Epitaksial ösüş, köplenç epitaksiýa diýlip hem atlandyrylýar, ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary ýasamakda iň möhüm proseslerden biridir. Epitaksial ösüş diýilýän zat, bir önüm filmi gatlagynyň ösmegi üçin bir kristal substratda belli bir şertlerde bolýar, bir kristal filmiň ösmegine epitaksial gatlak epitaksial tehnologiýa diýilýär, 1960-njy ýyllaryň başynda kremniniň ýeke-täk kristal inçe film gözleginde ýarym asyr töweregi ösüşiň ýüze çykmagy esasynda adamlar dürli ýarymgeçiriji filmleriň ösüşini amala aşyryp bildiler. Epitaksial tehnologiýa ýarymgeçirijiniň diskret komponentlerinde we integral zynjyrlarda köp meseläni çözdi, enjamyň işleýşini ep-esli ýokarlandyrdy. Epitaksial film onuň galyňlygyny we doping aýratynlyklaryny has takyk dolandyryp biler, bu aýratynlyk ýarymgeçirijiniň integral zynjyrlarynyň çalt ösmegine, has kämil tapgyra çykmagyna sebäp boldy. Silikon ýekeje kristal, dilimlemek, üwemek, ýuwmak we beýleki gaýtadan işlemek usullary bilen, ýalpyldawuk list almak üçin, onuň üstünde aýratyn komponentler we integral zynjyrlar ýasap bilersiňiz. Manyöne köp halatlarda bu ýalpyldawuk list diňe substrat üçin mehaniki goldaw hökmünde, ilki bilen degişli geçirijilik we garşylyk görnüşi bilen bir kristal filmiň bir gatlagyny ösdürip ýetişdirmeli, soňra bolsa bir kristal filmde öndürilen komponentleri ýa-da integral zynjyrlary bölmeli. Bu usul, meselem, kremniniň ýokary ýygylykly ýokary güýçli tranzistorlaryny öndürmekde, bölüniş naprýa .eniýesi bilen seriýa garşylygy arasyndaky gapma-garşylygy çözmek üçin ulanylýar. Tranzistoryň kollektory, kremniniň wafliniň pn birikmesiniň garşylygy bilen kesgitlenýän ýokary bölüniş naprýa .eniýesini talap edýär. Bu talaby kanagatlandyrmak üçin ýokary garşylykly materiallar zerurdyr. Epitaksialda birnäçe-den on mikron galyňlykda ýeňil doply ýokary garşylykly n görnüşli gatlak, epitaksial gatlakda tranzistor önümçiligi, ýokary garşylyk we pes kollektor seriýasy garşylygy talap edilýän ýokary bölüniş naprýa .eniýesini çözýän adamlar.
Gaz fazaly epitaksial ösüş, ýarymgeçiriji ylymyň ösmeginde möhüm rol oýnaýan, ýarymgeçiriji materiallaryň we enjamlaryň hiline we olaryň işleýşiniň gowulaşmagyna ep-esli goşant goşýan has ösen epitaksial ösüş tehnologiýasynyň ýarymgeçiriji meýdanynda iň irki ulanylyşdyr. Häzirki wagtda ýarymgeçirijiniň ýeke kristal epitaksial filmini taýýarlamak himiki buglary çökdürmegiň iň möhüm usulydyr. Himiki bug çökdürmesi diýlip atlandyrylýan, ýagny himiki reaksiýanyň gaty ýüzünde gazly maddalary ulanmak, gaty ýataklary emele getirmek prosesi. CVD tehnologiýasy ýokary hilli ýeke-kristal filmleri ösdürip biler, zerur doping görnüşini we epitaksial galyňlygy almak, köpçülikleýin önümçiligi amala aşyrmak aňsat we şonuň üçin senagatda giňden ulanylýar. Senagatda, CVD tarapyndan taýýarlanan epitaksial wafli köplenç bir ýa-da birnäçe gömülen gatlak bar, olar diffuziýa ýa-da ion implantasiýasy arkaly enjamyň gurluşyna we doping paýlanyşyna gözegçilik edip biler; CVD epitaksial gatlagynyň fiziki aýratynlyklary köp materialdan tapawutlanýar we epitaksial gatlagyň kislorod we uglerod düzümi adatça gaty pes, bu onuň artykmaçlygydyr. Şeýle-de bolsa, CVD epitaksial gatlagy öz-özüni dopirlemek aňsat, amaly programmalarda öz-özüni dopingiň epitaksial gatlagyny azaltmak üçin belli bir çäreleri görmeli, CVD tehnologiýasy henizem empirik prosesiň käbir jähetlerinde, CVD tehnologiýasynyň ösüşini dowam etdirmegi üçin has çuňňur gözlegleri geçirmeli.
CVD ösüş mehanizmi gaty çylşyrymly, himiki reaksiýada adatça dürli komponentleri we maddalary öz içine alýar, birnäçe aralyk önüm öndürip bilýär we temperatura, basyş, gaz akymynyň tizligi we ş.m. ýaly köp garaşsyz üýtgeýjiler bar, epitaksial proses yzygiderli ösýär we gowulaşýar. Epitaksial prosesde yzygiderli, özara giňelýän we kämilleşdiriji ädimler bar. CVD epitaksial ösüş prosesini we mehanizmini seljermek, ilki bilen, gaz fazasyndaky reaktiw maddalaryň erginligini, dürli gazlaryň deňagramly bölekleýin basyşyny, kinetiki we termodinamiki prosesleri anyklamak; soň gaz fazasyndan substrat köpçülikleýin transportyň ýüzüne reaktiw gazlara, gaz akymynyň araçäk gatlagynyň we substratyň ýüzüne, ýadronyň ösmegine, şeýle hem ýerüsti reaksiýa, diffuziýa we göçüşe düşünmek we netijede islenýän filmi döretmek. CVD-iň ösüş prosesinde epitakial gatlagyň hilini esasan kesgitleýän reaktoryň ösüşi we ösüşi möhüm rol oýnaýar. Epitaksial gatlagyň ýerüsti morfologiýasy, panjara kemçilikleri, hapalaryň paýlanyşy we gözegçiligi, epitaksial gatlagyň galyňlygy we birmeňzeşligi enjamyň işleýşine we öndürijiligine gönüden-göni täsir edýär.
IsBu makala çap edildivakuum örtük maşyn öndürijisiGuangdong Zhenhua
Iş wagty: Maý-04-2024