O le tuputupu aʻe o le epitaxial, e masani ona taʻua o le epitaxy, o se tasi o faiga sili ona taua i le gaosiga o mea ma masini semiconductor. O le mea ua taʻua o le tuputupu aʻe o le epitaxial o loʻo i ai i nisi tulaga i totonu o le substrate tioata e tasi i luga o le tuputupu aʻe o se vaega o le faiga o le ata tifaga oloa e tasi, o le tuputupu aʻe o le ata tifaga tioata e tasi e taʻua o le epitaxial layer epitaxial technology o le amataga o le 1960s i suʻesuʻega o le silicon single-crystal thin film i luga o le faʻavae o le aliaʻe mai o le atinaʻeina o le toeitiiti atoa le afa seneturi i le taimi nei, ua mafai e tagata ona iloa le tele o ata tifaga semiconductor i lalo o nisi tulaga o le tuputupu aʻe o le epitaxial. Ua foia e le tekinolosi epitaxial le tele o faʻafitauli i vaega semiconductor discrete ma integrated circuits, ma faʻaleleia atili ai le faʻatinoga o le masini. E mafai e le ata tifaga epitaxial ona pulea lelei lona mafiafia ma meatotino doping, o lenei foliga ua taʻitaʻia ai le vave atinaʻeina o semiconductor integrated circuits, i se tulaga sili atu ona atoatoa. Silicon single crystal e ala i le tipiina, oloina, faʻapulusaina ma isi metotia faʻagasologa, ina ia maua ai se pepa faʻapulusaina, e mafai ona e faia ni vaega discrete ma integrated circuits i luga. Ae i le tele o taimi, o lenei laupepa fa'apupula e na'o se lagolago fa'amekanika mo le substrate, lea e mana'omia ai le fa'atupula'ia muamua o se vaega o le ata tifaga tioata e tasi ma le ituaiga talafeagai o le conductivity ma le resistivity, ona sosoo ai lea ma vaega eseese po'o matagaluega tu'ufa'atasia e gaosia i se ata tifaga tioata e tasi. O lenei metotia e fa'aaogaina, mo se fa'ata'ita'iga, i le gaosiga o transistors maualuga-tele o le silicon, e fo'ia ai le fete'ena'iga i le va o le voltage malepe ma le tete'e fa'asolosolo. O le collector o le transistor e mana'omia se voltage malepe maualuga, lea e fuafuaina e le resistivity o le pn junction o le silicon wafer. Ina ia ausia lenei mana'oga, e mana'omia mea tete'e maualuga. O tagata i totonu o mea tete'e maualalo-n-type e matua'i doped i luga o le epitaxial e tele i le sefululua microns mafiafia e matua'i doped le maualuga-resistance n-type layer, o le gaosiga o transistor i le vaega epitaxial, lea e fo'ia ai le voltage malepe maualuga e mana'omia e le resistivity maualuga ma le tete'e fa'asolosolo maualalo e mana'omia e le resistivity maualalo o le substrate o le fete'ena'iga i le va.
O le tuputupu aʻe o le epitaxial gas-phase o le faʻaaogaina muamua lea i le matata o le semiconductor o se tekinolosi tuputupu aʻe epitaxial ua matua, lea e taua tele i le atinaʻeina o le saienisi semiconductor, e tele sona sao i le lelei o meafaitino ma masini semiconductor ma le faʻaleleia atili o la latou faʻatinoga. I le taimi nei, o le sauniaina o le semiconductor single crystal epitaxial film o le metotia sili ona taua o le faʻaputuina o le ausa vailaʻau. O le mea ua taʻua o le chemical vapor deposition, o lona uiga, o le faʻaaogaina o mea kesi i luga o le fogāʻeleʻele mautu o le tali atu o vailaʻau, o le faagasologa o le gaosia o ni faʻaputuga mautu. E mafai e le tekinolosi CVD ona faʻatupuina ni ata tifaga e tasi le-crystal maualuga, e maua ai le ituaiga doping manaʻomia ma le mafiafia epitaxial, faigofie ona iloa le gaosiga tele, ma o lea ua faʻaaogaina lautele i pisinisi. I pisinisi, o le epitaxial wafer na saunia e le CVD e masani ona i ai le tasi pe sili atu vaega tanumia, lea e mafai ona faʻaaogaina e pulea ai le fausaga o le masini ma le tufatufaina atu o le doping e ala i le diffusion poʻo le ion implantation; o meatotino faaletino o le CVD epitaxial layer e ese mai i mea tetele, ma o le okesene ma le carbon content o le epitaxial layer e masani lava ona maualalo, o lona lelei lea. Ae ui i lea, o le vaega epitaxial CVD e faigofie ona fausia le self-doping, i faʻaoga faatino e manaʻomia ai ona faia ni fuafuaga patino e faʻaitiitia ai le vaega epitaxial o le self-doping, o le tekinolosi CVD o loʻo i ai pea i nisi o vaega o le tulaga o le faagasologa faʻapitoa, e manaʻomia ona faia ni suʻesuʻega loloto, ina ia faʻaauau pea ona maua le atinaʻeina o le tekinolosi CVD.
E matuā lavelave le faiga o le tuputupu aʻe o le CVD, i le tali atu o vailaʻau e masani ona aofia ai le tele o vaega ma mea eseese, e mafai ona gaosia ai le tele o oloa vaeluaga, ma e tele foʻi fesuiaʻiga tutoʻatasi, e pei o le vevela, le mamafa, le saoasaoa o le tafe o le kesi, ma isi mea faapena, o le faiga epitaxial e tele ni suiga i luma ma luma, e atiina ae ma faaleleia atili ai le tasi ma le isi. O le faiga epitaxial e tele laasaga sosoo, e faalauteleina ma faaleleia atili ai. Ina ia iloiloina le faiga ma le faiga o le tuputupu aʻe o le CVD epitaxial, muamua lava, ia faamanino le solubility o mea tali atu i le vaega kesi, le paleni o le mamafa o vaega o kesi eseese, faagasologa manino o le kinetic ma le thermodynamic; ona malamalama lea i kesi tali atu mai le vaega kesi i le luga o le substrate mass transport, le fausiaina o le vaega tuaoi o le tafe o le kesi ma le luga o le substrate, le tuputupu aʻe o le nucleus, faapea foi ma le tali atu o le luga, le faasalalauina ma le femalagaaiga, ma iu ai ina maua le ata tifaga e manaomia. I le faiga o le tuputupu aʻe o le CVD, o le atinaeina ma le alualu i luma o le reactor e taua tele, lea e fuafua tele ai le lelei o le vaega epitaxial. O le foliga o le fogāeleele o le vaega epitaxial, faʻaletonu o le lattice, le tufatufaina ma le puleaina o mea le mama, le mafiafia ma le tutusa o le vaega epitaxial e aʻafia ai le faʻatinoga ma le fua o le masini.
–O lenei tusiga ua fa'asalalauina egaosi oloa masini ufiufi vacuumGuangdong Zhenhua
Taimi na lafoina ai: Me-04-2024