Առաջադեմ փաթեթավորման տեխնոլոգիաների արագ զարգացման հետ մեկտեղ, TGV-ն (Through Glass Via) աստիճանաբար դառնում է ապակե հիմքերի համար հիմնական միջկապակցման լուծում: Օգտագործելով ցածր դիէլեկտրիկ կորստի, գերազանց ջերմային կայունության, բարձր մշակման ճշգրտության և ուժեղ մեկուսացման հատկությունների առավելությունները, TGV-ն ցուցաբերել է բացառիկ արդյունավետություն օպտիկական հաղորդակցությունների, MEMS-ների, սենսորների և բարձր արագության միջկապակցումների ոլորտներում և այժմ ընդլայնվում է ավելի բարձրակարգ կիրառման սցենարներում:
Սակայն, TGV կառուցվածքների զարգացումը նաև նոր արտադրական մարտահրավերներ է բերում՝ անցքերի փոքր տրամագծեր, ավելի բարդ երկրաչափություններ և անընդհատ աճող կողմերի հարաբերակցություններ: Մասնավորապես, 30 մկմ անցքերի տրամագծի և 10:1-ից բարձր կողմերի հարաբերակցության պայմաններում, անցքերի ներսում միատարր սերմնային շերտի նստեցման ապահովումը վաղուց ճանաչվել է որպես ամենակարևոր խոչընդոտներից մեկը: Չնայած գործընթացային շղթայում պակաս տեսանելի լինելուն, այս քայլը ուղղակիորեն որոշում է սարքի էլեկտրական աշխատանքը և երկարաժամկետ հուսալիությունը:
Միկրո-Վիա ծածկույթի թիվ 1 արդիական մարտահրավերները
TGV և TSV գործընթացներում անցքերի տրամագծերը կարող են լինել ընդամենը 30 մկմ, իսկ կողմերի հարաբերակցության պահանջները՝ ավելի քան 10:1: Այս պայմաններում ավանդական ծածկույթի մեթոդները բախվում են մի շարք սահմանափակումների.
Մեռյալ գոտիների նստեցում. Կողմնային պատերի երկայնքով ուժեղ ստվերային էֆեկտները հաճախ հանգեցնում են անընդհատ թաղանթների առաջացմանը, խաթարելով հաղորդականությունը և հերմետիկությունը։
Թաղանթի հաստության անհավասարություն. անցքերի և հատակների միջև նստեցման արագության զգալի տարբերությունները հանգեցնում են տեղային դիմադրության խնդիրների։
Անբավարար բազմանյութային համատեղելիություն. Երբ ապակե կամ սիլիցիումային հիմքերի վրա նստեցնում են բազմաթիվ նյութեր, ինչպիսիք են Cu, Ti, W, Ni և Pt, դժվար է ապահովել բոլոր շերտերի կպչունությունը և միատարրությունը։
Այս խնդիրները անմիջականորեն ազդում են արտադրողականության վրա, մեծացնում են վերամշակման ռիսկը և գործընթացի արժեքը, ինչպես նաև սահմանափակում են մեծ ծավալի արտադրության արդյունավետությունը։
№2. ZHENHUA վակուումային խորը անցումային ծածկույթի լուծույթ
Սարքավորումների առավելությունները՝
Օպտիմիզացված խորը անցումային ծածկույթ
ZHENHUA-ի սեփական խորը անցքերի ծածկույթի տեխնոլոգիայի շնորհիվ, միատարր սերմերի շերտի նստեցմանը կարելի է հասնել նույնիսկ 30 մկմ տրամագծով անցքերի մեջ՝ 10:1-ից բարձր կողմերի հարաբերակցությամբ՝ հաղթահարելով բարդ խորը անցքերի ծածկույթի վաղեմի մարտահրավերները։
Ըստ պահանջի հարմարեցում, բազմաչափ հիմքերի աջակցություն
Կարող է մշակել տարբեր չափերի ապակե հիմքեր, այդ թվում՝ 600×600 մմ, 510×515 մմ և ավելի մեծ ձևաչափերով։
Գործընթացի ճկունություն՝ բազմանյութային համատեղելիությամբ
Համակարգը աջակցում է հաղորդիչ և ֆունկցիոնալ բարակ թաղանթներին, ինչպիսիք են Cu, Ti, W, Ni և Pt-ն, հնարավորություն տալով հարմարեցված լուծումներ գտնել ինչպես էլեկտրական հաղորդունակության, այնպես էլ կոռոզիոն դիմադրության պահանջների համար։
Կայուն սարքավորումների աշխատանք և հեշտ սպասարկում
Հագեցած լինելով ինտելեկտուալ կառավարման համակարգով, սարքավորումը հնարավորություն է տալիս ավտոմատ կերպով կարգավորել պարամետրերը և իրական ժամանակում վերահսկել թաղանթի հաստության միատարրությունը: Մոդուլային դիզայնը ապահովում է սպասարկման հեշտությունը և կրճատում է պարապուրդի ժամանակը:
Կիրառման շրջանակը.
Կիրառելի է TGV/TSV/TMV առաջադեմ փաթեթավորման գործընթացներում, որը հնարավորություն է տալիս սերմերի շերտը ծածկել խորը անցուղի ունեցող կառուցվածքներում՝ մինչև 10:1 կողմերի հարաբերակցությամբ։
Քանի որ առաջադեմ փաթեթավորման շուկան շարունակում է ընդլայնվել, միկրո-անցուղիների և բարձր ասպեկտային հարաբերակցությամբ կառուցվածքների պահանջարկը կշարունակի աճել: ZHENHUA Vacuum-ի խորը անցուղիների ծածկույթի տեխնոլոգիան ապահովում է մասշտաբային, զանգվածային արտադրության համար պատրաստ լուծում TGV-ի և այլ հաջորդ սերնդի փաթեթավորման գործընթացների ծածկույթի կարևորագույն մարտահրավերների համար՝ բարելավելով փաթեթավորման արդյունավետությունը և արտադրանքի հետևողականությունը:
— Այս հոդվածը հրապարակվել է վակուումային ծածկույթների սարքավորումներ արտադրող Zhenhua Vacuum
Հրապարակման ժամանակը. Օգոստոսի 18-2025