ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของเทคโนโลยีการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง TGV (Through Glass Via) กำลังกลายเป็นโซลูชันการเชื่อมต่อที่สำคัญสำหรับแผ่นกระจกอย่างค่อยเป็นค่อยไป ด้วยข้อดีของค่าการสูญเสียไดอิเล็กตริกต่ำ เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ความแม่นยำในการขึ้นรูปสูง และคุณสมบัติการเป็นฉนวนที่แข็งแกร่ง TGV จึงแสดงประสิทธิภาพที่โดดเด่นในด้านการสื่อสารด้วยแสง MEMS เซ็นเซอร์ และการเชื่อมต่อความเร็วสูง และกำลังขยายไปสู่การใช้งานระดับสูงมากขึ้นในปัจจุบัน
อย่างไรก็ตาม วิวัฒนาการของโครงสร้าง TGV ยังนำมาซึ่งความท้าทายในการผลิตใหม่ๆ เช่น เส้นผ่านศูนย์กลางของรูทะลุที่เล็ลง รูปทรงเรขาคณิตที่ซับซ้อนมากขึ้น และอัตราส่วนความกว้างต่อความสูงที่เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ภายใต้เงื่อนไขของเส้นผ่านศูนย์กลางรูทะลุ 30 ไมโครเมตร และอัตราส่วนความกว้างต่อความสูงที่เกิน 10:1 การทำให้ชั้นเริ่มต้น (seed layer) ภายในรูทะลุมีความสม่ำเสมอได้รับการยอมรับมานานแล้วว่าเป็นหนึ่งในปัญหาคอขวดที่สำคัญที่สุด แม้ว่าจะมองเห็นได้น้อยในห่วงโซ่กระบวนการ แต่ขั้นตอนนี้เป็นตัวกำหนดประสิทธิภาพทางไฟฟ้าและความน่าเชื่อถือในระยะยาวของอุปกรณ์โดยตรง
อันดับ 1 ความท้าทายในปัจจุบันในการเคลือบไมโครไวอา
ในกระบวนการ TGV และ TSV เส้นผ่านศูนย์กลางของรูเจาะทั่วไปอาจเล็กถึง 30 ไมโครเมตร โดยมีอัตราส่วนความกว้างต่อความลึกมากกว่า 10:1 ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้ วิธีการเคลือบแบบดั้งเดิมจึงมีข้อจำกัดหลายประการ:
บริเวณที่การสะสมตัวไม่ต่อเนื่อง: ผลกระทบจากเงาที่รุนแรงตามผนังด้านข้างของรูเชื่อมต่อ มักนำไปสู่การก่อตัวของฟิล์มที่ไม่ต่อเนื่อง ซึ่งบั่นทอนการนำไฟฟ้าและความแน่นหนาของวัสดุ
ความไม่สม่ำเสมอของความหนาฟิล์ม: ความแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญของอัตราการสะสมระหว่างช่องเปิดและด้านล่างของรูเชื่อมต่อ ส่งผลให้เกิดปัญหาความต้านทานเฉพาะจุด
ความเข้ากันได้ของวัสดุหลายชนิดไม่เพียงพอ: เมื่อทำการเคลือบวัสดุหลายชนิด เช่น ทองแดง ไทเทเนียม ทังสเตน นิกเกล และแพลทินัม ลงบนพื้นผิวแก้วหรือซิลิคอน การรับประกันทั้งการยึดเกาะและความสม่ำเสมอในทุกชั้นนั้นทำได้ยาก
ปัญหาเหล่านี้ส่งผลกระทบโดยตรงต่อผลผลิต เพิ่มความเสี่ยงในการแก้ไขงานซ้ำและต้นทุนกระบวนการ และจำกัดประสิทธิภาพการผลิตในปริมาณมาก
หมายเลข 2. โซลูชันการเคลือบรูลึกสุญญากาศ ZHENHUA
ข้อดีของอุปกรณ์:
การเคลือบ Deep-Via ที่ได้รับการปรับให้เหมาะสม
ด้วยเทคโนโลยีการเคลือบรูลึกที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ ZHENHUA ทำให้สามารถเคลือบชั้นเริ่มต้นได้อย่างสม่ำเสมอแม้ในรูที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางเล็กเพียง 30 ไมโครเมตร โดยมีอัตราส่วนความกว้างต่อความสูงเกิน 10:1 ซึ่งเอาชนะความท้าทายที่มีมายาวนานในการเคลือบรูลึกที่ซับซ้อนได้
การปรับแต่งตามความต้องการ รองรับวัสดุพิมพ์หลายขนาด
สามารถประมวลผลแผ่นกระจกขนาดต่างๆ ได้ รวมถึงขนาด 600×600 มม., 510×515 มม. และขนาดที่ใหญ่กว่านั้น
ความยืดหยุ่นของกระบวนการผลิต พร้อมความเข้ากันได้กับวัสดุหลากหลายชนิด
ระบบนี้รองรับฟิล์มบางที่มีคุณสมบัติเป็นตัวนำไฟฟ้าและใช้งานได้หลากหลาย เช่น Cu, Ti, W, Ni และ Pt ทำให้สามารถสร้างโซลูชันที่ปรับแต่งได้ตามความต้องการทั้งด้านการนำไฟฟ้าและความต้านทานการกัดกร่อน
ประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ที่เสถียรและการบำรุงรักษาที่ง่าย
อุปกรณ์นี้มาพร้อมกับระบบควบคุมอัจฉริยะ ช่วยให้สามารถปรับพารามิเตอร์อัตโนมัติและตรวจสอบความสม่ำเสมอของความหนาของฟิล์มแบบเรียลไทม์ การออกแบบแบบโมดูลาร์ช่วยให้บำรุงรักษาง่ายและลดเวลาหยุดทำงาน
ขอบเขตการใช้งาน:
เหมาะสำหรับกระบวนการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง TGV/TSV/TMV ซึ่งช่วยให้สามารถเคลือบชั้นเมล็ดในโครงสร้างรูลึกที่มีอัตราส่วนความกว้างต่อความสูงได้ถึง 10:1
เนื่องจากตลาดบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงยังคงขยายตัวอย่างต่อเนื่อง ความต้องการไมโครเวียและโครงสร้างที่มีอัตราส่วนความสูงต่อความกว้างสูงก็จะเพิ่มขึ้นอีก เทคโนโลยีการเคลือบแบบดีปเวียของ ZHENHUA Vacuum นำเสนอโซลูชันที่ปรับขนาดได้และพร้อมสำหรับการผลิตจำนวนมาก เพื่อแก้ปัญหาความท้าทายที่สำคัญในการเคลือบในกระบวนการบรรจุภัณฑ์ TGV และกระบวนการบรรจุภัณฑ์ยุคใหม่อื่นๆ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพบรรจุภัณฑ์และความสม่ำเสมอของผลิตภัณฑ์
—บทความนี้เผยแพร่โดย อุปกรณ์เคลือบสุญญากาศ ผู้ผลิต Zhenhua Vacuum
วันที่เผยแพร่: 18 สิงหาคม 2568