Vakuummagnetronsputtering ass besonnesch gëeegent fir reaktiv Oflagerungsbeschichtungen. Tatsächlech kënnen dëse Prozess dënn Schichten aus all Oxid-, Karbid- a Nitridmaterialien ofsetzen. Zousätzlech ass de Prozess och besonnesch gëeegent fir d'Ofsetzung vu Méischichten-Filmstrukturen, dorënner optesch Designen, Faarffilmer, verschleißbeständeg Beschichtungen, Nano-Laminater, Supergitterbeschichtungen, Isolatiounsfilmer, etc. Schonn an den 1970er Joren goufen héichqualitativ optesch Filmoflagerungsbeispiller fir eng Vielfalt vun optesche Filmschichtmaterialien entwéckelt. Dës Materialien enthalen transparent leetfäeg Materialien, Hallefleeder, Polymeren, Oxiden, Karbiden an Nitriden, während Fluoriden a Prozesser wéi Verdampfungsbeschichtung benotzt ginn.
Den Haaptvirdeel vum Magnetron-Sputterprozess ass d'Benotzung vu reaktiven oder net-reaktiven Beschichtungsprozesser fir Schichten vun dëse Materialien ofzesetzen an d'Schichtzesummesetzung, d'Schichtdicke, d'Uniformitéit vun der Schichtdicke an d'mechanesch Eegeschafte vun der Schicht gutt ze kontrolléieren. De Prozess huet déi folgend Charakteristiken.
1. Grouss Oflagerungsquote. Duerch d'Benotzung vun Héichgeschwindegkeets-Magnetronelektroden kann e groussen Ionenfloss erreecht ginn, wat d'Oflagerungsquote an d'Sputterquote vun dësem Beschichtungsprozess effektiv verbessert. Am Verglach mat anere Sputterbeschichtungsprozesser huet d'Magnetronsputterung eng héich Kapazitéit an en héije Rendement a gëtt wäit verbreet a verschiddenen industrielle Produktiounen agesat.
2. Héich Energieeffizienz. D'Magnetron-Sputterziele wielen normalerweis eng Spannung am Beräich vun 200V-1000V, normalerweis 600V, well d'Spannung vu 600V just am héchsten effektive Beräich vun der Energieeffizienz läit.
3. Niddreg Sputterenergie. D'Zilspannung vum Magnetron gëtt niddreg ugewannt, an d'Magnéitfeld beschränkt de Plasma no bei der Kathod, wat verhënnert, datt méi héichenergieg geluede Partikelen op de Substrat landen.
4. Niddreg Substrattemperatur. D'Anode kann benotzt ginn, fir d'Elektronen, déi während der Entladung generéiert ginn, ewechzeféieren, ouni datt de Substrat ënnerstëtzt muss ginn, wat d'Elektronebombardement vum Substrat effektiv reduzéiere kann. Sou ass d'Substrattemperatur niddreg, wat ganz ideal ass fir verschidde Plastiksubstrater, déi net ganz resistent géint Héichtemperaturbeschichtunge sinn.
5. D'Ätze vun der Zilfläch beim Magnetronsputteren ass net gläichméisseg. D'Ongläichméisseg Ätze vun der Zilfläch beim Magnetronsputteren gëtt duerch dat ongläicht Magnéitfeld vum Zil verursaacht. D'Ätze vun der Zilpositioun ass méi grouss, sou datt déi effektiv Auslastungsquote vum Zil niddreg ass (nëmmen 20-30% Auslastungsquote). Dofir muss, fir d'Zilauslastung ze verbesseren, d'Magnéitfeldverdeelung op verschidde Manéiere geännert ginn, oder d'Benotzung vu Magnete, déi sech an der Kathod beweegen, kann och d'Zilauslastung verbesseren.
6. Komposit-Zil. Kann eng Legierungsfilm fir Komposit-Ziler hierstellen. Aktuell gouf d'Benotzung vum Sputtering-Prozess vu Komposit-Magnetron-Ziler erfollegräich op Ta-Ti-Legierungen, (Tb-Dy)-Fe- a Gb-Co-Legierungsfilmer beschichtet. Et gëtt véier Zorte vu Komposit-Zilstrukturen, nämlech dat ronnt agebaute Zil, dat quadratescht agebaute Zil, dat klengt quadratescht agebaute Zil an dat sektoralt agebaute Zil. D'Benotzung vun der sektoralt agebauter Zilstruktur ass besser.
7. Breet Palette vun Uwendungen. De Magnetron-Sputterprozess kann vill Elementer ofsetzen, déi üblech sinn: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti, Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO, etc.
Magnetronsputtering ass ee vun de meescht verbreeten Beschichtungsprozesser fir héichqualitativ Filmer ze kréien. Mat enger neier Kathod huet et eng héich Zilauslastung an eng héich Oflagerungsquote. De Vakuummagnetronsputtering-Beschichtungsprozess vun der Guangdong Zhenhua Technology gëtt elo wäit verbreet fir d'Beschichtung vu groussflächege Substrater benotzt. De Prozess gëtt net nëmme fir Eenzelschicht-Filmablagerung benotzt, mä och fir Méischicht-Filmbeschichtung, zousätzlech gëtt en och am Roll-to-Roll-Prozess fir Verpackungsfolie, optesch Folie, Laminéierung an aner Filmbeschichtungen benotzt.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 31. Mee 2024