېتىشمىسى پىلاستىنكىسى ياسىيالايدۇ. ھازىر، بىرىكمە ماگنىترون نىشان پۈركۈش جەريانى Ta-Ti قېتىشمىسى، (Tb-Dy)-Fe ۋە Gb-Co قېتىشمىسى پىلاستىنكىسىغا مۇۋەپپەقىيەتلىك قاپلاندى. بىرىكمە نىشان قۇرۇلمىسى ئايرىم-ئايرىم ھالدا تۆت خىل بولۇپ، يۇمىلاق قاپلانغان نىشان، چاسا قاپلانغان نىشان، كىچىك چاسا قاپلانغان نىشان ۋە سېكتور قاپلانغان نىشان. سېكتور قاپلانغان نىشان قۇرۇلمىسىنى ئىشلىتىش تېخىمۇ ياخشى.
7. كەڭ دائىرىلىك قوللىنىش دائىرىسى. ماگنىترون پۈركۈش جەريانى نۇرغۇن ئېلېمېنتلارنى قويۇپ بېرەلەيدۇ، كۆپ ئۇچرايدىغانلىرى: Ag، Au، C، Co، Cu، Fe، Ge، Mo، Nb، Ni، Os، Cr، Pd، Pt، Re، Rh، Si، Ta، Ti، Zr، SiO، AlO، GaAs، U، W، SnO قاتارلىقلار.
ماگنىترون پۈركۈش يۇقىرى سۈپەتلىك پىلىنكىلارغا ئېرىشىش ئۈچۈن ئەڭ كەڭ قوللىنىلىدىغان قاپلاش جەريانلىرىنىڭ بىرى. يېڭى كاتود ئارقىلىق، ئۇنىڭ نىشانلىق ئىشلىتىلىشى يۇقىرى ۋە چۆكۈش نىسبىتى يۇقىرى. گۇاڭدۇڭ جېنخۇا تېخنىكىسىنىڭ ۋاكۇئۇم ماگنىترون پۈركۈش قاپلاش جەريانى ھازىر كەڭ كۆلەملىك ئاساسىي قاتلاملارنى قاپلاشتا كەڭ قوللىنىلىۋاتىدۇ. بۇ جەريان پەقەت بىر قەۋەتلىك پىلىنكىلارنى قاپلاش ئۈچۈنلا ئەمەس، بەلكى كۆپ قەۋەتلىك پىلىنكىلارنى قاپلاش ئۈچۈنمۇ ئىشلىتىلىدۇ، بۇنىڭدىن باشقا، ئۇ يەنە ئوراپ قاچىلاش پىلىنكىسى، ئوپتىكىلىق پىلىنكىلار، لامىناتسىيە ۋە باشقا پىلىنكىلارنى قاپلاش ئۈچۈن روللاش-روللاش جەريانلىرىدا ئىشلىتىلىدۇ.
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 5-ئاينىڭ 31-كۈنى
