کیمیائی بخارات کا ذخیرہ

ایپیٹیکسیل نمو، جسے اکثر ایپیٹیکسی بھی کہا جاتا ہے، سیمی کنڈکٹر مواد اور آلات کی تعمیر میں سب سے اہم عمل ہے۔ نام نہاد epitaxial ترقی سنگل مصنوعات کی فلم کے عمل کی ایک پرت کی ترقی پر سنگل کرسٹل سبسٹریٹ میں مخصوص حالات میں ہے، سنگل کرسٹل فلم کی ترقی کو epitaxial پرت epitaxial ٹیکنالوجی کہا جاتا ہے 1960 کی دہائی کے اوائل میں سلیکون سنگل کرسٹل پتلی فلم تحقیق کی بنیاد پر نصف صدی کے ابھرنے کے قابل ہے، اب تقریباً نصف صدی کے لوگوں کی ترقی کے قابل ہو چکے ہیں۔ epitaxial ترقی کی بعض شرائط کے تحت فلمیں. ایپیٹیکسیل ٹیکنالوجی نے سیمی کنڈکٹر مجرد اجزاء اور مربوط سرکٹس میں بہت سے مسائل حل کیے ہیں، جس سے ڈیوائس کی کارکردگی میں بہت بہتری آئی ہے۔ Epitaxial فلم زیادہ درست طریقے سے اس کی موٹائی اور ڈوپنگ کی خصوصیات کو کنٹرول کر سکتی ہے، اس خصوصیت نے سیمی کنڈکٹر انٹیگریٹڈ سرکٹس کی تیز رفتار ترقی کو مزید کامل مرحلے میں پہنچایا ہے۔ سلکان سنگل کرسٹل کو سلائسنگ، پیسنے، پالش کرنے اور دیگر پروسیسنگ تکنیکوں کے ذریعے، پالش شیٹ حاصل کرنے کے لیے، آپ اس پر مجرد اجزاء اور مربوط سرکٹس بنا سکتے ہیں۔ لیکن بہت سے مواقع پر یہ پالش شیٹ صرف سبسٹریٹ کے لیے مکینیکل سپورٹ کے طور پر استعمال ہوتی ہے، جس میں پہلے مناسب قسم کی چالکتا اور مزاحمتی صلاحیت کے ساتھ سنگل کرسٹل فلم کی ایک تہہ کو بڑھانا ضروری ہوتا ہے، اور پھر ایک ہی کرسٹل فلم میں تیار کردہ مجرد اجزاء یا مربوط سرکٹس۔ یہ طریقہ استعمال کیا جاتا ہے، مثال کے طور پر، سلکان ہائی فریکوئنسی ہائی پاور ٹرانزسٹرز کی تیاری میں، بریک ڈاؤن وولٹیج اور سیریز ریزسٹنس کے درمیان تنازعہ کو حل کرنے کے لیے۔ ٹرانزسٹر کے کلیکٹر کو ہائی بریک ڈاؤن وولٹیج کی ضرورت ہوتی ہے، جس کا تعین سلکان ویفر کے پی این جنکشن کی مزاحمتی صلاحیت سے ہوتا ہے۔ اس ضرورت کو پورا کرنے کے لیے، اعلیٰ مزاحمتی مواد کی ضرورت ہے۔ ایپیٹیکسیل کئی سے درجن مائکرون موٹی ہلکی ڈوپڈ ہائی ریزسٹنس این ٹائپ پرت پر بھاری ڈوپڈ این قسم کے کم مزاحمت والے مواد میں لوگ، ایپیٹیکسیل پرت میں ٹرانجسٹر کی پیداوار، جو ہائی ریزسٹویٹی کے لیے درکار ہائی بریک ڈاون وولٹیج کو حل کرتی ہے اور کم کلکٹر سیریز ریزسٹنس کے درمیان کم ریزسٹنس کی کمی کو حل کرتی ہے۔

گیس فیز ایپیٹیکسیل گروتھ سیمی کنڈکٹر فیلڈ میں زیادہ پختہ ایپیٹیکسیل گروتھ ٹیکنالوجی کی ابتدائی ایپلی کیشن ہے، جو سیمی کنڈکٹر سائنس کی ترقی میں اہم کردار ادا کرتی ہے، سیمی کنڈکٹر مواد اور آلات کے معیار اور ان کی کارکردگی میں بہتری میں بہت زیادہ تعاون کرتی ہے۔ فی الحال، سیمی کنڈکٹر سنگل کرسٹل ایپیٹیکسیل فلم کی تیاری کیمیائی بخارات جمع کرنے کا سب سے اہم طریقہ ہے۔ نام نہاد کیمیائی بخارات کا ذخیرہ، یعنی کیمیائی رد عمل کی ٹھوس سطح پر گیسی مادوں کا استعمال، ٹھوس ذخائر پیدا کرنے کا عمل۔ CVD ٹیکنالوجی اعلی معیار کی سنگل کرسٹل فلموں کو بڑھا سکتی ہے، مطلوبہ ڈوپنگ قسم اور ایپیٹیکسیل موٹائی حاصل کرنے کے لیے، بڑے پیمانے پر پیداوار کا احساس کرنا آسان ہے، اور اسی وجہ سے صنعت میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتا رہا ہے۔ صنعت میں، سی وی ڈی کے ذریعہ تیار کردہ ایپیٹیکسیل ویفر میں اکثر ایک یا زیادہ دفن شدہ پرتیں ہوتی ہیں، جن کا استعمال ڈفیوژن یا آئن امپلانٹیشن کے ذریعے ڈیوائس کی ساخت اور ڈوپنگ کی تقسیم کو کنٹرول کرنے کے لیے کیا جا سکتا ہے۔ CVD epitaxial تہہ کی جسمانی خصوصیات بلک مواد سے مختلف ہوتی ہیں، اور epitaxial تہہ میں آکسیجن اور کاربن کا مواد عموماً بہت کم ہوتا ہے، جو اس کا فائدہ ہے۔ تاہم، سی وی ڈی ایپیٹیکسیل پرت خود ڈوپنگ کی تشکیل میں آسان ہے، عملی ایپلی کیشنز میں سیلف ڈوپنگ کی ایپیٹیکسیل پرت کو کم کرنے کے لیے کچھ اقدامات کرنے کی ضرورت ہے، سی وی ڈی ٹیکنالوجی اب بھی تجرباتی عمل کی حالت کے کچھ پہلوؤں میں ہے، مزید گہرائی سے تحقیق کرنے کی ضرورت ہے، تاکہ یہ سی وی ڈی ٹیکنالوجی کی ترقی کو حاصل کرتی رہے۔

CVD کی ترقی کا طریقہ کار بہت پیچیدہ ہے، کیمیائی رد عمل میں عام طور پر مختلف قسم کے اجزاء اور مادے شامل ہوتے ہیں، متعدد درمیانی مصنوعات تیار کر سکتے ہیں، اور بہت سے آزاد متغیرات ہیں، جیسے درجہ حرارت، دباؤ، گیس کے بہاؤ کی شرح، وغیرہ، epitaxial عمل آگے پیچھے کی ایک بڑی تعداد ہے، ایک دوسرے کو ترقی دینے اور بہتر بنانے کے لیے۔ epitaxial عمل میں کئی پے در پے، باہمی طور پر پھیلنے والے اور مکمل ہونے والے مراحل ہوتے ہیں۔ CVD اپیٹیکسیل نمو کے عمل اور طریقہ کار کا تجزیہ کرنے کے لیے، سب سے پہلے، گیس کے مرحلے میں رد عمل والے مادوں کی حل پذیری، مختلف گیسوں کے توازن کا جزوی دباؤ، واضح حرکی اور تھرموڈینامک عمل؛ پھر گیس کے مرحلے سے سبسٹریٹ ماس ٹرانسپورٹ کی سطح تک رد عمل والی گیسوں کو سمجھنے کے لیے، گیس کے بہاؤ کی باؤنڈری پرت کی تشکیل اور سبسٹریٹ کی سطح، نیوکلئس کی نشوونما، نیز سطح کے رد عمل، بازی اور منتقلی، اور اس طرح بالآخر مطلوبہ فلم تیار کریں۔ CVD کے بڑھنے کے عمل میں، ری ایکٹر کی ترقی اور پیشرفت ایک اہم کردار ادا کرتی ہے، جو بڑی حد تک اپیٹیکسیل پرت کے معیار کا تعین کرتی ہے۔ ایپیٹیکسیل پرت کی سطح کی شکل، جالی کے نقائص، نقائص کی تقسیم اور کنٹرول، ایپیٹیکسیل پرت کی موٹائی اور یکسانیت براہ راست ڈیوائس کی کارکردگی اور پیداوار کو متاثر کرتی ہے۔

-یہ مضمون جاری کیا گیا ہے۔ویکیوم کوٹنگ مشین بنانے والاگوانگ ڈونگ زینہوا