Com o rápido desenvolvimento de tecnologias avançadas de encapsulamento, a TGV (Through Glass Via) está gradualmente se tornando uma solução de interconexão essencial para substratos de vidro. Aproveitando suas vantagens de baixa perda dielétrica, excelente estabilidade térmica, alta precisão de usinagem e fortes propriedades de isolamento, a TGV tem demonstrado desempenho excepcional em comunicações ópticas, MEMS, sensores e interconexões de alta velocidade, e agora está se expandindo para cenários de aplicação ainda mais sofisticados.
No entanto, a evolução das estruturas TGV também traz novos desafios de fabricação: diâmetros de vias menores, geometrias mais complexas e proporções de aspecto cada vez maiores. Em particular, sob condições de diâmetro de via de 30 μm e proporções de aspecto superiores a 10:1, a obtenção de uma deposição uniforme da camada de semente dentro da via passante é reconhecida há muito tempo como um dos gargalos mais críticos. Embora menos visível na cadeia de processos, essa etapa determina diretamente o desempenho elétrico do dispositivo e sua confiabilidade a longo prazo.
Nº 1: Desafios atuais no revestimento de microvias
Nos processos TGV e TSV, os diâmetros típicos das vias podem ser tão pequenos quanto 30 μm, com requisitos de relação de aspecto superiores a 10:1. Nessas condições, os métodos de revestimento convencionais enfrentam diversas limitações:
Zonas mortas de deposição: Fortes efeitos de sombreamento ao longo das paredes laterais das vias frequentemente levam à formação de filmes descontínuos, comprometendo a condutividade e a hermeticidade.
Não uniformidade na espessura do filme: Diferenças significativas na taxa de deposição entre as aberturas dos furos e os fundos resultam em problemas de resistividade local.
Compatibilidade insuficiente entre múltiplos materiais: Ao depositar múltiplos materiais, como Cu, Ti, W, Ni e Pt, em substratos de vidro ou silício, é difícil garantir tanto a adesão quanto a uniformidade em todas as camadas.
Esses problemas impactam diretamente o rendimento, aumentam o risco de retrabalho e o custo do processo, além de restringir a eficiência da produção em larga escala.
Nº 2. Solução de Revestimento de Vias Profundas a Vácuo ZHENHUA
Vantagens do equipamento:
Revestimento otimizado para vias profundas
Com a tecnologia proprietária de revestimento de vias profundas da ZHENHUA, é possível obter uma deposição uniforme da camada de semente mesmo em vias com diâmetro de apenas 30 μm, com proporções superiores a 10:1, superando desafios de longa data no revestimento de vias profundas complexas.
Personalização sob demanda, suporte para substratos de vários tamanhos.
Capaz de processar substratos de vidro de diferentes tamanhos, incluindo 600×600 mm, 510×515 mm e formatos maiores.
Flexibilidade de processo com compatibilidade multimaterial
O sistema suporta filmes finos condutores e funcionais, como Cu, Ti, W, Ni e Pt, possibilitando soluções personalizadas para requisitos de condutividade elétrica e resistência à corrosão.
Desempenho estável do equipamento e fácil manutenção.
Equipado com um sistema de controle inteligente, o equipamento permite o ajuste automático de parâmetros e o monitoramento em tempo real da uniformidade da espessura do filme. O design modular garante facilidade de manutenção e reduz o tempo de inatividade.
Âmbito de aplicação:
Aplicável a processos de encapsulamento avançado TGV/TSV/TMV, permitindo o revestimento da camada de semente em estruturas de vias profundas com relações de aspecto de até 10:1.
Com a expansão contínua do mercado de embalagens avançadas, a demanda por microvias e estruturas de alta relação de aspecto aumentará ainda mais. A tecnologia de revestimento de vias profundas da ZHENHUA Vacuum oferece uma solução escalável e pronta para produção em massa para os desafios críticos de revestimento em TGV e outros processos de embalagem de última geração, aprimorando a eficiência da embalagem e a consistência do produto.
—Este artigo foi publicado por equipamento de revestimento a vácuo Fabricante Zhenhua Vacuum
Data da publicação: 18/08/2025

